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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

借助SpeedFit設(shè)計仿真軟件縮短比較分析的時間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 770 0

超共源共柵簡史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 459 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計模擬器快速啟動基于碳化硅的設(shè)計

了解電源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項相對較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 碳化硅 1987 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無底板封裝的碳化硅技術(shù)實現(xiàn)系統(tǒng)升級

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實現(xiàn)當(dāng)前硅（Si）設(shè)計的...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1118 0

有效測量碳化硅信號

SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用（電動汽車充電，太陽能和風(fēng)能等能量收集，電源逆變器，工業(yè)電源，數(shù)據(jù)中心）。在低端（1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 標(biāo)簽：晶體管 SiC 碳化硅 1179 0

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場合”

經(jīng)過 30 多年的碳化硅（SiC）研發(fā)，我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊，涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅（S...

2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 1698 0

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動器更高功率密度

牽引驅(qū)動器是電動汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續(xù)航能力。

2023-05-19 標(biāo)簽：電動汽車驅(qū)動器 IGBT 1385 0

SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 SiC 半導(dǎo)體器件 911 0

碳化硅將綠色替代品帶入良性循環(huán)

太陽能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面，微型逆變器支持1-4個面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...

2023-05-19 標(biāo)簽：太陽能逆變器碳化硅 1010 0

企業(yè)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中碳化硅的使用使氣候和商業(yè)受益

碳化硅是一種復(fù)雜的材料，需要太陽溫度一半的受控環(huán)境和高度專業(yè)化的晶體結(jié)構(gòu)。它是人類已知的第二硬材料，在200+種可能的晶體形成中，只有一種可以用來制造半...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 634 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅（SiC）長期以來一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù)，通過設(shè)計和制造創(chuàng)新，通過提供更高的功率密度，更好的高速開關(guān)性能，更高的擊穿場，更高的導(dǎo)熱性，...

2023-05-19 標(biāo)簽：電動汽車晶圓碳化硅 1647 0

除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...

2023-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 936 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 SiC 7234 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽：纖維 SiC 復(fù)合材料 4072 0

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電...

2023-05-18 標(biāo)簽：電源模塊肖特基二極管充電樁 660 0

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...

2023-05-18 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 512 0

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-18 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 晶體管 447 0

SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻單晶 3294 0

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光晶圓 2646 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離，優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強(qiáng)，使用壽命長，傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽：光耦功率器件碳化硅 833 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項目。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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