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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅多芯片模塊現(xiàn)狀分析

現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率，同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求，適用于廣泛的領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種...

2023-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)SiC 736 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA 功率器件 1.4k 0

關(guān)于對(duì)碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過(guò)切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來(lái)加工和結(jié)晶。因此...

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 硅晶圓 515 0

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(S...

2023-09-22 標(biāo)簽：二極管 IGBT 分立器件 884 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ)，通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 487 0

車載充電機(jī)在新能源汽車拆解應(yīng)用分析

車載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動(dòng)車內(nèi)的零部件，它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電，給整車高壓動(dòng)力電池充電。

2023-09-21 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2.8k 0

碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展

無(wú)論是 1 級(jí)還是 2 級(jí)充電器，都是為電動(dòng)汽車提供交流電，因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來(lái)為電池充電的關(guān)鍵。目前，市面部署的大多數(shù)充電器都是...

2023-09-20 標(biāo)簽：混合動(dòng)力汽車電力系統(tǒng)碳化硅 726 0

碳化硅在電動(dòng)汽車的應(yīng)用

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車到電動(dòng)汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到45年，電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...

2023-09-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 IGBT 晶體管 1k 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 2.6k 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的八大誤區(qū)

太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)：為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本，太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加，從600V增加到1,500V。

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET 光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 591 0

碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用前景

碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，其能使系統(tǒng)效率更高，質(zhì)量更輕，結(jié)構(gòu)更緊湊。如今，碳化硅技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)助...

2023-09-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 肖特基二極管 1k 0

SiC的電力電子器件的主要優(yōu)勢(shì)

? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車到電動(dòng)汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到45年，電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷...

2023-09-18 標(biāo)簽：電流逆變器電力電子器件 4.3萬(wàn) 0

納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式

電網(wǎng)通過(guò)輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國(guó)，由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)有限，利用電力儲(chǔ)存來(lái)支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器碳化硅 1.5k 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...

2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.3k 0

緯湃科技開發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊，將采用傳遞模塑工藝制造

據(jù)悉，該功率模塊由三個(gè)包覆成型的半橋組成，構(gòu)成逆變器系統(tǒng)的核心，控制高壓電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)能量和能量回收。

2023-09-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電子元件逆變器 730 0

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...

2023-09-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 5.1k 0

碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用介紹

與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)

2023-09-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 IGBT 晶體管 1.3k 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 寄生電容 1.4k 0

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 743 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET 元器件導(dǎo)通電阻 4.7k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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