雙片器件結合集成式肖特基二極管提高功率密度和效率，所需PCB空間比6 mm x 5 mm封裝減少65 ％。

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊－－－SiZF300DT，將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET?MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR? 3．3 mm x 3．3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時有助于減少元器件數(shù)量，簡化設計，適用于計算和通信應用功率轉(zhuǎn)換。

日前發(fā)布器件中的兩個MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4．5 V條件下，最大導通電阻分別為4．5 mW和7．0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4．5 V條件下，導通電阻分別為1．84 mW和2．57 mW。兩個MOSFET典型柵極電荷分別為6．9 nC和19．4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導通電阻的雙片器件節(jié)省65 ％的空間，是市場上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。器件為設計人員提供節(jié)省空間的解決方案，適用于圖形加速卡、計算機、服務器以及通信和RF網(wǎng)絡設備的負載點（POL）轉(zhuǎn)換、電源以及同步降壓和DC ／ DC轉(zhuǎn)換器。

雙MOSFET采用獨特的引腳配置結構，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產(chǎn)品高11 ％，此外，輸出電流超過20 A時具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強散熱，優(yōu)化電路，簡化PCB布局。

SiZF300DT 經(jīng)過100 ％ Rg和UIS測試，符合RoHS要求標準，無鹵素。

新款雙MOSFET模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology， Inc． 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。
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