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標(biāo)簽 > 電容充放電
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模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADCs)將一個模擬電壓信號轉(zhuǎn)換至一個二進制數(shù)字(一系列的1和0), 最終將其轉(zhuǎn)換至一個數(shù)值(十進制數(shù)),以用來在儀表,監(jiān)視器或者圖表...
2023-07-07 標(biāo)簽:比較器數(shù)字濾波器ADC轉(zhuǎn)換器 1.0萬 0
電容充放電過程中電壓的變化規(guī)律是一個非常重要的電子學(xué)課題,涉及到電容器的基本工作原理和特性。在這篇文章中,我們將詳細探討電容充放電過程中電壓的變化規(guī)律,...
法拉電容與超級電容類似,也是一種高電荷存儲能力強大的電子元件,充放電速度快、高功率密度、使用壽命長、運行穩(wěn)定。
介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時也稱為總柵極電荷??倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動態(tài)特性呢?
IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進行充放電來控制的,實際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對IGBT進行開通,再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關(guān)斷。
超級電容器也稱為電化學(xué)電容器,是一種能夠存儲和釋放能量的設(shè)備,它們在某些應(yīng)用中可以作為電池的替代品或補充使用。
電容充放電過程中的時間常數(shù)對電路有著重要影響。時間常數(shù)是指電容在充放電過程中所需要的時間,它取決于電容器本身的特性和外部電路的參數(shù)。在本文中,將詳細探討...
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