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鐵電存儲(chǔ)器

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　　鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。

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鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)

多軸控制器可使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）

2025-05-06 標(biāo)簽：控制器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 68 0

替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測(cè)儀應(yīng)用方案

2025-04-14 標(biāo)簽：檢測(cè)儀鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 141 0

兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽(tīng)器應(yīng)用方案

2025-03-20 標(biāo)簽：助聽(tīng)器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 185 0

鐵電存儲(chǔ)器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計(jì)算中應(yīng)用

2025-03-13 標(biāo)簽：人工智能鐵電存儲(chǔ)器邊緣計(jì)算 282 0

性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹

2025-03-06 標(biāo)簽：存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 351 0

鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析

2025-03-03 標(biāo)簽：芯片鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 432 0

鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析

2025-02-25 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 317 0

旋轉(zhuǎn)編碼器選用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由

2025-02-20 標(biāo)簽：編碼器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 305 0

舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT

2025-02-13 標(biāo)簽：電子設(shè)備鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 390 0

鐵電存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢(shì)顯著

2025-02-07 標(biāo)簽：設(shè)備鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 336 0

舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用

2025-01-16 標(biāo)簽：芯片鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 514 0

舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？

2025-01-10 標(biāo)簽：芯片鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 366 0

舜銘存儲(chǔ)FRAM SF24C512(MB85RS512)用于工程機(jī)械儀表

2024-12-26 標(biāo)簽：儀表 fram 鐵電存儲(chǔ)器 381 0

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128(MB85RS128)用于振動(dòng)檢測(cè)設(shè)備

2024-12-11 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器檢測(cè)設(shè)備國(guó)芯思辰 351 0

富士通鐵電白皮書(shū)，選擇鐵電存儲(chǔ)的4點(diǎn)理由以及技術(shù)原理分析

鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。

2024-12-04 標(biāo)簽：Fujitsu fram 鐵電存儲(chǔ)器 964 0

鐵電存儲(chǔ)器和憶阻器的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)技術(shù)，它們?cè)诠ぷ髟?、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以...

2024-09-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)憶阻器鐵電存儲(chǔ)器 1274 0

鐵電存儲(chǔ)器和Flash的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，它們?cè)诠ぷ髟?、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面...

2024-09-29 標(biāo)簽：閃存 FlaSh 鐵電存儲(chǔ)器 2753 0

鐵電存儲(chǔ)器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技...

2024-09-29 標(biāo)簽：FlaSh fram 鐵電存儲(chǔ)器 1980 0

鐵電存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫(xiě)能力和非易失性存儲(chǔ)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其獨(dú)特的材...

2024-09-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)fram 鐵電存儲(chǔ)器 918 0

兼容MB85RS2MT，SF25C20在船舶導(dǎo)航數(shù)據(jù)記錄器中的應(yīng)用

2024-05-22 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器記錄器國(guó)芯思辰 620 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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3D NAND Flash

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4K視頻

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東芝公司

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Arasan

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SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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3DXPoint

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
安博會(huì)

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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
USB 3.0接口

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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