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標(biāo)簽 > 紅外探測(cè)器

紅外探測(cè)器

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紅外探測(cè)器(Infrared Detector)是將入射的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件。紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見光與微波之間的電磁波,人眼察覺不到。要察覺這種輻射的存在并測(cè)量其強(qiáng)弱,必須把它轉(zhuǎn)變成可以察覺和測(cè)量的其他物理量。

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紅外探測(cè)器技術(shù)

被動(dòng)紅外探測(cè)器和主動(dòng)紅外探測(cè)器的區(qū)別

被動(dòng)紅外探測(cè)器和主動(dòng)紅外探測(cè)器是兩種常見的安全監(jiān)控設(shè)備,它們?cè)诜辣I、監(jiān)控、邊界防護(hù)等方面有著廣泛的應(yīng)用。這兩種探測(cè)器的主要區(qū)別在于它們檢測(cè)紅外輻射的方式...

2024-09-20 標(biāo)簽:光源紅外探測(cè)器紅外輻射 5k 0

什么是紅外輻射?紅外探測(cè)器的分類

什么是紅外輻射?紅外探測(cè)器的分類

紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見光與微波之間的電磁波,人眼察覺不到,紅外探測(cè)器是可以將入射的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件,幫助人們看見未知的世界。本文將從分...

2024-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體紅外探測(cè)器電磁波 4.8k 0

紅外隱身材料的應(yīng)用及其研究進(jìn)展綜述

紅外隱身材料的應(yīng)用及其研究進(jìn)展綜述

隨著紅外探測(cè)技術(shù)的飛速發(fā)展,紅外隱身材料的開發(fā)已成為一個(gè)迫切的需求。紅外隱身效果受溫度和紅外發(fā)射率的共同影響,但以往的研究大多集中在單一因素上,從而限制...

2023-10-07 標(biāo)簽:PCM紅外探測(cè)器電磁波 4.7k 0

探討碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響

探討碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā),研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響,并結(jié)合器件的I-V曲線,探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工...

2023-09-29 標(biāo)簽:芯片探測(cè)器紅外探測(cè)器 4.6k 0

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

本文實(shí)現(xiàn)了一種正面開口的熱電堆結(jié)構(gòu),采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對(duì)于刻蝕硅,XeF2氣體對(duì)鋁等材料的刻蝕速率極小,這樣就可以采用標(biāo)準(zhǔn)...

2012-05-02 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器CMOS工藝熱電堆 4.5k 0

關(guān)于FLIR手機(jī)熱像儀性能分析介紹

其實(shí)除了可以測(cè)物體溫度,這款手機(jī)熱像儀還能夠測(cè)出發(fā)熱物體,其最高最低的這兩點(diǎn)溫差。就拿冬天最常用的暖氣來說,它的發(fā)熱一般都是不均勻的,這時(shí)候就可以使用這...

2019-08-15 標(biāo)簽:熱像儀紅外探測(cè)器 4.3k 0

昆明物理所在HOT器件用旋轉(zhuǎn)式斯特林制冷機(jī)方面的研究進(jìn)展

HOT器件用小型低溫斯特林制冷機(jī)的設(shè)計(jì)遵循SWaP3準(zhǔn)則,SWaP3是1999年由唐納德·里高等人提出的高性能、低成本的思想基礎(chǔ)上發(fā)展而來,即更小的尺寸...

2023-03-20 標(biāo)簽:Hot紅外探測(cè)器制冷機(jī) 4.3k 0

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器 4.2k 0

一個(gè)簡(jiǎn)單的接近紅外探測(cè)器電路

一個(gè)簡(jiǎn)單的接近紅外探測(cè)器電路

這是接近紅外探測(cè)器的簡(jiǎn)單電路,基于接近傳感器?紅外線的。該電路的應(yīng)用是最多樣化的。從將其放置在前門以防止人們停在該賽道前,甚至將其放置在汽車的后部和前部...

2022-05-27 標(biāo)簽:接近傳感器紅外探測(cè)器LM567 4.1k 0

被動(dòng)紅外探測(cè)器與主動(dòng)紅外探測(cè)器的原理比較

被動(dòng)紅外探測(cè)器(Passive Infrared Detector, PIR)和主動(dòng)紅外探測(cè)器(Active Infrared Detector, AI...

2024-09-20 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器紅外輻射電信號(hào) 4.1k 0

綜述:硅基BIB紅外探測(cè)器研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,昆明物理研究所、云南大學(xué)和云南省先進(jìn)光電材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“硅基BIB紅外探測(cè)器研究...

2023-02-07 標(biāo)簽:探測(cè)器紅外探測(cè)器光電材料 4k 0

InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的表面處理研究

InAs/GaSb Ⅱ類超晶格近年來得到迅速的發(fā)展,是最有前景的紅外光電探測(cè)材料之一。隨著探測(cè)器像元中心距不斷減小,對(duì)于臺(tái)面結(jié)器件,其側(cè)壁漏電將占據(jù)主導(dǎo)...

2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體探測(cè)器紅外探測(cè)器 3.9k 0

長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色I(xiàn)nAs/GaSb超晶格焦平面探測(cè)器芯片研究

長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色I(xiàn)nAs/GaSb超晶格焦平面探測(cè)器芯片研究

雙色紅外探測(cè)器可以同時(shí)獲取目標(biāo)和環(huán)境在兩個(gè)波段的輻射特征,從而有效抑制復(fù)雜的背景噪聲,實(shí)現(xiàn)不受環(huán)境制約的紅外探測(cè),提升目標(biāo)的探測(cè)效果,在預(yù)警、搜索和跟蹤...

2023-08-11 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器光譜儀AFM 3.9k 0

應(yīng)對(duì)無人機(jī)叨擾,俄羅斯防空系統(tǒng)升級(jí)系統(tǒng)技術(shù)介紹

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目標(biāo)飛機(jī)的雷達(dá)反射截面積(RCS)為10平方米。目標(biāo)飛機(jī)上的自衛(wèi)干擾機(jī)發(fā)射功率為10w,敵雷達(dá)方向的天線增益為6dBi。干擾機(jī)有效輻射功率等于發(fā)射功率加...

2023-08-25 標(biāo)簽:天線紅外探測(cè)器無人機(jī) 3.8k 0

淺析硫汞族量子點(diǎn)紅外光電探測(cè)技術(shù)

淺析硫汞族量子點(diǎn)紅外光電探測(cè)技術(shù)

碲鎘汞(HgCdTe)、銻化銦(InSb)和銦鎵砷(InGaSb)等塊體半導(dǎo)體紅外探測(cè)器的優(yōu)異性能使得其在制導(dǎo)、遙感、偵察等軍事及航天領(lǐng)域均發(fā)揮了重要作用。

2023-08-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體耦合器紅外探測(cè)器 3.8k 0

熱釋電傳感器的原理與應(yīng)用

熱釋電傳感器的原理與應(yīng)用

當(dāng)一些晶體受熱時(shí),在晶體兩端將會(huì)產(chǎn)生數(shù)量相等而符號(hào)相反的電荷,這種由于熱變化產(chǎn)生的電極化現(xiàn)象,被稱為熱釋電效應(yīng)。

2024-03-25 標(biāo)簽:傳感器晶體等效電路 3.7k 0

非制冷紅外探測(cè)器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化及可靠性分析

該文章針對(duì)薄膜型吸氣劑陶瓷封裝的開發(fā),以某款量產(chǎn)探測(cè)器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),提出一種非制冷紅外探測(cè)器陶瓷封裝優(yōu)化結(jié)構(gòu),基于ANSYS Workbench有...

2023-02-22 標(biāo)簽:封裝結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器 3.6k 0

介紹一種具有GFPT微結(jié)構(gòu)的T2SL探測(cè)器

紅外探測(cè)器已被廣泛應(yīng)用于物體識(shí)別、癌癥檢測(cè)等領(lǐng)域。目前,中紅外光敏材料主要包括碲鎘汞(HgCdTe)合金和III-V T2SL。

2022-10-20 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器光電轉(zhuǎn)換PIN 3.5k 0

國(guó)產(chǎn)非制冷紅外探測(cè)器非均勻性分析

國(guó)產(chǎn)非制冷紅外探測(cè)器非均勻性分析

現(xiàn)有國(guó)產(chǎn)非制冷紅外探測(cè)器多采用擋板校正進(jìn)行非均勻性校正,影響了紅外探測(cè)器的觀測(cè)效果與目標(biāo)搜跟。

2023-12-01 標(biāo)簽:探測(cè)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)紅外探測(cè)器 3.4k 0

超構(gòu)表面在微測(cè)輻射熱計(jì)中的應(yīng)用綜述

超構(gòu)表面在微測(cè)輻射熱計(jì)中的應(yīng)用綜述

超構(gòu)表面突破了傳統(tǒng)自然材料的電磁特性限制,同時(shí)也解決了三維超材料難以加工實(shí)現(xiàn)等瓶頸問題,使器件朝著集成化,小型化,低成本,可調(diào)諧的方向不斷發(fā)展。

2024-02-25 標(biāo)簽:諧振器等效電路紅外探測(cè)器 3.3k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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