SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，...

2023-04-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 2.9k 0

五大陶瓷基板材料特性及應(yīng)用大全

BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高，BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導(dǎo)率（熱導(dǎo)系數(shù)）可達(dá)310W/(m·K)，為同等純...

2023-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 6.1k 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性。可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器MOSFETIGBT 6.4k 0

碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些

未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標(biāo)簽：MOSFET電感器IGBT 2.7k 0

安森美碳化硅芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)展及技術(shù)分析

減小了電場(chǎng)集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個(gè)開(kāi)關(guān)單元有關(guān)，同時(shí)和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

2023-04-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1.6k 0

碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究

碳化硅功率器件依托其開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用，然而，其過(guò)快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度及過(guò)大的開(kāi)關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來(lái)了嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。通過(guò)采用理...

2023-04-07 標(biāo)簽：電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 2.3k 0

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些？

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。

2023-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT電機(jī)控制器 1.1k 0

用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊，并與晶圓上的電路進(jìn)行物...

2023-04-04 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體制造 1.8k 0

碳化硅MOSFET在汽車動(dòng)力逆變器中的優(yōu)勢(shì)有哪些呢？

新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展，也隨之而來(lái)的是取得的成果。公司不斷嘗試開(kāi)發(fā)越來(lái)越多的性能設(shè)備，特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。

2023-04-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 3k 0

銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 4.2k 0

國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

在車載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。

2023-03-31 標(biāo)簽：MOSFET光伏逆變器碳化硅 910 0

特斯拉的三電核心技術(shù)技術(shù)分析

特斯拉車型采用CTC技術(shù)后，續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時(shí)電池生產(chǎn)成本和資本投入也實(shí)現(xiàn)有效降低。

2023-03-31 標(biāo)簽：動(dòng)力電池逆變器特斯拉 4k 0

用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.7k 0

SiC MOSFET為何替代不了IGBT？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...

2023-03-30 標(biāo)簽：IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2.5k 0

新能源電驅(qū)動(dòng)核心的技術(shù)有哪些？

另外相比IGBT，碳化硅更耐高壓的優(yōu)勢(shì)（千伏以上），更適用于后續(xù)更多新能源車型將要搭載的800v電氣架構(gòu)，不止用在主逆變器上，還可以應(yīng)用到高壓充電樁、高...

2023-03-30 標(biāo)簽：電機(jī)控制減速器碳化硅 999 0

有趣的材料—無(wú)處不在的碳化硅

電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...

2023-03-24 標(biāo)簽：電子器件SiC碳化硅 1.9k 0

未來(lái)的重點(diǎn)方向：Sic和IGBT

IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來(lái)新能源汽車智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來(lái)看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...

2023-03-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管碳化硅 1.2k 0

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。

2023-03-23 標(biāo)簽：晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.4k 0