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標簽 > 熱導(dǎo)率
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散熱問題一直是制約筆記本電腦發(fā)展的一大技術(shù)瓶頸,并且也嚴重阻礙了高性能電子芯片的發(fā)展,本文通過對散熱路徑中繞不開的熱界面材料分析仿真與優(yōu)化設(shè)計,促進筆記...
石墨烯發(fā)熱原理及其功能 石墨烯是一種由碳原子組成的單層二維晶格結(jié)構(gòu)材料。它的發(fā)現(xiàn)不僅引起了科學(xué)界的廣泛關(guān)注,還在眾多領(lǐng)域展示出了許多引人矚目的新功能。其...
隨著電子元件功率密度的增加,它們的工作結(jié)溫會超出極限,從而將更多的熱能消散到封裝、PCB和外殼上。電子元件散發(fā)的一小部分熱量通過引線和外殼傳遞到PCB,...
目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì),因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來替換氧化物燒結(jié)助劑,如 YF3-MgO、MgF2...
固體中電子的能量分布是離散的,電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上,價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度(Energy...
鈦的鈍性取決于氧化膜的存在,它在氧化性介質(zhì)中的耐蝕性比在還原介質(zhì)中要好得多。在還原性介質(zhì)中會發(fā)生高速率腐蝕。鈦在一些腐蝕性介質(zhì)中不被腐蝕,如海水、濕氯氣...
引言 碳纖維和玻璃纖維是兩種常見的高性能纖維材料,廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車制造、建筑結(jié)構(gòu)、體育器材等領(lǐng)域。它們具有高強度、高模量、輕質(zhì)、耐腐蝕等優(yōu)點,但...
湖南大學(xué):二維碳材料成鍵形式對熱導(dǎo)率的影響規(guī)律!
碳材料一直是材料科學(xué)、凝聚態(tài)物理和熱管理相關(guān)領(lǐng)域的熱點。例如,金剛石作為典型的三維碳材料,具有自然界最高的硬度和超高熱導(dǎo)率。此外,石墨烯(graphen...
隨著 5G 時代的到來,晶體管尺寸一直呈指數(shù)級縮小,芯片制造商也不斷在增加晶體管數(shù)量以實現(xiàn)更高的組件密度和時鐘頻率。而因晶體管數(shù)量和功耗增加所產(chǎn)生的熱量...
石墨烯/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的最新進展和航空應(yīng)用
石墨烯添加相的不同形態(tài)對其復(fù)合材料的性能有重要影響,石墨烯的薄膜形態(tài)和其排列是研究的熱點,圖2匯總了相關(guān)較為典型的研究成果。BusteroI等通過自支撐...
因燒結(jié)溫度高, HTCC不能采用金、銀、銅等低熔點金屬材料, 必須采用鎢、鉬、錳等難熔金屬材料, 這些材料電導(dǎo)率低, 會造成信號延遲等缺陷, 所以不適合...
現(xiàn)階段,隨著制備工藝的不斷優(yōu)化,氮化硅陶瓷實際熱導(dǎo)率也在不斷提高。為了降低晶格氧含量,首先在原料的選擇上降低氧含量,一方面可選用含氧量比較少的 Si 粉...
石墨烯具有本征的高熱導(dǎo)率,在理論計算和實驗測量中均得到了驗證。高導(dǎo)熱石墨烯膜作為散熱器可貼合在易發(fā)熱的電子元件的表面,將熱源產(chǎn)生的熱量均勻分散。研究高導(dǎo)...
檢測材料 LED燈珠、燈具導(dǎo)熱塑料、導(dǎo)熱膏、導(dǎo)熱片、導(dǎo)熱膠、界面材料、相變化材料、玻璃、陶瓷、金屬、基板、鋁基板、覆銅基板、軟板等低導(dǎo)熱材料 熱阻 熱量...
到目前為止,氧化鋁基板是電子工業(yè)中最常用的基板材料,因為在機械、熱、電性能上相對于大多數(shù)其他氧化物陶瓷,強度及化學(xué)穩(wěn)定性高,且原料來源豐富,適用于各種各...
針對熱效應(yīng)機理和熱電模型,我們將著重考慮熱導(dǎo)率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HE...
晶體材料以其有序的原子排列和獨特的物理性質(zhì),在眾多領(lǐng)域中展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。從半導(dǎo)體技術(shù)到光學(xué)器件,再到結(jié)構(gòu)材料,晶體材料的應(yīng)用范圍廣泛。 晶體材料...
同時具有高電子和空穴遷移率以及高導(dǎo)熱率的半導(dǎo)體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能(1,2)。然而,到目前為止,仍然沒有確認同時具有高遷移率和熱導(dǎo)率的材料。
2022-09-05 標簽:半導(dǎo)體材料晶格熱導(dǎo)率 2474 0
3C-SiC有望PK單晶金剛石,成為高導(dǎo)熱材料的選擇
研究人員對文獻中關(guān)于3C-SiC的實測熱導(dǎo)率一直存在一個困惑:3C-SiC低于結(jié)構(gòu)更復(fù)雜的6H-SiC相,并且低于理論預(yù)測的k值。這與預(yù)測的結(jié)構(gòu)復(fù)雜性和...
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