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標(biāo)簽 > 碳化硅MOSFET
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SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹
我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末...
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-04 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制 1217 0
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 271 0
瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
做賊心虛:部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商“避談柵氧可靠性”的本質(zhì)
部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商“避談柵氧可靠性”的本質(zhì):電性能的顯性參數(shù)與柵氧可靠性的隱性質(zhì)量的矛盾 部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商鉆的空子正是大部分下...
2025-04-27 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET 84 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亟需通過315打假曝光技術(shù)參數(shù)障眼法等亂象
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的技術(shù)參數(shù)障眼法與可靠性缺失問題已引發(fā)廣泛關(guān)注,結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與315打假的公共監(jiān)督作用,深度分析如下: 一、國產(chǎn)碳化硅MOSF...
2025-03-16 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET 216 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET良幣劣幣亂同時并存反映了行業(yè)發(fā)展陣痛期
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)中“良幣”與“劣幣”現(xiàn)象的并存,深刻反映了中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)追趕、資本過熱和政策滯后等多重矛盾下的階段性陣痛。以BAS...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相
國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長期損害終端客戶利益和...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET通過技術(shù)優(yōu)勢推動GB20943-2025能效新標(biāo)準(zhǔn)的實現(xiàn)
GB20943-2025標(biāo)準(zhǔn)的核心更新內(nèi)容,基于GB20943-2025能效標(biāo)準(zhǔn)的國產(chǎn)SiC MOSFET技術(shù)優(yōu)勢分析以及產(chǎn)生的功率半導(dǎo)體行業(yè)變革: G...
2025-03-03 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET 309 0
經(jīng)濟(jì)晚報:第九屆“創(chuàng)客中國”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯獲一等獎
8月1日,由上饒市工信局、市財政局、市促進(jìn)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室聯(lián)合主辦的第九屆“創(chuàng)客中國”上饒市中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽精彩開賽,來自全市工業(yè)領(lǐng)域...
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