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標(biāo)簽 > 等離子體

等離子體

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等離子體又叫做電漿,是由部分電子被剝奪后的原子及原子團被電離后產(chǎn)生的正負離子組成的離子化氣體狀物質(zhì),尺度大于德拜長度的宏觀電中性電離氣體,其運動主要受電磁力支配,并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中,常被視為是除去固、液、氣外,物質(zhì)存在的第四態(tài)。

文章:105 瀏覽:14451 帖子:2

等離子體技術(shù)

等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù) 等離子體清洗在封裝生產(chǎn)中的應(yīng)用

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等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分,隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,等離子體清洗的優(yōu)勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點和應(yīng)用,討論了它的清洗原理和優(yōu)化...

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PCB處理技術(shù)分類研究

對于純FR-4多層印制電路板孔金屬化抄板制造來講,目前業(yè)界已有相當(dāng)成熟之處理經(jīng)驗,即于孔金屬前,進行堿性高錳酸鉀孔壁凹蝕處理。而對于純聚四氟乙烯介質(zhì)多層...

2023-10-18 標(biāo)簽:印制電路板等離子體PCB 279 0

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2023-10-18 標(biāo)簽:印制電路板等離子體PCB 509 0

等離子體顯示器與液晶顯示器相比有何特點 等離子體顯示器的顯示原理

等離子體顯示器在對比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢較為顯著,適合用于娛樂和家庭影院等方面;而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢,適合辦...

2023-08-10 標(biāo)簽:電流顯示器等離子體 2216 0

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

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在上一篇文章,我們介紹了光刻工藝,即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步,將在晶圓上進行刻蝕工藝,以去除不必要的材料...

2023-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 1626 0

鋁等離子體蝕刻率的限制

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隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體等離子體 829 0

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

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CMOS和MEMS制造技術(shù),允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用,但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體蝕刻 1802 0

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝簡述

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高壓直流電源用于加速離子,大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子,需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾...

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路板cpu 3091 0

半導(dǎo)體絕緣介質(zhì)的填充-HDPOX

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為了形成高密度等離子體,需要有激發(fā)混合氣體的射頻(RF)源,并直接使高密度等離子體到達硅片表面。在HDP-CVD反應(yīng)腔中,主要是由電感耦合等離子體反應(yīng)器...

2023-05-22 標(biāo)簽:射頻等離子體反應(yīng)器 8188 0

簡述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機械研磨,(2)化學(xué)機械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成:研...

2023-05-09 標(biāo)簽:等離子體晶圓蝕刻 1909 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點,高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...

2023-04-21 標(biāo)簽:芯片等離子體封裝 2867 0

鋁箔紙可以隔絕手機信號嗎

一般需要超過3×106V/m的電場強度或幾千攝氏度以上的高溫,因為只有在這樣極端的條件下氣體分子才會部分或全部失去電子形成正負離子。

2023-03-29 標(biāo)簽:等離子體手機信號信號屏蔽器 2518 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(3)

對于濕法刻蝕,大部分刻蝕的終點都取決于時間,而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法,所以通常由操作員目測終點。濕法...

2023-03-06 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體等離子體 2943 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 1674 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(1)

等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì),例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會很快與...

2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 2535 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...

2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2195 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基,自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?;钴S,能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽:等離子體工藝CVD 1437 0

激光切割的應(yīng)用前景

早在上世紀(jì) 70 年代,激光就被首次用于切割。在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中,激光切割更被廣泛應(yīng)用于鈑金,塑料、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體以及紡織品、木材和紙質(zhì)等材料加工。

2022-10-27 標(biāo)簽:等離子體激光切割 2885 0

等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題(從有機硅化合物)的問題,特別注意表面條件,以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...

2022-05-19 標(biāo)簽:等離子體蝕刻 2154 0

射頻微等離子體的特點分析

射頻微等離子體的特點分析

如果想在射頻微等離子中繼續(xù)獲得正常的輝光結(jié)構(gòu),保證放電間隙內(nèi)的電中性,提高放電頻率是一種可行的方法。

2020-03-29 標(biāo)簽:射頻等離子體 2451 0

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