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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiC 碳化硅功率電子 4.2萬(wàn) 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料 SiC 2.9萬(wàn) 0

SiC的電力電子器件的主要優(yōu)勢(shì)

? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車到電動(dòng)汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到45年，電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷...

2023-09-18 標(biāo)簽：電流逆變器電力電子器件 2.8萬(wàn) 0

硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的主要區(qū)別

? 在功率轉(zhuǎn)換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，并需要通過(guò)昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來(lái)去除。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的...

2024-06-13 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器軟開(kāi)關(guān)碳化硅 2.4萬(wàn) 0

一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動(dòng)力汽車中的作用

歐盟制定了一個(gè)雄心勃勃的目標(biāo)，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，汽車行業(yè)的貢獻(xiàn)將非常重要。美國(guó)企業(yè)平均燃油經(jīng)濟(jì)性（CAF...

2018-03-25 標(biāo)簽：混合動(dòng)力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬(wàn) 0

詳解碳化硅材料的作用和發(fā)展

金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，...

2018-01-03 標(biāo)簽：逆變器單晶硅碳化硅 2.1萬(wàn) 0

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..

2020-09-07 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅氮化鎵晶體管 2.0萬(wàn) 0

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對(duì)比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8萬(wàn) 0

碳化硅用途主要有哪些方面

碳化硅的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而現(xiàn)在科技市場(chǎng)的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說(shuō)是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.6萬(wàn) 0

碳化硅材料的特點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。

2020-10-02 標(biāo)簽：硅材料碳化硅 1.4萬(wàn) 0

淺談氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

幾十年來(lái)，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開(kāi)發(fā)出來(lái)，提供獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，有了化合物半...

2022-04-01 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 1.4萬(wàn) 0

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤點(diǎn)

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅賀利氏 1.3萬(wàn) 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 1.3萬(wàn) 0

駐波效應(yīng)是什么？如何產(chǎn)生的？有什么危害？如何抑制駐波效應(yīng)？

駐波效應(yīng)，在先進(jìn)光刻制程中一個(gè)不可忽視的現(xiàn)象，能引發(fā)一系列的光刻質(zhì)量問(wèn)題，以至于嚴(yán)重影響著圖案的精度。

2023-10-13 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.1萬(wàn) 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬(wàn) 0

化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝功率器件 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵和碳化硅的對(duì)比

氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅微電子器件 1.1萬(wàn) 0

碳和硅都這么優(yōu)秀了，可是怎么還出了一個(gè)碳化硅（SiC）？

你可能沒(méi)見(jiàn)過(guò)莫桑石，但你一定聽(tīng)說(shuō)過(guò)金剛砂，這個(gè)類似“金剛石”的名稱已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見(jiàn)的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...

2019-03-28 標(biāo)簽：電阻 SiC 碳化硅 1.0萬(wàn) 0

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶...

2021-06-15 標(biāo)簽：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1.0萬(wàn) 0

碳化硅材料及其特性和加工工藝研究

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域，半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)主要由四個(gè)基本部分組成：集成電路、光電器件...

2018-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 9929 0

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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