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標(biāo)簽 > 轉(zhuǎn)換器
將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的電路,稱為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(簡(jiǎn)稱a/d轉(zhuǎn)換器或adc,analog to digital converter),A/D轉(zhuǎn)換的作用是將時(shí)間連續(xù)、幅值也連續(xù)的模擬量轉(zhuǎn)換為時(shí)間離散、幅值也離散的數(shù)字信號(hào),因此,A/D轉(zhuǎn)換一般要經(jīng)過取樣、保持、量化及編碼4個(gè)過程。在實(shí)際電路中,這些過程有的是合并進(jìn)行的,例如,取樣和保持,量化和編碼往往都是在轉(zhuǎn)換過程中同時(shí)實(shí)現(xiàn)的。
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端接器件是否已合理放置(源端匹配串阻應(yīng)放在信號(hào)的驅(qū)動(dòng)端;中間匹配的串阻放在中間位置;終端匹配串阻應(yīng)放在信號(hào)的接收端)
2022-08-09 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器模板 1161 0
在電源市場(chǎng)的幾乎所有細(xì)分市場(chǎng)中,顛覆性的最終產(chǎn)品技術(shù)繼續(xù)朝著提高能效、更高功率密度和更低成本的共同目標(biāo)前進(jìn)。許多市場(chǎng)需要用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器電源管理...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電力DC-DC 450 0
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫,這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級(jí)封裝提供六面冷卻,從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 2197 0
由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻,因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 1232 0
MuxCapacitor:DC-DC和AC-DC轉(zhuǎn)換器的高效解決方案
MuxCapacitor 技術(shù)還被證明在管理無(wú)負(fù)載條件下的功耗方面特別有用。當(dāng)負(fù)載吸收為零時(shí),Helix的專有IP吸收小于5 mW,對(duì)輸出電壓值沒有任何...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC-DC轉(zhuǎn)換器AC-DC 893 0
CoolSiC MOSFET技術(shù)在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用
碳化硅 (SiC)晶體管越來(lái)越多地用于功率轉(zhuǎn)換器,對(duì)尺寸、重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極 IGBT 器件相比,碳化硅出色的材料特性支持設(shè)計(jì)快速開...
2022-08-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1001 0
工業(yè) 4.0 技術(shù)革命不僅通過在生產(chǎn)過程中使用數(shù)據(jù)來(lái)定義,而且還用于電源管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì),包括集成 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,遵循精確的規(guī)范。動(dòng)力組件必須滿足高...
2022-08-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器計(jì)算機(jī) 809 0
對(duì)振動(dòng)不敏感、壽命長(zhǎng)、能效高以及可以完全控制光源是 LED 在車輛中應(yīng)用的關(guān)鍵因素。與白熾燈泡相比,LED 對(duì)機(jī)械振動(dòng)不敏感,而 LED 的易控制性使其...
2022-08-09 標(biāo)簽:led芯片轉(zhuǎn)換器 810 0
該系列解決了設(shè)計(jì)人員在使用分立解決方案時(shí)遇到的許多問題,從而促進(jìn)了 AC/DC 轉(zhuǎn)換器的高效設(shè)計(jì)。由于集成了 SiC MOSFET 和優(yōu)化的控制電路,與...
2022-08-08 標(biāo)簽:電源傳感器轉(zhuǎn)換器 1779 0
當(dāng)前電力電子的狀態(tài)越來(lái)越關(guān)注能夠降低整個(gè)系統(tǒng)成本的可靠電源轉(zhuǎn)換器。隨著時(shí)間的推移,工程方法已經(jīng)針對(duì)泄漏去除,使用比硅更高性能的半導(dǎo)體材料,例如 SiC ...
2022-08-08 標(biāo)簽:鋰離子電池轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器 1165 0
EA的PSB 10000 30kW電池測(cè)試系統(tǒng)
長(zhǎng)期趨勢(shì)顯然是向電動(dòng)汽車發(fā)展。這給相應(yīng)電池系統(tǒng)的制造商帶來(lái)了特別的壓力。只有那些及時(shí)將創(chuàng)新產(chǎn)品推向市場(chǎng)的人才能獲得持久的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這就是帶有 PSB 1...
2022-08-08 標(biāo)簽:電源電池管理轉(zhuǎn)換器 1483 0
GaN 是一種高帶隙材料,與硅相比,它允許器件在更高的溫度下運(yùn)行并承受更高的電壓。此外,GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電力電子 2092 0
高質(zhì)量電源在通用輸入范圍內(nèi)運(yùn)行,使它們能夠從世界任何地方的公用事業(yè)系統(tǒng)提供良好調(diào)節(jié)的輸出。所有產(chǎn)品都具有特殊功能,尤其是不同類型的保護(hù)。醫(yī)療應(yīng)用是最關(guān)鍵...
2022-08-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器 1277 0
碳化硅 (SiC) 器件越來(lái)越多地用于對(duì)尺寸、重量和效率有嚴(yán)格要求的高壓功率轉(zhuǎn)換器,因?yàn)榕c常用的硅 (Si) 相比,它們具有許多吸引人的特性。導(dǎo)通電阻和...
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 934 0
簡(jiǎn)化Xilinx FPGA的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
對(duì)于需要考慮多個(gè)不同電源軌的復(fù)雜 FPGA 而言,這些電源考慮因素并非微不足道。為了提供幫助,賽靈思提供了賽靈思功耗估算器 (XPE),這是一款基于電子...
2022-08-07 標(biāo)簽:電源fpga轉(zhuǎn)換器 1134 0
基于 GaN 的 Dickson 轉(zhuǎn)換器提高 EV 效率
電動(dòng)汽車 (EV) 電力需求的增加已將傳統(tǒng)的 12V 系統(tǒng)推至其最大容量 3 kW。因此,開發(fā)了一個(gè)補(bǔ)充 48-V 網(wǎng)絡(luò)。1,2 48V 總線和內(nèi)核電壓...
2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源轉(zhuǎn)換器 1360 0
在該系統(tǒng)中,升壓轉(zhuǎn)換器為電動(dòng)汽車(EV) 中的電池充電。傳統(tǒng)的 OBC(車載充電系統(tǒng))有一個(gè)橋式整流器來(lái)將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換為直流,但在整流過程中,存在...
2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器充電系統(tǒng) 1072 0
在電力電子領(lǐng)域,硅在過去的 40 年中已成為主流技術(shù);今天,硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍,以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無(wú)處不在。這種采用...
2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 1094 0
多年來(lái),設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來(lái)。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1151 0
使用MinE-CAP減少電源供應(yīng)可提高系統(tǒng)效率
電解電容器占用AC/DC 電源中的空間,并且通常會(huì)限制整個(gè)電池充電器的外形尺寸。Power Integrations 旨在將低壓電容器用于大部分能量存儲(chǔ)...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源電容器轉(zhuǎn)換器 790 0
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