電阻的作用

電阻是一種物理量，表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小，導(dǎo)體的電阻越大對(duì)電流的阻礙作用也就越大。也可以這樣說，在一個(gè)確定的回路中，如果電壓是確定的，那么回路中的...

2023-02-21 標(biāo)簽：電阻電壓分壓 878 0

NPN型晶體管的伏安特性解析

伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測(cè)試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個(gè)引腳，因此需用通過兩個(gè)伏安特性來(lái)展示晶體管的特...

2023-02-20 標(biāo)簽：電壓晶體管伏安特性 2401 0

解析一個(gè)保險(xiǎn)絲燒斷報(bào)警電路

大家平時(shí)見過的各種電路，尤其是電源電路這種，應(yīng)該都少不了保險(xiǎn)絲的影子。 因?yàn)橛泻芏鄷r(shí)候的突然大電流跑過來(lái)，要是沒有保險(xiǎn)絲的保護(hù)，那么后果將不堪設(shè)想。

2023-02-20 標(biāo)簽：三極管報(bào)警電路led燈 2502 2

直流阻抗（DCR）的測(cè)試和計(jì)算

電池在組裝成模組或PACK后,需要測(cè)試DCR值,測(cè)試的參數(shù)值主要評(píng)估焊接或連接端的阻抗值,但國(guó)外對(duì)DCR值應(yīng)用更多是評(píng)估其放電功率或能量的能力。 下面介...

2023-02-20 標(biāo)簽：測(cè)試阻抗電壓 4.1萬(wàn) 0

Arduino基礎(chǔ)：讀取電壓

這篇文章來(lái)源于DevicePlus.com英語(yǔ)網(wǎng)站的翻譯稿。本文最初發(fā)布在deviceplus.jp網(wǎng)站上，而后被翻譯成英語(yǔ)。

2023-02-20 標(biāo)簽：電位器電壓Arduino 7401 0

開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)-Vin低于Vout時(shí)的動(dòng)作

降壓開關(guān)穩(wěn)壓器可將輸入電壓Vin轉(zhuǎn)換為比Vin低的電壓。然而，由于Vin的波動(dòng)，Vin低于設(shè)置的Vout的情況也并非沒有。下面介紹在這種條件下可能發(fā)生的動(dòng)作。

2023-02-20 標(biāo)簽：開關(guān)穩(wěn)壓器電壓vout 2871 0

如何選擇合適的固態(tài)繼電器？

在選擇固態(tài)繼電器（SSR）時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際應(yīng)用條件和SSR性能參數(shù)，特別要考慮到使用中的過流和過壓條件以及SSR的負(fù)載能力，這有助于實(shí)現(xiàn)固態(tài)繼電器的長(zhǎng)壽命...

2023-02-18 標(biāo)簽：繼電器電流電壓 2348 0

二極管的結(jié)構(gòu)及特性

　　二極管也稱為晶體二極管，是由空穴型p型半導(dǎo)體和電子型n型半導(dǎo)體結(jié)合而成的PN結(jié)。二極管具有單向?qū)щ娦阅?，?dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過管子流向陰極。

2023-02-17 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體電壓 7192 0

當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)通時(shí)的故障對(duì)策

上一篇文章中介紹了故障①“當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)”的對(duì)策，同時(shí)也提到了相應(yīng)對(duì)策的注意事項(xiàng)。本文將介紹當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)...

2023-02-17 標(biāo)簽：MOSFET電壓諧振 810 0

晶閘管的串聯(lián)與并聯(lián)

通常使用兩只晶閘管串聯(lián)工作以解決單只晶閘管耐壓不足的問題。這就需要解決晶閘管的工作電壓平均分配問題， 包括靜態(tài)均壓與動(dòng)態(tài)均壓。靜態(tài)均壓可采用無(wú)感電阻串聯(lián)...

2023-02-16 標(biāo)簽：串聯(lián)晶閘管電壓 8113 0

功率MOSFET管Rds負(fù)溫度系數(shù)對(duì)負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)有什么影響

本文論述了功率MOSFET管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對(duì)應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時(shí)要跨越這兩個(gè)區(qū)域的工作過程。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻電壓功率MOSFET管 1859 0

功率MOSFET輸出電容為什么會(huì)隨著外加電壓增加而降低？

功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到：輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非...

2023-02-16 標(biāo)簽：電容電壓功率MOSFET 2913 0

為什么超結(jié)高壓功率MOSFET輸出電容的非線性特性更嚴(yán)重？

功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)

2023-02-16 標(biāo)簽：電容電壓功率MOSFET 1066 0

一文深度解讀鋰離子電池

鋰電池是20世紀(jì)開發(fā)成功的新型高能電池，可以理解為含有鋰元素（包括金屬鋰、鋰合金、鋰離子、鋰聚合物）的電池，可分為鋰金屬電池（極少的生產(chǎn)和使用）和鋰離子...

2023-02-16 標(biāo)簽：鋰離子電池鋰電池電壓 4860 0

基準(zhǔn)電壓溫漂的表達(dá)方式

對(duì)于一個(gè)基準(zhǔn)電壓來(lái)說，其輸出電壓值會(huì)隨著溫度變化而偏離其標(biāo)稱電壓值，如何量化或者表達(dá)這個(gè)偏離值？

2023-02-15 標(biāo)簽：電壓溫漂基準(zhǔn)電壓 2370 0

DCDC電源SW電壓尖峰過沖問題解析

使用DCDC同步電源過程中，測(cè)試波形會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰過沖問題，文中給出調(diào)試此問題過程中的解決方法。

2023-02-15 標(biāo)簽：電壓寄生電容DCDC 1.6萬(wàn) 0