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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍圖

超高壓與高頻化：國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商（比如BASiC基本股份）研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET，適配海上風(fēng)電、軌道交通需求；突破MHz...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 272 0

碳化硅MOSFET相對IGBT為什么可以壓榨更多應(yīng)用潛力？

碳化硅（SiC）MOSFET相較于傳統(tǒng)IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新，具體體現(xiàn)在高頻高效、高溫耐受、低損耗設(shè)計以及系統(tǒng)...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 391 0

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進展與關(guān)鍵技術(shù)方向。

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 421 0

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件功率半導(dǎo)體 479 0

碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯

碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯:低價SiC器件的“致命性”在于性價比的絕對碾壓

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 444 0

為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案

BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H（即車輛到家庭）使用智能電動汽車充電和雙向（雙向）...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1011 0

為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案

BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...

2025-02-06 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 444 0

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目啟動,預(yù)計今年一季度封頂

據(jù)廈門日報的最新報道，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于1月21日取得了重要進展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上，鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝，標(biāo)志...

2025-01-24 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 838 0

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、...

2025-01-24 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 754 0

碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 ...

2025-01-24 標(biāo)簽：碳化硅熱導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 872 0

碳化硅在光電器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進步，光電器件在通信、能源、醫(yī)療和國防等領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，因其出色的電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性...

2025-01-24 標(biāo)簽：光電器件半導(dǎo)體材料碳化硅 495 0

碳化硅熱導(dǎo)性能如何

碳化硅（SiC）是一種共價鍵結(jié)合的陶瓷材料，以其高硬度、高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性和良好的電絕緣性能而聞名。這些特性使得SiC成為高溫應(yīng)用和電子器件的理想材...

2025-01-23 標(biāo)簽：絕緣性能碳化硅熱導(dǎo)性 690 0

碳化硅的生產(chǎn)工藝解析

1. 碳化硅的合成方法碳化硅的合成方法主要有以下幾種：直接合成法：通過在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。化學(xué)氣相沉積（CVD）：利用氣體反應(yīng)...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 1563 0

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅（Si）作為最常用的半導(dǎo)體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷...

2025-01-23 標(biāo)簽：集成電路硅材料碳化硅 817 0

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件，SiC的應(yīng)用范圍廣泛，其獨特的...

2025-01-23 標(biāo)簽：太陽能電池電子器件電導(dǎo)性 924 0

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢： ...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體變換器充電樁 882 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 603 0

SiC產(chǎn)業(yè)融資熱潮持續(xù),五家企業(yè)近期成功獲資

近期，全球及國內(nèi)的碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)迎來了融資加速期，又有五家企業(yè)成功獲得融資，進一步推動了SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　瞻芯電子在1月21日宣布完成...

2025-01-23 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 458 0

碳化硅在電磁爐中有什么優(yōu)勢

碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，能使電磁爐的加熱元件快速升溫，將電能更高效地轉(zhuǎn)化為熱能，從而減少熱量散失和能量浪費，提高電磁爐的加熱效率。

2025-01-23 標(biāo)簽：電磁爐碳化硅 492 0

革新電源體驗！基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊強勢來襲

隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實現(xiàn)更高效率、更低損耗？答案是碳化硅（SiC）。作為...

2025-01-21 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器光伏 344 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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