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標(biāo)簽 > 碳化硅mosfet
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瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長(zhǎng)期損害終端客戶利益和...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亟需通過(guò)315打假曝光技術(shù)參數(shù)障眼法等亂象
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的技術(shù)參數(shù)障眼法與可靠性缺失問(wèn)題已引發(fā)廣泛關(guān)注,結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與315打假的公共監(jiān)督作用,深度分析如下: 一、國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSF...
2025-03-16 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET 299 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET良幣劣幣亂同時(shí)并存反映了行業(yè)發(fā)展陣痛期
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)中“良幣”與“劣幣”現(xiàn)象的并存,深刻反映了中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)追趕、資本過(guò)熱和政策滯后等多重矛盾下的階段性陣痛。以BAS...
做賊心虛:部分國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商“避談柵氧可靠性”的本質(zhì)
部分國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商“避談柵氧可靠性”的本質(zhì):電性能的顯性參數(shù)與柵氧可靠性的隱性質(zhì)量的矛盾 部分國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商鉆的空子正是大部分下...
2025-04-27 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET 222 0
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