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標(biāo)簽 > 芯片測(cè)試
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之前給大家介紹了晶圓制備和芯片制造:晶圓是如何制造出來(lái)的?從入門到放棄,芯片的詳細(xì)制造流程!從今天開始,我們聊聊芯片的封裝和測(cè)試(通常簡(jiǎn)稱“封測(cè)”)。這...
在集成電路(IC)制造領(lǐng)域,測(cè)試環(huán)節(jié)是確保芯片性能和可靠性的重要步驟。然而,測(cè)試過程往往伴隨著高昂的成本和復(fù)雜的設(shè)備需求。本文將探討如何通過優(yōu)化接口電路...
2025-04-07 標(biāo)簽:繼電器測(cè)試測(cè)量芯片測(cè)試 582 0
電力電子半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備——高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱
高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱主要用于模擬高溫、低溫、濕度交變及恒定濕熱環(huán)境,評(píng)估產(chǎn)品在不同溫濕度條件下的耐久性、穩(wěn)定性及適應(yīng)性。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、功率...
2025-03-21 標(biāo)簽:芯片測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)境測(cè)試 278 0
快速溫變?cè)囼?yàn)箱:應(yīng)對(duì)5G芯片高頻熱沖擊測(cè)試的解決方案
隨著5G通信、人工智能和自動(dòng)駕駛技術(shù)的爆發(fā)式發(fā)展,芯片瞬時(shí)功耗從傳統(tǒng)制程的10W激增至300W以上(如數(shù)據(jù)中心GPU),導(dǎo)致局部溫度在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)波動(dòng)超...
2025-03-08 標(biāo)簽:芯片測(cè)試試驗(yàn)箱試驗(yàn)設(shè)備 350 0
一、測(cè)試程序的基本概念測(cè)試程序,即被ATE(AutomaticTestEquipment,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備)識(shí)別和執(zhí)行的指令集,是集成電路測(cè)試的核心。測(cè)試程...
高低溫測(cè)試,亦稱為高低溫循環(huán)測(cè)試,是環(huán)境可靠性測(cè)試中的關(guān)鍵組成部分,其主要目的是評(píng)估在高溫和低溫條件下,裝備在存儲(chǔ)和工作期間的性能表現(xiàn)。隨著科技的進(jìn)步,...
2024-11-07 標(biāo)簽:芯片測(cè)試試驗(yàn)箱產(chǎn)品測(cè)試 633 0
在芯片制造過程中,測(cè)試是非常重要的一環(huán),它確保了芯片的性能和質(zhì)量。芯片測(cè)試涉及到許多專業(yè)術(shù)語(yǔ)這其中,CP(Chip Probing),F(xiàn)T(Final ...
新思科技TSO.ai助力解決芯片測(cè)試成本和時(shí)間挑戰(zhàn)
人工智能技術(shù)日漸普及,廣泛運(yùn)用于解決當(dāng)今的各種復(fù)雜問題,尤其是那些涉及海量數(shù)據(jù)的分析和相應(yīng)決策等單靠人力難以應(yīng)對(duì)的棘手難題。換句話說(shuō),在應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、...
集成電路測(cè)試卡位產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝以及應(yīng)用的全過程。從整個(gè)制造流程上來(lái)看,集成電路測(cè)試具體包括設(shè)計(jì)階段的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造階段的過程工...
本文就芯片測(cè)試做一個(gè)詳細(xì)介紹。芯片的測(cè)試大致可以分成兩大部分。CP(chipprobering)和FT(finaltest)。某些芯片還會(huì)進(jìn)行SLT(s...
確保測(cè)試精準(zhǔn):芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱操作要點(diǎn)
芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱是一種專業(yè)的測(cè)試設(shè)備,用于在溫度快速轉(zhuǎn)變的情況下檢驗(yàn)產(chǎn)品的各項(xiàng)性能。為了確保設(shè)備的正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命,廣東貝爾為您分享一些關(guān)...
2024-07-05 標(biāo)簽:芯片測(cè)試試驗(yàn)箱產(chǎn)品測(cè)試 718 0
在測(cè)試準(zhǔn)備階段,需要對(duì)測(cè)試環(huán)境、測(cè)試數(shù)據(jù)和測(cè)試設(shè)備進(jìn)行準(zhǔn)備。同時(shí)需要對(duì)測(cè)試方案進(jìn)行評(píng)估和修訂,以確保測(cè)試方案的合理性和可行性。此外,還需要確定測(cè)試的目標(biāo)...
芯片測(cè)試的主要目的是確保芯片的質(zhì)量和可靠性,以及驗(yàn)證芯片的設(shè)計(jì)是否符合規(guī)范和要求。具體來(lái)說(shuō),測(cè)試可以檢測(cè)出芯片中的故障,并及時(shí)修復(fù)它們,以保證產(chǎn)品的一致...
2024-05-08 標(biāo)簽:芯片測(cè)試 1997 0
主要關(guān)注芯片本身及其所具備的電路功能、電氣特性參數(shù)等。芯片是一種微型電子器件或部件,通過集成電路工藝將所需的元件及布線互連在一起,制作在半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上。
主要關(guān)注芯片本身及其所具備的電路功能、電氣特性參數(shù)等。芯片是一種微型電子器件或部件,通過集成電路工藝將所需的元件及布線互連在一起,制作在半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上。
這是芯片在設(shè)計(jì)過程中的一個(gè)環(huán)節(jié),主要通過EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)工具進(jìn)行仿真檢驗(yàn)。它的主要目的是在芯片生產(chǎn)之前,驗(yàn)證芯片設(shè)計(jì)是否符合預(yù)定的需求規(guī)格,是否...
在開始量產(chǎn)之前,芯片設(shè)計(jì)師會(huì)進(jìn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證,以確保芯片的設(shè)計(jì)滿足規(guī)格要求。這包括功能驗(yàn)證、時(shí)序驗(yàn)證和電氣驗(yàn)證等,確保芯片在理論設(shè)計(jì)上沒有問題。
半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié):芯片測(cè)試
CP(Chip Probing)測(cè)試也叫晶圓測(cè)試(wafer test),也就是在芯片未封裝之前對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試,這樣就可以把有問題的芯片在封裝之前...
2024-04-20 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)芯片測(cè)試測(cè)試機(jī) 2485 0
為什么要進(jìn)行芯片測(cè)試?芯片測(cè)試在什么環(huán)節(jié)進(jìn)行?
WAT需要標(biāo)注出測(cè)試未通過的裸片(die),只需要封裝測(cè)試通過的die。 FT是測(cè)試已經(jīng)封裝好的芯片(chip),不合格品檢出。WAT和FT很多項(xiàng)...
集成電路芯片是由半導(dǎo)體材料制成的片狀電子元件,上面集成了多種電子器件和電路結(jié)構(gòu)。
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