更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:53
6744 超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡(jiǎn)稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461619 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的表征效果極差，在任何計(jì)算中都會(huì)導(dǎo)致較大誤差。為了適應(yīng)各種新組件架構(gòu)的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測(cè)量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
應(yīng)用圖 4 顯示了使用功率 MOSFET 應(yīng)用的工作條件，其中負(fù)載電感和工作頻率為參數(shù)。市場(chǎng)要求是（1）提高節(jié)能性，（2）降低噪音（環(huán)境考慮），（3）更小、更薄的設(shè)計(jì)。對(duì)于功率MOSFET所要求的特性，重要的特性和規(guī)格自然會(huì)根據(jù)相關(guān)領(lǐng)域和應(yīng)用而有所不同。因此，近出現(xiàn)了針對(duì)特定應(yīng)用的產(chǎn)品的需求。
2024-06-11 15:19:16
功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含器件特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對(duì)應(yīng)用中MOSFET的選用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能
2018-10-18 09:13:03
明。功率MOSFET所接的負(fù)載：BUCK變換器的功率MOSFET接到電感，因此功率MOSFET所接的負(fù)載為感性負(fù)載。變換器輸出負(fù)載：BUCK變換器的輸出為濾波電容，因此輸出負(fù)載為容性負(fù)載。BUCK
2016-12-16 16:53:16
的寄生電容Coss具有非線性的特性，隨著電壓增大而減小，因此，波形振蕩的頻率并不固定。降低功率MOSFET管的關(guān)斷速度、可以降低振蕩的幅值，在源極與漏極并聯(lián)電容，可以降低振蕩的頻率和幅值，抑制電壓尖峰
2025-11-19 06:35:56
[hide]關(guān)于電路功率、增益、噪聲和非線性的問題，有興趣的朋友看看吧[/hide]
2013-10-18 15:34:15
在對(duì)輸入信號(hào)處理的過程中，許多器件/系統(tǒng)具有線性和非線性特性，不同特性的傳輸特性當(dāng)然對(duì)輸出信號(hào)有不同的影響。具有線性傳輸特性的器件/系統(tǒng)對(duì)于輸入信號(hào)只產(chǎn)生幅度和相位的變化，而不會(huì)產(chǎn)生新的頻率成分。非線性器件/系統(tǒng)能對(duì)輸入信號(hào)的頻率進(jìn)行搬移，或產(chǎn)生新的頻率成份，如諧波和交調(diào)。
2019-07-09 07:56:11
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
N5242A，它是非線性網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)試儀。PNA-X N5242A非線性矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（NVNA）主要采用兩種方法來測(cè)量被測(cè)件（DUT）的非線性效應(yīng)：一種是非線性元器件特性表征法，另一種是提取 X 參數(shù)法。
2019-06-03 07:03:12
條件下正確表示直流和動(dòng)態(tài)射頻行為所需的許多其他特性。模型中有什么？一個(gè)模型預(yù)測(cè)PA 晶體管非線性行為的能力主要基于幾個(gè)方面：· 電壓依賴性電流源(Ids) 的表示· 電壓依賴性電容（主要是柵極-源極Cgd
2018-08-04 14:55:07
負(fù)載：雖然理論上純電阻負(fù)載應(yīng)為線性負(fù)載，但在實(shí)際應(yīng)用中，由于材料特性、溫度變化等因素，某些電阻負(fù)載也可能表現(xiàn)出一定的非線性特性。
電容性非線性負(fù)載：如某些電容器在特定條件下可能出現(xiàn)非線性行為，但這類情況
2024-12-18 15:18:46
非線性（Integral nonlinearity，INL）積分非線性表示了 ADC 器件在所有的數(shù)值點(diǎn)上對(duì)應(yīng)的模擬值和真實(shí)值之間誤差最大的那一點(diǎn)的誤差值， 也就是輸出數(shù)值偏離線性最大的距離。單位
2023-03-24 18:08:16
由勢(shì)壘電容構(gòu)成的較理想的電容器件，且其增量電容值隨外加電壓而變化 利用該特性可制作變?nèi)荻O管，變?nèi)荻O管在非線性電路中應(yīng)用較廣泛， 如壓控振蕩器、頻率調(diào)制等。
2008-09-10 09:26:16
PT1901C 是一款超高壓線性輸入輸出恒功率 LED 驅(qū)動(dòng) IC，最高輸入電壓可達(dá) 400V，適用于驅(qū)動(dòng)高電壓小電 流 LED 負(fù)載。應(yīng)用方案外部元件極少，布局緊湊，能簡(jiǎn) 單靈活地應(yīng)用于各種小體
2019-03-14 14:17:58
，MOSFET的體二極管是具有pn結(jié)的二極管，因而存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，其特性表現(xiàn)為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較
2018-11-27 16:40:24
作用導(dǎo)致反向工作時(shí)的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
型層的厚度），這時(shí)勢(shì)壘區(qū)與空間電荷區(qū)并不完全一致（勢(shì)壘厚度遠(yuǎn)大于空間電荷區(qū)）。（3）勢(shì)壘電容：pn結(jié)的勢(shì)壘電容也就是空間電荷區(qū)的電容，而空間電荷區(qū)的厚度與外加電壓有關(guān)，則勢(shì)壘電容是一種非線性電容；并且
2013-05-20 10:00:38
小信號(hào)時(shí)性能較好，能以線性特性進(jìn)行隔離控制。 常用的線性光耦是PC817A—C系列。 開關(guān)電源中常用的光耦是線性光耦。如果使用非線性光耦，有可能使振蕩波形變壞，嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)寄生振蕩，使數(shù)千赫的振蕩頻率被
2014-08-21 16:37:16
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
非線性工作區(qū)域，直接用來傳輸模擬量時(shí)精度較差。圖1 光電耦合器結(jié)構(gòu)及輸入、輸出特性解決方法之一，利用2個(gè)具有相同非線性傳輸特性的光電耦合器，T1和T2，以及2個(gè)射極跟隨器A1和A2組成，如圖2所示
2012-12-13 12:24:34
【摘要】：利用非線性偏振旋轉(zhuǎn)效應(yīng)可在能量對(duì)稱的非線性光纖環(huán)鏡中獲得強(qiáng)度相關(guān)損耗輸出,具有該特性的非線性光纖環(huán)鏡可作為強(qiáng)度均衡器來抑制室溫條件下的摻鉺光纖中的模式競(jìng)爭(zhēng)。對(duì)這種環(huán)鏡在多波長(zhǎng)摻鉺光纖激光器
2010-04-24 10:15:37
小電流時(shí)，MOSFET SLLIMM-nano(顯示線性特性)的正向壓降低于IGBT模塊典型的類似于二極管的正向壓降，如圖 2所示，從圖中不難看出，在電流低于0.7A(平衡點(diǎn))時(shí)，超結(jié)MOSFET的靜態(tài)
2018-11-20 10:52:44
保持較高發(fā)射效率的同時(shí)，獲得較好的線性輸入輸出特性。2.1 傳統(tǒng)非線性校正技術(shù)在線性化技術(shù)出現(xiàn)以前，為了避免由于功率放大器非線性引起的信號(hào)失真，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者通常選用功率回退法，即把功率放大器的信號(hào)輸入功率
2018-07-30 18:09:06
采用新技術(shù)，例如D3半導(dǎo)體正在實(shí)施的技術(shù)。新方法在開發(fā)新的+FET產(chǎn)品線時(shí)，D3半導(dǎo)體選擇了一種非傳統(tǒng)的技術(shù)方法，將集成應(yīng)用于高壓超結(jié)功率MOSFET?。在傳統(tǒng)的晶體管配置中，沒有元件來提供微調(diào)功能
2023-02-27 10:02:15
我在網(wǎng)上查了關(guān)于電感和電容是屬于線性還是非線性元件，有兩種答案，所以來這邊問專業(yè)的人解答。電感和電容是屬于線性和非線性元件？還有怎么判斷是線性還是非線性？
2018-11-13 09:18:19
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
如何對(duì)測(cè)量非線性電阻伏安特性的電路進(jìn)行multisim仿真？
2023-04-27 16:10:16
）較大，這要求放大器必須具有良好的線性特性，否則非線性影響，如互調(diào)失真，會(huì)導(dǎo)致頻譜再生，進(jìn)而產(chǎn)生鄰道干擾。在設(shè)計(jì)放大器，如WCDMA多載波功率放大器時(shí)，要采用線性化技術(shù)來補(bǔ)償放大器的非線性，從而提高放大器輸出信號(hào)的頻譜純度，減少鄰道干擾。與此同時(shí)，我們還必須兼顧到放大器的工作效率。
2019-07-23 06:27:28
可能會(huì)嚴(yán)重影響系統(tǒng)性能。PIM表示"無源交調(diào)"，它代表兩個(gè)或更多信號(hào)通過一個(gè)具非線性特性的無源器件傳輸時(shí)產(chǎn)生的交調(diào)產(chǎn)物。機(jī)械連接部分的相互作用一般會(huì)引起非線性效應(yīng)，這在兩種不同金屬的接合處尤為明顯。實(shí)例包括：松動(dòng)的電纜連接、不干凈的連接器、性能糟糕的雙工器或老化的天線等。
2019-07-10 07:04:25
大家好 哪位大神能指點(diǎn)一下 非線性電容 （basic- non ideal capacitor）屬性卡 “value"下 ”capacitance“ 里面的公式table(%V,-5,1
2015-02-02 17:55:42
電壓，Coss產(chǎn)生的損耗所占的比例非常大，甚至成為主導(dǎo)因素，因此在高壓功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出Eoss的值。目前有些中壓的功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中也列出了Eoss的值。功率MOSFET的電容
2017-03-28 11:17:44
的寄生電容和以下的因素相關(guān)：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結(jié)的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
值的VGS1，在轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性的電流為ID1，器件不可能流過大于ID1的電流，轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性限制著功率MOSFET的最大電流值。功率MOSFET工作在線性區(qū)時(shí)，最大的電流受到VGS
2016-08-15 14:31:59
速率為電容器充電。 采用耗盡模式 MOSFET 的恒流源 4. 高壓斜坡發(fā)電機(jī) 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備等應(yīng)用需要輸出電壓和時(shí)間之間具有線性關(guān)系的高壓斜坡。耗盡型MOSFET可以配置為設(shè)計(jì)高壓斜坡發(fā)生器
2023-02-21 15:46:31
阻抗下會(huì)出現(xiàn)頻率偏移現(xiàn)象，由此導(dǎo)致電子設(shè)備工作不穩(wěn)定甚至出現(xiàn)失效，產(chǎn)生嚴(yán)重影響，因此解決VCO的非線性特性（如頻率牽引）測(cè)試問題并由此實(shí)現(xiàn)最優(yōu)匹配顯得日益重要和緊迫。
2019-07-05 06:18:20
請(qǐng)問ADE7953的IRMSA和VRMS寄存器輸出值是線性的還是非線性的？或者是在某些值區(qū)間是線性的而某些值區(qū)間是非線性的？希望專家能答疑一下，謝謝了。
2018-07-27 08:19:20
范圍。因?yàn)榻酉聛淼膸灼獙⒄劤?jí)
結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-
MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和
特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各
功率晶體管的
功率與頻率范圍?？梢钥闯?/div>
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
的基本特性 1、靜態(tài)特性；其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖2所示。 漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs
2023-02-27 11:52:38
摘 要： 對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺點(diǎn)以及提出的改進(jìn)方法；并對(duì)其他基于超結(jié)
2008-11-14 15:32:10
0 非線性電阻電路 4.1 非線性電阻元件的特性 4.2 非線性電阻電路的方程 4.3 圖解分析法 4.4 小信號(hào)分析法 4.5 分段線性分析法&#
2008-12-04 18:07:310 當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)電容式壓力傳感器的非線性響應(yīng)特性也發(fā)生很大的變化，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)電容式壓力傳感器的響應(yīng)特性進(jìn)行自動(dòng)非線性補(bǔ)償，提出了基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的智能壓力傳感器。
2009-07-09 09:20:5229 高功率放大器非線性失真聯(lián)合抑制方法:高功率放大器引入的非線性失真將導(dǎo)致帶內(nèi)信號(hào)失真、頻譜擴(kuò)展(鄰道干擾)和誤碼率惡化。在剖析高功率放大器非線性輸入輸出特性的基礎(chǔ)
2009-10-20 18:00:4211 超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 研究了一種典型CMOS 源耦合差分對(duì)管電路（OTA）的非線性特性，得到非線性失真項(xiàng)。據(jù)此，導(dǎo)出了由OTA 構(gòu)成模擬電阻和模擬電感以及其他一些模擬元件電路的非線性特性解析式，這
2010-01-07 14:52:1317 信號(hào)的放大需要放大電路工作在其近似的線性條件下才有意義．借助數(shù)學(xué)方法，對(duì)構(gòu)成放大的電路的重要器件BJT和MOSFET的非線性進(jìn)行了對(duì)比，并結(jié)合其各自的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析了2類器件
2010-02-28 19:29:1416 非線性電阻特性研究 若通過元件的電流強(qiáng)度與施加到它的兩端的電壓之間不是線性關(guān)系．就稱這種元件為非線性元件 . 由于通過元件的電
2008-11-24 15:20:194142 
非線性部件的模擬
所謂非線性特性，是指它的輸出與輸入信號(hào)之間的關(guān)系是非線性．在實(shí)際物理系統(tǒng)中，往往許多部件在不同程度上都
2009-07-25 10:54:391802 
利用二極管及結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的非線性特性 ，對(duì)光電傳巷器輸 出信號(hào) 進(jìn)行 了非線性 處理，有效地消除了由于侍感器中光電三極 管的非 線性而 引起 的附加干擾 ，提高了傳感 器的抗干擾能力，增強(qiáng)了實(shí)際應(yīng)用的適應(yīng)性。
2017-11-10 16:33:2013 本文主要介紹了非線性電路的分析方法_非線性電路分析舉例。在模擬電子電路中，用圖解的方法，說明非線性元件晶體管的伏安特性、輸入特性和輸出特性，比較直觀明了，有助于學(xué)生對(duì)非線性元件晶體管工作特性的理解
2018-03-13 15:30:4129777 
針對(duì)超級(jí)電容及DC-DC電路的非線性特性，設(shè)計(jì)了超級(jí)電容儲(chǔ)能系統(tǒng)的非線性控制算法。通過分析電路的工作狀態(tài)，建立了電路仿射非線性系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)型，利用狀態(tài)反饋精確線性化理論推導(dǎo)出電路狀態(tài)量與占空比函數(shù)間
2018-03-20 16:36:271 本文主要詳細(xì)闡述了pn結(jié)的基本特性是什么，其次介紹了PN結(jié)的擊穿特性、PN結(jié)的單向?qū)щ娦砸约癙N結(jié)的電容特性。
2018-09-06 18:09:11108548 開關(guān)模式應(yīng)用中的作用類似于“開-關(guān)開關(guān)”。在線性模式下，由于同時(shí)發(fā)生高漏極電壓和電流，導(dǎo)致高功耗，功率MOSFET承受高熱應(yīng)力。當(dāng)熱電應(yīng)力超過某個(gè)臨界極限時(shí)，硅中會(huì)出現(xiàn)熱熱點(diǎn)，從而導(dǎo)致器件失效[1]。 圖1 N溝道功率MOSFET的輸出特性 圖1顯示了N溝道功
2021-05-27 11:13:474889 
特性的系統(tǒng)的。作為課程的補(bǔ)充，下面討論一下不為人所重視的運(yùn)算放大電路的非線性特性。 ▌01?運(yùn)算放大器的非線性 1.運(yùn)算放大電路 作為信號(hào)處理的常用器件，運(yùn)算放大器，在其信號(hào)處理范圍之內(nèi)，通常認(rèn)為是線性器件。也就是
2021-03-10 16:06:2516598 
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)構(gòu)將P型體區(qū)
2021-05-02 11:41:004361 
如果負(fù)載的電壓和電流是非線性的，則它是非線性負(fù)載。感性和電容性負(fù)載均為非線性負(fù)載，線性負(fù)載為電阻性負(fù)載。感性負(fù)載是指負(fù)載的總電感。它不是指純電感。例如，電感和電阻串聯(lián)連接。這是一個(gè)感性負(fù)載。相同的容性負(fù)載意味著該負(fù)載總體上表現(xiàn)出電容特性，而不是純電容。
2021-04-27 16:50:3516977 逐漸成為新的市場(chǎng)需求。 為了滿足這種新需求，亞成微推出了新型高壓超結(jié)MOSFET-RMX65R系列，該系列采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的多層外延工藝，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，比導(dǎo)通電阻（Ronsp）和柵極電荷（Qg）更低，開關(guān)速度更快，
2021-05-27 17:06:182505 超級(jí)結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
WAYON維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2023-01-06 13:04:511315 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:244953 
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個(gè)因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:361600 
功率MOSFET在開通的過程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS
2023-02-16 10:45:042430 
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到：輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性
2023-02-16 10:54:293328 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進(jìn)行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數(shù)受溫度的影響機(jī)理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉(zhuǎn)移特性等參量， 以便找到能夠表征結(jié) 溫特性
2023-04-15 10:03:067735 安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累，攻克了多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET技術(shù)，成功研發(fā)出具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-02 10:23:101909 
寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間，其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。
2023-07-13 14:13:311081 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要。超結(jié)
2023-08-18 08:32:562019 
信號(hào)進(jìn)行采樣，保持電路則用來保持采樣結(jié)果，在采樣周期結(jié)束后輸出一個(gè)恒定的電平。 通常情況下，S/H被認(rèn)為是線性電路，其輸出與輸入的關(guān)系符合線性關(guān)系。但實(shí)際上，由于器件的非線性特性、電容的分布以及交叉耦合等因素，S/H在一定程度上也存在非線性的現(xiàn)象。
2023-10-31 09:41:171719 線性負(fù)載什么意思？非線性負(fù)載是什么意思？ 線性負(fù)載是指在電路中，電流和電壓之間的關(guān)系是線性的，也就是電壓與電流成比例的關(guān)系。線性負(fù)載通常包括電阻、電感和電容等，這些元件的電流與電壓之間的關(guān)系是線性
2023-11-13 16:10:033407 什么是集成運(yùn)放的非線性區(qū)？集成運(yùn)放工作在線性區(qū)和非線性區(qū)有什么區(qū)別？ 集成運(yùn)放的非線性區(qū)是指在其輸入信號(hào)超過一定范圍時(shí)，輸出信號(hào)的增益不再保持線性關(guān)系，而是產(chǎn)生失真現(xiàn)象。在集成運(yùn)放的非線性區(qū)域，輸入
2023-11-22 16:18:077491 逆變器輸出特性與非線性負(fù)載——看似簡(jiǎn)單的整流電路詳解（六）
2023-12-01 16:44:443826 
線性電阻和非線性電阻的區(qū)別? 線性電阻和非線性電阻是兩種常見的電子元件，它們?cè)陔娐分芯哂胁煌?b class="flag-6" style="color: red">特性和行為。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地討論線性電阻和非線性電阻的區(qū)別。 首先，我們先來了解什么是電阻。電阻
2023-12-07 17:03:525299 電路是指電路中的元件或電路本身具有非線性特性，即輸入與輸出之間的關(guān)系不是線性的。在非線性電路中，元件的電壓、電流或功率與時(shí)間的關(guān)系不是簡(jiǎn)單的正比關(guān)系，而是滿足某種非線性函數(shù)關(guān)系。 非線性電路的分類 非線性電路可以
2024-07-09 11:15:563577 作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長(zhǎng)期以來，超結(jié)功率 MOSFET 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中一直占據(jù)主導(dǎo)地位，以至于人們很容易認(rèn)為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
正弦振蕩電路是一種電子振蕩器，它能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的正弦波形輸出。這種電路廣泛應(yīng)用于信號(hào)發(fā)生器、通信設(shè)備和測(cè)試儀器中。正弦振蕩電路的核心組成部分包括線性部分和非線性部分。線性部分通常包括電阻、電容和電感
2024-09-29 09:11:201424 二極管的非線性特性對(duì)電路的影響是深遠(yuǎn)且重要的。以下是對(duì)這一影響的分析： 一、二極管的非線性特性 二極管是一種典型的非線性器件，其電流與電壓之間的關(guān)系不滿足歐姆定律，而是呈現(xiàn)出獨(dú)特的非線性特性。這種
2024-11-18 09:40:572091 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負(fù)載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時(shí)，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以
2025-02-20 16:37:581050 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
MOSFET的開關(guān)頻率（如B3M040065H的開關(guān)時(shí)間低至14ns）遠(yuǎn)超SJ 超結(jié)MOSFET，可減少電源系統(tǒng)中的磁性元件體積，提升功率密度（如數(shù)據(jù)手冊(cè)中提到的“開關(guān)能量降低至160μJ”）。 高溫可靠性
2025-03-02 11:57:01899 
電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-05-06 15:05:381499 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過創(chuàng)新
2025-06-25 10:26:291701 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017 
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