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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4455 0
碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些?
SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...
寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫...
2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 1913 0
碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢,有助...
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1648 0
高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢?
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面
碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用
碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...
瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)
比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 5361 0
全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對我國有何啟示
寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場強(qiáng)、高的電子飽和速度和強(qiáng)的抗輻射等特性,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下,近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。
瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 8146 0
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下...
可靠性,是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力,是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo),如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能,則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...
森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...
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