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標(biāo)簽 > 電子器件
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硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用
近日,湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)開(kāi)發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝,用于柔性及不規(guī)則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高...
基于此,北京科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種基于絲素蛋白的可拉伸、可降解且具有可修復(fù)性和抗凍性的MXene/絲素納米復(fù)合導(dǎo)電纖維(Ca@MSNFs),該導(dǎo)電纖...
二極管,特別是半導(dǎo)體二極管,是在各種電子電路中發(fā)揮關(guān)鍵作用的通用電子器件。它們的一個(gè)重要應(yīng)用是在脈沖電路中,用于整形和操縱電脈沖。在這篇文章中,我們將探...
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,由氮?dú)夂徒饘冁壏磻?yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性,因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵...
2024-01-10 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.3k 0
第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開(kāi)關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝,在新一代高...
硅基氮化鎵技術(shù)原理 硅基氮化鎵的優(yōu)缺點(diǎn)
硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性,將其結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的...
氮化鎵不是充電器類(lèi)型,而是一種化合物。 氮化鎵(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來(lái),氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用...
2024-01-10 標(biāo)簽:充電器電子器件半導(dǎo)體材料 2.2k 0
任何電子器件的使用壽命均取決于其工作溫度。在較高溫度下器件會(huì)加快老化,使用壽命會(huì)縮短。但某些應(yīng)用要求電子產(chǎn)品工作在器件最大額定工作結(jié)溫下。以石油天然氣產(chǎn)...
基于曲面的復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)及電子器件組裝
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,清華大學(xué)航天航空學(xué)院張一慧教授課題組提出了一種在曲面上制造復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和電子器件的新策略。
一文簡(jiǎn)析PCBA貼片加工組裝方法以及生產(chǎn)流程
插裝電子器件和表層拼裝電子器件兼具的拼裝稱(chēng)之為混和拼裝,通稱(chēng)混放,所有選用表層拼裝電子器件的拼裝稱(chēng)之為全表層貼片。
頻率轉(zhuǎn)換:混合器可以將輸入信號(hào)的頻率轉(zhuǎn)換到不同的頻率。通過(guò)將輸入信號(hào)與本地振蕩器的信號(hào)進(jìn)行混合,混合器可以產(chǎn)生原始信號(hào)頻率的和與差頻率成分。
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一...
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-20 標(biāo)簽:電子器件模型Device Studio 2k 0
專(zhuān)用集成電路簡(jiǎn)稱(chēng)叫什么 集成電路按功能可分為哪兩種
專(zhuān)用集成電路的簡(jiǎn)稱(chēng)是ASIC,即Application Specific Integrated Circuit。 集成電路(Integrated Cir...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率電子器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,IGBT需要承受高電壓、大電流和高頻率的...
基于新型氮化MXene材料Mn?NO?的電子性質(zhì)和材料的熱電性質(zhì)
高磁阻器件在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和磁感應(yīng)電子設(shè)備中起著關(guān)鍵作用。在這種器件中,阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器以磁隧道結(jié)(MTJ)為代表,其中相對(duì)平行和反平行的自旋結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生兩...
2022-10-13 標(biāo)簽:熱電電子器件數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 2k 0
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊,在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...
電子元器件的高效散熱問(wèn)題,受到傳熱學(xué)以及流體力學(xué)的原理影響。電氣器件的散熱就是對(duì)電子設(shè)備運(yùn)行溫度進(jìn)行控制,進(jìn)而保障其工作的溫度性以及安全性,其主要涉及到...
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