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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

天津大學團隊開創(chuàng)石墨烯半導體新紀元

石墨烯作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應、高載流子遷移率、高熱導率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標簽：電子元件石墨烯碳化硅 923 0

什么是800V高壓架構？800V高壓架構的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么？它到底為何能成為車企技術中的“香餑餑”？400V和800V的電動車在用車體驗上...

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關鍵所在。

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 氮化鎵 720 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢應及發(fā)展趨勢

隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€領域展現(xiàn)出...

2024-01-06 標簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1.3k 0

這幾張關于碳化硅的圖值得研究

在新能源汽車方面的應用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎設施方面的應用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。

2024-01-04 標簽：新能源汽車逆變器斷路器 542 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標簽：MOSFET 光伏晶體管 4.3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應用以及未來發(fā)展趨勢介紹

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。

2024-01-03 標簽：逆變器電機驅(qū)動功率器件 1.9k 0

?碳化硅助力實現(xiàn)PFC技術的變革

碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應用于服務器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應用的增長，也...

2024-01-02 標簽：IGBT 晶體管 PFC 2k 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應用領域

在當今快速發(fā)展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導體 1.4k 0

如何實現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設計呢？

第三代功率半導體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標簽：電動汽車逆變器散熱器 2.9k 0

小米汽車發(fā)布會：自研小米800V碳化硅高壓平臺

小米自研小米800V碳化硅高壓平臺：871V

2023-12-28 標簽：碳化硅小米汽車 800V平臺 1.1k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應用及發(fā)展

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等，在功率器件領域展...

2023-12-28 標簽：半導體功率器件 SiC 955 0

碳化硅器件封裝技術解析

碳化硅（ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標簽：電力系統(tǒng)封裝技術 SiC 4.1k 0

探討蔚來全域900V高壓架構的技術儲備

新一代900V高性能電驅(qū)平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺，雙電機冗余設計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下...

2023-12-26 標簽：永磁同步電機 DC-DC 碳化硅 1.8k 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術在各種領域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應用范圍不斷擴大。在這一領域，碳化硅...

2023-12-26 標簽：半導體功率器件 SiC 1k 0

探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關鍵技術和優(yōu)勢

隨著信息技術的快速發(fā)展和對高效能電子器件的需求不斷增長，傳統(tǒng)硅材料在面對一些特殊應用場景時已經(jīng)顯示出其局限性。

2023-12-25 標簽：傳感器無線通信漏電流 2.3k 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工...

2023-12-22 標簽：半導體功率器件 SiC 4.9k 0

?第三代半導體之碳化硅行業(yè)分析報告

半導體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

2023-12-21 標簽：晶體管功率器件氮化鎵 4.2k 0

IGBT工作時序及門極驅(qū)動計算方法

本篇文章簡單介紹IGBT工作時序及門極驅(qū)動計算方法，引入大電流驅(qū)動IC以及門極保護TVS，同時羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動電壓，借此介紹非...

2023-12-21 標簽：MOSFET TVS IGBT 4.4k 0

碳化硅功率器件的基本原理、應用領域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導...

2023-12-21 標簽：半導體功率器件 SiC 1.5k 0

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