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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2529個(gè) 瀏覽：50431次 帖子：38個(gè)

      碳化硅資訊

      SiC功率元件迎來(lái)快速發(fā)展期

      國(guó)內(nèi)的晟光硅研（Lasic）成立于2021年2月，是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項(xiàng)目，技術(shù)團(tuán)隊(duì)包括來(lái)自西安電子科技大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...

      2022-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2286 0

      瑞能新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更快的充電速度

      2022年9月6日-7日，瑞能半導(dǎo)體首席執(zhí)行官M(fèi)arkus Mosen先生將出席第九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱：CISES）。此番，Markus...

      2022-08-23 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1116 0

      碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

      主動(dòng)PFC是服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)(SSI)一致性的要求：供電模塊應(yīng)該采用帶主動(dòng)功率因數(shù)校正的通用電源輸入，從而可以減少諧波，符合EN61000-3-2和JEI...

      2022-08-23 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 1020 0

      碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料，引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新

      SiC MOSFET 較 IGBT 可同時(shí)具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢(shì)。1）碳化硅擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

      2022-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 4115 0

      以產(chǎn)業(yè)論：中國(guó)靠第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)換道超車了嗎？能否突破美國(guó)“枷鎖”？

      ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，中國(guó)香港媒體的一篇報(bào)道引起了廣泛關(guān)注，文章的原標(biāo)題是《中國(guó)三代芯片換道超車，超越美國(guó)四方聯(lián)盟圍堵》。文章中有幾句...

      2022-08-22 標(biāo)簽：碳化硅第三代半導(dǎo)體 3407 0

      瑞森碳化硅功率器件，國(guó)產(chǎn)替代的助推器

      瑞森碳化硅功率器件，國(guó)產(chǎn)替代的助推器

      瑞森第三代碳化硅MOS 助力雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器高效率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)高達(dá)97%的能源效率

      2022-08-15 標(biāo)簽：功率器件碳化硅半導(dǎo)體企業(yè) 1477 0

      博世碳化硅助力汽車電動(dòng)化發(fā)展

      近日，博世出席多個(gè)業(yè)內(nèi)技術(shù)研討會(huì)，圍繞碳化硅產(chǎn)品和IP模塊發(fā)表技術(shù)演講，以“創(chuàng)新”為導(dǎo)向，首次公布第二代碳化硅產(chǎn)品信息及IP模塊最新解決方案。

      2022-08-12 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅博世 1557 0

      關(guān)于集成光子應(yīng)用的綜述文章

      SiC在集成光量子芯片上研究也取得了重要進(jìn)展。SiC中的固態(tài)自旋色心光源具有優(yōu)異的自旋性質(zhì)，近期，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)許金時(shí)團(tuán)隊(duì)利用離子注入制備的PL6色心...

      2022-08-12 標(biāo)簽：集成電路晶圓碳化硅 1941 0

      碳化硅為電力電子技術(shù)帶來(lái)了重大改進(jìn)

      寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 半導(dǎo)體材料顯示出優(yōu)異的性能...

      2022-08-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子技術(shù)碳化硅 674 0

      有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

      有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

      以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí)，包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

      2022-08-17 標(biāo)簽：MOSFET電力SiC 2354 0

      碳化硅助力電動(dòng)汽車應(yīng)用

      碳化硅助力電動(dòng)汽車應(yīng)用

      關(guān)于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。

      2022-08-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器碳化硅 988 0

      碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

      碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

      碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

      2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅sic器件 2297 0

      寬帶材料支持下一代電源策略

      寬帶材料支持下一代電源策略

      在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...

      2022-08-09 標(biāo)簽：電源氮化鎵碳化硅 506 0

      碳化硅MOSFET為電力系統(tǒng)帶來(lái)顛覆性突破

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      電力電子行業(yè)在 80 年代初期向前邁出了一大步，當(dāng)時(shí)絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 技術(shù)的引入使創(chuàng)新型電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)成為可能，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高...

      2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 1163 0

      使用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用的能效

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      服務(wù)器電源、不間斷電源 (UPS) 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用消耗了全球很大一部分電力。因此，工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營(yíng)成本。結(jié)合更高的功...

      2022-08-08 標(biāo)簽：SiC碳化硅 533 0

      碳化硅瞄準(zhǔn)新型電力電子產(chǎn)業(yè)

      碳化硅瞄準(zhǔn)新型電力電子產(chǎn)業(yè)

      碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計(jì)提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持...

      2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子SiC碳化硅 535 0

      數(shù)據(jù)中心用碳化硅半導(dǎo)體

      數(shù)據(jù)中心用碳化硅半導(dǎo)體

      在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的要求的推動(dòng)下，不間斷電源 (UPS) 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年顯著增長(zhǎng)。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更加數(shù)字化的...

      2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心SiC 1070 0

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      直接比較為半導(dǎo)體技術(shù)提供的總體性能數(shù)據(jù)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)。在溫度等動(dòng)態(tài)條件下，Rds(on) 等參數(shù)的可變性表明情況更為復(fù)雜。

      2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅RDS 2882 0

      碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

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      經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...

      2022-08-08 標(biāo)簽：氮化鎵GaN碳化硅 2.0萬(wàn) 0

      碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

      碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

      碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...

      2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子GaN碳化硅 2437 0

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        PFM
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