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標簽 > 負載電容
負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。
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負載電容是晶體振蕩器電路設(shè)計中的一個關(guān)鍵參數(shù)。對晶振的頻率特性和穩(wěn)定性有直接影響。負載電容不是單個元件的電容,而是由晶振兩端外接的電容以及電路中的寄生電...
晶振是電子設(shè)備中用于產(chǎn)生穩(wěn)定時鐘信號的關(guān)鍵元件,其短期穩(wěn)定度直接影響設(shè)備的精度和可靠性。短期穩(wěn)定度是指晶振在短時間內(nèi)(通常為幾秒到幾分鐘)頻率波動的程度。
理想的電源轉(zhuǎn)換器需要無論負載如何變化都保持輸出電壓穩(wěn)定。在實際應(yīng)用中,負載瞬態(tài)期間選擇不合適的輸出電容會導(dǎo)致過高的紋波電壓和浪涌電流,從而影響電源轉(zhuǎn)換器...
2024-10-28 標簽:電容器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 608 0
三腳晶振與兩腳晶振是兩種不同的電子元件,它們在功能、結(jié)構(gòu)和應(yīng)用方面存在一定的差異。在某些情況下,三腳晶振可以替換兩腳晶振,但需要考慮許多因素,如頻率、負...
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED),屬于一種電流型的有機發(fā)光器件,是通過載流子的注入和復(fù)合而致發(fā)光的現(xiàn)...
串聯(lián)或并聯(lián)諧振晶體振蕩器設(shè)計和負載電容
對于從事數(shù)字設(shè)計的工程師來說,本說明和相關(guān)視頻應(yīng)重新熟悉晶體振蕩器時序理論和電路設(shè)計的一些實用方面。這些石英晶體設(shè)計理論很容易應(yīng)用于許多應(yīng)用。并聯(lián)還是串...
2024-06-25 標簽:串聯(lián)晶體振蕩器并聯(lián)諧振 694 0
SMD3215 32.768KHZ貼片晶振的產(chǎn)品規(guī)格及其特性
32.768KHZ是平時常見的低頻晶振,在電路應(yīng)用開發(fā)中常用在時鐘計算,在電子領(lǐng)域中有著多種應(yīng)用。
當(dāng)開關(guān)閉合時,MCU IO檢測到0,但是當(dāng)時開關(guān)開啟時,IO引腳處于floating狀態(tài),容易受干擾而處于未知狀態(tài)。 這時可以在IO口上加一個電阻...
每當(dāng)沿著一條導(dǎo)線驅(qū)動信號時,該導(dǎo)線周圍都會產(chǎn)生磁場。如果兩根導(dǎo)線相鄰放置,兩個磁場可能會相互作用,導(dǎo)致信號之間的能量交叉耦合,稱為串?dāng)_。
淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)
做電源設(shè)計,或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到場效應(yīng)管,也就是人們常說的MOS管。
這種現(xiàn)象是由于環(huán)路不穩(wěn)定,相位裕度不足導(dǎo)致的;我們可以按照TI文檔中的方法進行相位裕度的仿真。TI的文檔如下,我們先仿真一下不并聯(lián)電容情況下的相位裕度。
影響放大電路高頻特性的主要因素是很多的,包括晶體管的頻率響應(yīng)、反饋電容、電感、布線、負載電容等。這些因素都會對放大電路的高頻特性產(chǎn)生不同程度的影響。 首...
相對于指定頻率的負載電容值。同一晶體設(shè)置的負載電容不同測試的頻率也不一樣,在制作或使用時必須指定負載電容,單位通常用pF表示。
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