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肖特基二極管

肖特基二極管

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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

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肖特基二極管資訊

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韋爾半導(dǎo)體將為數(shù)字世界提供開關(guān)器件、信號(hào)放大器件、系統(tǒng)電源及控制方案、系統(tǒng)保護(hù)方案、電磁干擾濾波方案、分立器件 。我們目前有8條產(chǎn)品線:模擬開關(guān),音頻功...

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肖特基二極管的原理

用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...

2020-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.3萬 0

肖特基二極管和溫度

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在高溫下,在二極管電流損耗近似于由于泄漏造成的導(dǎo)通損耗的情況下,存在失穩(wěn)和熱失控的風(fēng)險(xiǎn),導(dǎo)致元件損壞。

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貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合

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肖特基二極管原理及結(jié)構(gòu)

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雙片器件結(jié)合集成式肖特基二極管提高功率密度和效率

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日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。...

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普通硅二極管與肖特基二極管究竟有何異同?

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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接...

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正確選擇肖特基二極管的RC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)-RC緩沖器

二極管中有電流流過,就會(huì)吸熱,而使自身溫度升高。在實(shí)際中外部散熱狀況對(duì)P也是影響很大。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流加上反向恢復(fù)損耗。

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電路板怎么加肖特基二極管

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以肖特基二極管SS14型為例,它的電流是1A電壓是40V的肖特基二極管,此電路輸入電壓應(yīng)該小于40V,可能為12V輸入。肖特基二極管又稱為快恢復(fù)二極管,...

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肖特基二極管的元件符號(hào)_肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)

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本文主要闡述了肖特基二極管的元件符號(hào)及肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)。

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VCSEL激光器、SBD肖特基二極管最新研究成果

成果一 基于Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)平臺(tái),技術(shù)團(tuán)隊(duì)深入探索了實(shí)現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn),橫向電流限制不是...

2020-03-10 標(biāo)簽:激光器肖特基二極管SBD 1.4k 0

二極管的分類及用途介紹

二極管分為好多種,可以說除了電阻電容外用的比較多的一種元器件,那么二極管分為哪些類型呢?

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肖特基勢壘是什么?具有什么應(yīng)用優(yōu)勢

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肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。

2019-10-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管 4.3萬 0

基于肖特基二極管實(shí)現(xiàn)的固態(tài)高效倍頻技術(shù)

基于肖特基二極管實(shí)現(xiàn)的固態(tài)高效倍頻技術(shù)

本文采用國產(chǎn)的平面GaAs肖特基二極管設(shè)計(jì)出300 GHz二倍頻器。肖特基二極管為反向串聯(lián)的4管芯結(jié)構(gòu),陽極指為點(diǎn)支撐空氣橋結(jié)構(gòu),降低器件寄生電容,提高...

2019-09-22 標(biāo)簽:電路肖特基二極管 7.6k 0

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