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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

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半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4455 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

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首先,是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標(biāo)簽:芯片MOSFET晶圓 2274 0

碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些?

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SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1478 0

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-08-04 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體晶體管 1677 0

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?

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碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-03 標(biāo)簽:振蕩器電磁干擾BGA封裝 649 0

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?

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碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體SiC 623 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

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在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫...

2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 1913 0

光伏發(fā)電中功率器件的應(yīng)用分析

碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢,有助...

2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFET光伏光伏發(fā)電 746 0

碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

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芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。

2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1648 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

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氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...

2023-08-01 標(biāo)簽:電源整流器德州儀器 2622 0

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢?

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面

2023-07-30 標(biāo)簽:新能源汽車電機(jī)控制器功率器件 1930 0

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...

2023-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3302 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下,SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標(biāo)簽:二極管emiSiC 818 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)

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比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。

2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 5361 0

全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對我國有何啟示

寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場強(qiáng)、高的電子飽和速度和強(qiáng)的抗輻射等特性,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下,近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

2023-07-24 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET變頻器 1114 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

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2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 8146 0

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場景

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2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SiC 1661 0

碳化硅功率器件可靠性測試方法詳解

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可靠性,是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力,是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo),如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能,則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFET功率器件可靠性測試 1660 0

森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

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繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...

2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETMOS體二極管 1771 1

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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