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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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“融合創(chuàng)新 ‘芯’引未來” 三安集成首次亮相慕尼黑電子展
三安集成是化合物半導(dǎo)體研發(fā)、制造和服務(wù)專業(yè)平臺,通過產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合,掌握化合物半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn):設(shè)計(jì)、材料、制程和檢測。
2020-07-06 標(biāo)簽:新能源汽車肖特基二極管功率半導(dǎo)體 711 0
華潤微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件
2020年7月4日 華潤微電子(CR MICRO)正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列,與此同時(shí)宣布國內(nèi)首條6...
苦難與輝煌 集成電路國產(chǎn)化之路(下)(SWOT分析法)
國產(chǎn)替代是個(gè)好機(jī)會。危機(jī)是資金投入特別大回報(bào)周期非常長,是集成電路行業(yè)最大的特點(diǎn),可以堅(jiān)持到最后企業(yè)就少了。
產(chǎn)能翻番,安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”?
同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域,而碳化硅(SiC)則主要用在650V以上的高壓...
2020-06-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3.5k 0
硅(Si)與碳處于周期表中的同一列,所以二者化學(xué)性質(zhì)也相似。硅在自然界中主要以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在,儲量豐富,地殼中的含量僅次于氧,排名第二。提取...
2020-06-24 標(biāo)簽:光纖半導(dǎo)體材料碳化硅 1.3萬 0
國產(chǎn)碳化硅最新進(jìn)展,功率IDM龍頭低調(diào)入場!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)碳化硅SiC是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電...
2020-06-18 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體華潤微電子碳化硅 1.6萬 0
建設(shè)半導(dǎo)體生產(chǎn)制造及封裝基地項(xiàng)目,這個(gè)項(xiàng)目簽約鄭州
近日,鄭州航空港實(shí)驗(yàn)區(qū)管委會、中國航天科技集團(tuán)第九研究院第七七一研究所、達(dá)維多企業(yè)管理有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。
安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 (SiC) MOSFET,它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。...
2020-06-15 標(biāo)簽:太陽能安森美半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0
中國電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)4英寸晶片量產(chǎn)
據(jù)中央紀(jì)委國家監(jiān)委網(wǎng)報(bào)道,目前,中國電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn),6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗(yàn)證,預(yù)計(jì)年底...
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體被雷諾 - 日產(chǎn) - 三菱聯(lián)盟指定為高能效碳化硅(SiC)技術(shù)合作伙伴,為聯(lián)盟即將推出的新一代電動(dòng)...
為何一個(gè)小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%?
任何電子產(chǎn)品都離不開電源,隨著各個(gè)國家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識的增強(qiáng),對電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱?,減少...
2020-05-02 標(biāo)簽:英飛凌數(shù)據(jù)中心SiC 1.7萬 0
年產(chǎn)11萬的國宏中能碳化硅襯底片項(xiàng)目將完成設(shè)備安裝
據(jù)大眾網(wǎng)報(bào)道,山東國宏中能年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底片項(xiàng)目將于7月底完成一期建筑工程,9月份完成設(shè)備安裝,10月份進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段。
2020-04-17 標(biāo)簽:碳化硅 2.6k 0
露笑科技募資不超過10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開發(fā)能力
4月12日,露笑科技股份有限公司(以下簡稱“露笑科技”)發(fā)布2020年度非公開發(fā)行股票預(yù)案。
深圳基本半導(dǎo)體碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管專利
深圳基本半導(dǎo)體的該項(xiàng)專利技術(shù)可以使得器件芯片區(qū)的面積利用率更高,獲得更大的面積因子,從而提高器件的正向電流密度,并且沒有對器件中其他電學(xué)特性造成影響。
新型工藝研究,將3D打印結(jié)合碳化硅結(jié)構(gòu)應(yīng)用
碳化硅(SiC)具有良好的抗熱震性和化學(xué)穩(wěn)定性,因此在高溫和極端條件下具有良好的應(yīng)用前景,在工程陶瓷領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,如軸承、燃?xì)廨啓C(jī)和以及換熱器等。...
目前全球 95% 以上的半導(dǎo)體元件,都是以第一代半導(dǎo)體材料硅作為基礎(chǔ)功能材料,主要應(yīng)用在資訊與微電子產(chǎn)業(yè),不過,隨著電動(dòng)車、5G 等新應(yīng)用興起,推升高頻...
安森美提供的高質(zhì)量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),宣布執(zhí)行一項(xiàng)...
Microchip擴(kuò)展碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品,助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率、尺寸和可靠性
基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關(guān)效率、減少溫升和縮小系統(tǒng)尺寸。
中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷
據(jù)青島日報(bào)報(bào)道,中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示,將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖,以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn),確保本年9月份竣工投產(chǎn)。
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