反激式電源中MOSFET的鉗位電路詳解

輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

2024-04-23 標(biāo)簽：變壓器反激式電源MOSFET 2.4萬(wàn) 0

模擬開(kāi)關(guān)的作用、模擬開(kāi)關(guān)的選擇方法

模擬開(kāi)關(guān)由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見(jiàn)的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最...

2024-03-05 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開(kāi)關(guān)等效電容 4391 0

基于XL4016降壓電路減小輸出紋波電壓的方法

開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)電路中的寄生參數(shù)是多數(shù)干擾的根本因素，在選取以上任一種改善措施后，進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)，一定要根據(jù)開(kāi)關(guān)電源布板規(guī)則進(jìn)行，盡可能的縮短開(kāi)關(guān)電流...

2023-12-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源肖特基二極管等效電容 2674 0

PIN射頻微波開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)與仿真

普通二極管是P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合構(gòu)成，而PIN則在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間夾了一層I型半導(dǎo)體(即本征半導(dǎo)體)

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體PIN二極管 2038 0

經(jīng)典電路分析：擴(kuò)展運(yùn)放輸出電壓范圍

有時(shí)實(shí)際工作中需要高輸出電壓，在此我們給出一個(gè)能夠擴(kuò)展輸出電壓擺幅而保持電路的其他特性（比如帶寬、擺率基本不變）的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

2023-10-18 標(biāo)簽：放大器MOSFET跟隨器 3227 0

不同工作區(qū)域的MOSFET各端子之間的電容是多少？

器件關(guān)斷時(shí)，源漏不導(dǎo)通，沒(méi)有反型層。柵極到源極和漏極的電容是相等的，都是等于CovW，柵極到襯底的電容是由氧化層電容和耗盡層電容串聯(lián)得到。

2023-09-18 標(biāo)簽：三極管MOSFET等效電容 1574 0

PCB走線串?dāng)_引起的功耗問(wèn)題？

我司有一款低功耗產(chǎn)品，要求關(guān)機(jī)時(shí)部分電路維持正常工作，因?yàn)殡姵厝萘坑邢?，且電池不能充電，所以要求功耗非常低，低?uA以下。

2023-09-11 標(biāo)簽：下拉電阻示波器電池充電 630 0

簡(jiǎn)述i2c總線的工作原理 i2c通信過(guò)程 i2c通信協(xié)議原理

I2C是Inter-Intergrated Circuit的簡(jiǎn)稱，英文翻譯過(guò)來(lái)是：內(nèi)置集成電路。為什么I2C是內(nèi)置集成電路？

2023-07-21 標(biāo)簽：上拉電阻電源電壓等效電容 1.1萬(wàn) 0

微帶天線的設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)現(xiàn)步驟

微帶天線是在帶有導(dǎo)體接地板的介質(zhì)基片上貼加導(dǎo)體薄片而形成的天線（光刻、腐蝕等方法做出一定形狀的金屬貼片）。

2023-06-30 標(biāo)簽：連接器阻抗匹配ADS仿真 1.0萬(wàn) 0

電容的串聯(lián)和并聯(lián)計(jì)算公式

相對(duì)于電容串聯(lián)的情況，流過(guò)電容器的電流ic對(duì)于所有電容器都是相同的，因?yàn)樗挥幸粭l路徑。

2023-04-27 標(biāo)簽：串聯(lián)并聯(lián)電容器 1.7萬(wàn) 0