光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了...

2025-04-29 標(biāo)簽：芯片制造光刻膠光刻工藝 741 0

氮化硅在芯片制造中的核心作用

在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開(kāi)它的參與。從其構(gòu)成來(lái)看，氮化硅屬于無(wú)機(jī)化合物，由硅元...

2025-04-22 標(biāo)簽：材料芯片制造氮化硅 435 0

芯片制造中的抗反射涂層介紹

本文介紹了用抗反射涂層來(lái)保證光刻精度的原理。

2025-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造光刻工藝 259 0

芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。

2025-04-15 標(biāo)簽：NMOS晶體管芯片制造 270 0

芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參...

2025-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造半導(dǎo)體材料 211 0

芯片制造中的互連工藝介紹

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性，半導(dǎo)體通過(guò)參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過(guò)基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝，我們可以構(gòu)建出各種元件，如...

2025-04-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 272 0

芯片制造中的二氧化硅介紹

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。

2025-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造絕緣材料 511 0

芯片制造中的High-K材料介紹

本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應(yīng)用。

2025-04-08 標(biāo)簽：工藝材料芯片制造 506 0

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...

2025-04-08 標(biāo)簽：多晶硅工藝芯片制造 449 0

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的三個(gè)主要階段

前段工藝（Front-End）、中段工藝（Middle-End）和后段工藝（Back-End）是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的三個(gè)主要階段，它們?cè)谥圃爝^(guò)程中扮演著不...

2025-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶體管 1462 0

Low-K材料在芯片中的作用

Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過(guò)降低金...

2025-03-27 標(biāo)簽：材料芯片制造寄生電容 985 0

深入解析硅基光子芯片制造流程，揭秘科技奇跡！

在信息技術(shù)日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”，硅基光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的...

2025-03-19 標(biāo)簽：芯片制造集成芯片硅基 627 0

氮化鈦在芯片制造中的重要作用

氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，化學(xué)穩(wěn)定性高、硬度大（莫氏硬度9-10）、熔點(diǎn)高達(dá)2950℃。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，TiN展...

2025-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造陶瓷材料 526 0

集成電路制造工藝中的High-K材料介紹

本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點(diǎn)、重要性、優(yōu)勢(shì)，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片集成電路制造工藝 766 0

芯片有源區(qū)的作用和工藝流程

在芯片制造中，有源區(qū)（Active Area）是晶體管的核心工作區(qū)域，負(fù)責(zé)電流的導(dǎo)通與信號(hào)處理。它如同城市中的“主干道”，決定了電路的性能和集成度。

2025-03-04 標(biāo)簽：電流晶體管芯片制造 728 0

芯片制造中的淺溝道隔離工藝技術(shù)

淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。

2025-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 1205 0

集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程

一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個(gè)晶體管，這些晶體管通過(guò)細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過(guò)程極其復(fù)雜，需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。

2025-03-03 標(biāo)簽：處理器集成電路半導(dǎo)體 1491 0

芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性

本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性，介紹了量測(cè)納米級(jí)薄膜的原理，并介紹了如何在制造過(guò)程中融入薄膜量測(cè)技術(shù)。

2025-02-26 標(biāo)簽：薄膜芯片制造量測(cè)技術(shù) 863 0

半導(dǎo)體芯片制造中的檢測(cè)和量測(cè)技術(shù)

質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一，對(duì)于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造流程復(fù)雜，涉及眾多工藝步驟，每一道工序都需要達(dá)到近乎...

2025-02-20 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 1278 0

芯片制造的關(guān)鍵一環(huán)：介質(zhì)層制備工藝全解析

在芯片這一高度集成化和精密化的電子元件中，介質(zhì)層扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)了信號(hào)的高效傳輸。隨著芯...

2025-02-18 標(biāo)簽：電子元件芯片制造半導(dǎo)體封裝 708 0