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標(biāo)簽 > 負(fù)載電容
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。
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三腳晶振與兩腳晶振是兩種不同的電子元件,它們?cè)诠δ?、結(jié)構(gòu)和應(yīng)用方面存在一定的差異。在某些情況下,三腳晶振可以替換兩腳晶振,但需要考慮許多因素,如頻率、負(fù)...
談?wù)劽桌昭a(bǔ)償兩級(jí)放大器的由來(lái)
本來(lái)想寫一點(diǎn)針對(duì)設(shè)計(jì)采用米勒補(bǔ)償兩級(jí)放大器的總結(jié),比如在最小化功耗的條件下,在最大化增益的條件下,甚至是最小化面積的條件下,遇到的問(wèn)題和各種tradeo...
我們要明確負(fù)載電容的概念。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,它在電路中起到了關(guān)鍵的作用。然而,在討論有源晶振是否需要負(fù)載電...
晶振,就像是一個(gè)需要伙伴才能跳舞的人,而這個(gè)伙伴就是負(fù)載電容。晶振有兩條線,這兩條線會(huì)連接到IC塊(一個(gè)集成電路塊)里面,那里有一些有效的電容。為了讓晶...
2024-11-27 標(biāo)簽:晶振負(fù)載電容揚(yáng)興科技 1417 0
3-Stage Nested Miller Compensation電路參數(shù)調(diào)節(jié)
書中利用三階巴特沃茲函數(shù)系數(shù) (1,2,2,1)求解系統(tǒng)函數(shù)的系數(shù),推導(dǎo)出相位裕度60°時(shí)
2023-12-01 標(biāo)簽:增益帶寬反饋系統(tǒng)等效電阻 1408 0
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED),屬于一種電流型的有機(jī)發(fā)光器件,是通過(guò)載流子的注入和復(fù)合而致發(fā)光的現(xiàn)...
2024-07-30 標(biāo)簽:OLED電路設(shè)計(jì)負(fù)載電容 1340 0
在上期的芝識(shí)課堂中,我們介紹了一部分CMOS邏輯IC設(shè)計(jì)的常見(jiàn)問(wèn)題以及處理辦法。本期課堂將繼續(xù)探討如何優(yōu)化CMOS邏輯IC的性能,特別是負(fù)載電容連接技巧...
放大器是如何描述其驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的能力的呢?
放大器一般不允許輸出端對(duì)地直接加比較大的電容。有的時(shí)候電容并不是有意加上的,比如驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)線纜時(shí)線纜的寄生電容,它不會(huì)在電路原理圖上,但卻真實(shí)存在。
一般來(lái)講,從電路上說(shuō),總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大,驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電,才能完成信號(hào)的跳變,在上升沿比較陡峭的時(shí)候,電流比較大
2023-05-02 標(biāo)簽:旁路電容驅(qū)動(dòng)電路去耦電容 1238 0
石英晶體諧振器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動(dòng)功率和負(fù)性阻抗是石英晶體諧振器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵參數(shù),直接影響振蕩線路的性能和穩(wěn)定性。
在一些方案中,晶振并聯(lián)1MΩ電阻時(shí),程序運(yùn)行正常,而在沒(méi)有1MΩ電阻的情況下,程序運(yùn)行有滯后及無(wú)法運(yùn)行現(xiàn)象發(fā)生。
負(fù)載電容(Load capacitance)是以晶振為核心的整個(gè)振蕩回路的全部有效電容的總和。這個(gè)CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率,通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容,...
相對(duì)于指定頻率的負(fù)載電容值。同一晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測(cè)試的頻率也不一樣,在制作或使用時(shí)必須指定負(fù)載電容,單位通常用pF表示。
如何區(qū)分晶振的負(fù)載電容與外接電容問(wèn)題
在無(wú)源晶振應(yīng)用方案中,兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí),建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
2023-10-15 標(biāo)簽:無(wú)源晶振晶振并聯(lián)電阻 885 0
PCR-LE/LE2擁有可抑制浪涌的功能。同時(shí)該功能還可保護(hù)PCR-LE/LE2系列免受電壓尖峰的影響??赏ㄟ^(guò)所使用的負(fù)載情況,選擇開啟或關(guān)閉浪涌抑制功能。
下面簡(jiǎn)單推導(dǎo)一下反饋滿足振蕩的幅度條件|AF|=1時(shí)的相位裕量與時(shí)域的階躍響應(yīng)定性關(guān)系,這個(gè)有較強(qiáng)的工程應(yīng)用意義。
負(fù)載電容是晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)晶振的頻率特性和穩(wěn)定性有直接影響。負(fù)載電容不是單個(gè)元件的電容,而是由晶振兩端外接的電容以及電路中的寄生電...
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