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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應用的需要

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半導體材料知識介紹

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森國科推出最小封裝碳化硅二極管具備高浪涌電流和雪崩能力

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2023-07-13 標簽：二極管 pcb 電解電容 929 0

碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽能逆變器

隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高，光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件，碳化硅功率器件能帶來更高的轉換效率和更低的能量損耗，從...

2023-07-13 標簽：MOSFET 太陽能逆變器 986 0

淺析電動汽車傳動優(yōu)化流程

盡管目前純電動汽車 (BEVs) 在整個市場中所占的份額相對較小[1]，但預計在未來 5 至 10 年內，純電動汽車 (BEVs) 將開始取代傳統(tǒng)動力系...

2023-07-12 標簽：電動汽車變頻器變速器 864 0

深入了解Soitec的SmartSiC技術

在電動汽車的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統(tǒng)的硅基逆變器時，SiC 解決方案將帶來約 5-10% 的效率提升。

2023-07-11 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 7.9k 0

利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉換...

2023-07-23 標簽：mcu 數(shù)字電源 GaN 1k 0

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.9萬 0

SiC MOSFET的重要注意事項

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-07-11 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 986 0

TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討

去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，對于揭示碳化硅器件規(guī)格書遠遠不能提供的碳化硅器件特性。

2023-07-11 標簽：半導體器件碳化硅 TechInsights 1.6k 0

SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢

全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

2023-07-06 標簽：德州儀器能源碳化硅 1k 0

碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

2023-07-10 標簽：IGBT SiC 碳化硅 602 0

中科院8英寸SiC導電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。

2023-07-05 標簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導體 589 0

新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

森國科碳化硅MOS第三代功率半導體新能源汽車系統(tǒng)架構中涉及到功率半導體應用的組件包括：電機驅動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉換系統(tǒng)（車載?DC/...

2023-07-03 標簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 966 0

雜散電感對碳化硅功率器件動態(tài)測試的影響

電感是導體的一種特性，會阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會消耗電能，而是以磁場/電磁感應的方式存儲釋放能量，以達到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標簽：功率器件動態(tài)測試碳化硅 1.9k 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 1.1k 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術

SiC作為第三代半導體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

2023-06-28 標簽：封裝功率器件 SiC 1.4k 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 4.9k 0

碳化硅在新能源車中的主要應用

新能源汽車的加速性能與動力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關，碳化硅（SiC）技術允許驅動電機在低轉速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導致的熱效應和...

2023-06-27 標簽：新能源汽車驅動器 SiC 3.1k 0

陶瓷基板制備工藝研究進展

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2023-06-27 標簽：pcb 印制電路板功率器件 1.4k 0

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