不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.4k 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（下）

接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.3k 0

等離子體蝕刻工藝對(duì)集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標(biāo)簽：集成電路等離子體晶圓 1.2k 0

單片微波集成電路中砷化鎵的干蝕刻

目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無(wú)線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。

2023-07-13 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體蝕刻工藝 1.1k 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標(biāo)簽：等離子體等離子蝕刻工藝 1.1k 0

酸蝕刻對(duì)鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響

鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...

2023-09-01 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體蝕刻工藝 1k 0

低能量電子束曝光技術(shù)

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過(guò)干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯...

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻工藝電子束 972 0

將銅互連擴(kuò)展到2nm的研究

晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn)，納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來(lái)滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣，正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化，此舉將重新...

2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻工藝 874 0

六氟化硫等離子體的熱反應(yīng)離子蝕刻

眾所周知，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)嚴(yán)重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在...

2023-09-01 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 798 0