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碳化硅二極管

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碳化硅二極管技術(shù)

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8萬 0

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些...

2023-02-21 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅二極管 2846 0

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末...

2023-02-21 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 2491 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶 771 0

基本半導(dǎo)體SMBF封裝碳化硅二極管你了解多少

自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1035 0

如何有效地檢測Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非?？焖俚幕謴?fù)時間，這可提高開關(guān)速率，并減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

2021-01-06 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2795 0

大功率碳化硅二極管有哪些應(yīng)用

長期以來，在制造半導(dǎo)體器件的材料中，硅（Si）材料一直居于統(tǒng)治地位。隨著電子科技的不斷發(fā)展和進步，半導(dǎo)體器件的性能也需要不斷提高，硅基器件的性能開始逐漸...

2020-10-02 標(biāo)簽：大功率碳化硅二極管 3761 0

碳化硅二極管帖子

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碳化硅二極管資訊

SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。

2023-12-11 標(biāo)簽：電源超結(jié)器件 PFC電源 824 0

國芯思辰｜圍繞基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02120K設(shè)計的太陽能逆變器，功耗僅77W，可替代科銳C4D02120A

太陽能發(fā)電系統(tǒng)由太陽能電池組、太陽能控制器、蓄電池（組）、逆變器組成。逆變器能夠?qū)⑻柲馨l(fā)電系統(tǒng)輸出直流電源轉(zhuǎn)換為交流220V或110V。首先，光伏陣列...

2022-08-03 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體碳化硅二極管 905 0

解析！碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢及應(yīng)用

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

2021-06-18 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅二極管 1760 0

SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢壘二極管常用規(guī)格介紹

SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D060...

2023-02-21 標(biāo)簽：碳化硅半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 3279 0

國外碳化硅大廠：產(chǎn)能瘋狂擴張、豐富的產(chǎn)品組合

國外碳化硅大廠：產(chǎn)能瘋狂擴張、豐富的產(chǎn)品組合 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料，憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率...

2021-11-11 標(biāo)簽：Infineon ROHM公司 Wolfspeed 4600 0

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品

工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件。

2021-11-05 標(biāo)簽：碳化硅 Nexperia 車載充電器 911 0

森國科推出多款快充PFC電路專用碳化硅二極管（SiC JBS）

森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A...

2021-03-10 標(biāo)簽：PFC 碳化硅二極管森國科 2939 0

森國科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管（SiC JBS）

微基站內(nèi)部電源系統(tǒng)系統(tǒng)中對交流接觸器的選用、斷路器熔斷器及空氣開關(guān)的選用、保護電路的設(shè)計、交流電量檢測電路的設(shè)計、防雷及抗涌措施的選擇等要符合規(guī)范。

2021-03-10 標(biāo)簽：視頻監(jiān)控 5G 基站電源 1512 0

國產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（簡稱“國創(chuàng)中心”）邀請基本半導(dǎo)體等13家國內(nèi)整車和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實地開展“中國車規(guī)半導(dǎo)體首批測試驗證項目吐魯番高溫試驗”...

2019-08-20 標(biāo)簽：芯片碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 2026 0

碳化硅二極管-碳化硅二極管應(yīng)用及產(chǎn)品優(yōu)勢

2018-11-20 標(biāo)簽：碳化硅半導(dǎo)體碳化硅二極管 1681 0

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因為這是從“Tesla”這個英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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電路過電流過電壓保護是為防止主回路短路或直流牽引電動機發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機、主整流柜等電氣設(shè)備，機車在牽引、電阻制動或自負(fù)載工況下，對主電路的過電流和過電壓均進行保護。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時，經(jīng)過零位時，系統(tǒng)作出的檢測?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動某一負(fù)載（例如揚聲器）的放大器。
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