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標(biāo)簽 > 電荷
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在濾波電路中與負(fù)載并聯(lián)的元件是電容器。是的,電容器常用于濾波電路中與負(fù)載并聯(lián)的元件。為了詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地解釋這個(gè)問題,我們將從濾波電路的基本原理開始講...
Ti2AlN/TiAl復(fù)合材料界面優(yōu)化設(shè)計(jì)
TiAl合金是使用溫度600℃以上較理想的高溫輕質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,但低的室溫塑性限制了TiAl合金的廣泛應(yīng)用。
電容傳感器是一種利用電容器的電容值變化來測(cè)量各種物理量(如位移、角度、壓力、溫度等)的傳感器。它們通常由兩個(gè)導(dǎo)電板(電極)和一個(gè)介質(zhì)(通常是空氣或其他絕...
BLDC實(shí)戰(zhàn)項(xiàng)目之電磁學(xué),你跟上了嗎?
一、磁場(chǎng)的發(fā)現(xiàn)過程和一些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象在我們生活中,有男人、女人。白天,黑夜。道家講究陰陽2極。自然界中的磁體總是存在倆個(gè)磁極,一個(gè)N極一個(gè)S極。磁極之間的相...
靜電保護(hù)二極管(ESD,Electrostatic Discharge)是一種專門用來保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電損害的半導(dǎo)體器件。它們通常被集成在電路中,...
倍壓整流電路是一種利用電容器的儲(chǔ)能特性來提高直流電壓的電路,它通過將交流電壓的正負(fù)半周期分別存儲(chǔ)在電容器中,然后在合適的時(shí)刻將這些能量疊加起來,從而得到...
元器件在電路設(shè)計(jì)中的重要性是不言而喻的,它們構(gòu)成了電路的基本單元,并決定了電路的功能、性能以及可靠性。以下從幾個(gè)方面詳細(xì)闡述元器件在電路設(shè)計(jì)中的重要性:...
2024-10-29 標(biāo)簽:元器件電路設(shè)計(jì)電荷 1.3k 0
1、純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素,呈晶體結(jié)構(gòu),內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。 2、半導(dǎo)體有電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電兩種形式。 3、硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化...
答:電荷之間存在著相互作用力,同性電荷相互排斥,異性電荷相互吸引。
2023-06-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電荷并聯(lián)電阻 1.3k 0
面外變形對(duì)二維納米材料電子結(jié)構(gòu)的影響機(jī)制研究
本項(xiàng)目采用基于密度密度泛函理論的第一性原理計(jì)算,對(duì)石墨烯中的“零維”面外變形效應(yīng)進(jìn)行了深入探究。首先,通過對(duì)模型施加雙軸向壓縮獲得了一系列不同面形程度的...
微波檢測(cè)是一種利用微波技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行檢測(cè)的方法。它在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如材料科學(xué)、電子學(xué)、通信、生物醫(yī)學(xué)等。微波檢測(cè)的主要材料特性包括介電常數(shù)、磁...
最近,“行家說三代半”發(fā)現(xiàn),通用電氣研究所(GE Research)發(fā)布文獻(xiàn)稱,他們已經(jīng)制造出擊穿電壓為3.8kV 的SiC超結(jié)JBS器件,其導(dǎo)通電阻僅...
基于分子設(shè)計(jì)和烷基鏈工程展示無活細(xì)胞侵染性的抗菌診療材料
由于細(xì)菌多重耐藥性的不斷發(fā)展,抗菌治療逐漸進(jìn)入了后抗生素時(shí)代。為此而開發(fā)多樣化的新型精準(zhǔn)抗菌手段是應(yīng)對(duì)不斷進(jìn)化的致病菌威脅的一個(gè)重要手段。
2022-09-29 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)軟件電荷 1.2k 0
安森美半導(dǎo)體的 KAI-1020:這是一款行間傳輸器件,分辨率為 1000 × 1000 活動(dòng)像素??刂齐妷悍秶鸀?–9V 至 +15V。但是,應(yīng)用于芯...
2024-04-04 標(biāo)簽:芯片驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體 1.1k 0
基于可調(diào)柔性能量存儲(chǔ)裝置的新型感算集成系統(tǒng)
隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及智慧醫(yī)療等新型信息交互領(lǐng)域的發(fā)展,基于傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)以及工藝迭代帶來的算力提升越來越難以滿足數(shù)據(jù)處理及復(fù)雜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模...
2022-08-18 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體計(jì)算機(jī) 1.1k 0
本系列的上、下兩篇文章探討了防反保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。 上篇 介紹了各種脈沖干擾以及在汽車電子產(chǎn)品中設(shè)計(jì)防反保護(hù)電路的必要性,同時(shí)回顧了 PMOS 方案保護(hù)電...
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗
本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗,即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器電荷 1.1k 0
空間中心科研人員針對(duì)宇宙線高能粒子對(duì)空間引力波探測(cè)檢驗(yàn)質(zhì)量充電機(jī)理研究取得進(jìn)展
在中科院的TAIJI計(jì)劃和歐空局的LISA計(jì)劃中,需要探索銀河宇宙線和太陽宇宙線對(duì)檢驗(yàn)質(zhì)量的充電機(jī)制與變化規(guī)律,研究結(jié)果將為空間引力波探測(cè)計(jì)劃加速度噪聲...
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