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鐵電存儲器

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　　鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。

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鐵電存儲器技術(shù)

新一代鐵電存儲器的發(fā)展勢頭正在形成，這將改變下一代存儲格局

不過，就研發(fā)階段而論，F(xiàn)eFET本身并不是一個新器件。對于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...

2018-01-10 標簽：內(nèi)存場效應(yīng)晶體管鐵電存儲器 2.3萬 0

一文解析鐵電存儲器使用及工作原理

FRAM存儲器操作經(jīng)過設(shè)計，以使在開關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標簽：DRAM 存儲器 fram 2.1萬 0

鐵電存儲器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體...

2021-01-13 標簽：單片機 mcu 存儲器 1.7萬 0

鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標簽：FlaSh 存儲器 fram 7324 0

利用FRAM作為數(shù)據(jù)緩沖器的通信方式

鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件，簡稱FRAM。

2019-08-12 標簽：緩沖器鐵電存儲器 3876 0

鐵電存儲器的優(yōu)勢和發(fā)展趨勢分析

兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

2023-01-30 標簽：MOSFET DRAM 存儲器 3585 0

什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標簽：閃存 EEPROM fram 3507 0

鐵電存儲器和Flash的區(qū)別

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面...

2024-09-29 標簽：閃存 FlaSh 鐵電存儲器 2754 0

FM25V02A-GTR型號存儲器的產(chǎn)品介紹

　　FM25V02A-GTR型號元器件是一款鐵電存儲器，采用先進的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時消除了復雜性，串行通信引起的...

2022-11-22 標簽：存儲器 EEPROM F-RAM 2446 0

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的...

2010-10-11 標簽：電能表鐵電存儲器 2268 0

鐵電存儲器的技術(shù)特點分析

如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。...

2010-10-18 標簽：鐵電存儲器 2106 0

鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù)，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技...

2024-09-29 標簽：FlaSh fram 鐵電存儲器 1980 0

鐵電存儲器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

給出了一種基于鐵電存儲器FM18L08和C5402接口的設(shè)計方案, 實現(xiàn)了基于并行引導裝載模式的DSP脫機獨立運行系統(tǒng)設(shè)計，并且該設(shè)計方案已成功的應(yīng)用到...

2011-08-09 標簽：DSP 鐵電存儲器 FM18L08 1944 0

國芯思辰|國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC和Flash混合存儲方案的氨氣檢測儀

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-07-03 標簽：存儲器鐵電存儲器國芯思辰 1704 0

基于FPGA的PLC解決方案

PLC的主機部分由中央處理器、輸入/輸出接口（I/0接口）通信、擴展接口、儲存器、設(shè)備接口和電源等部分構(gòu)成。其中，基于京微齊力FPGA HME-M7和舜...

2023-05-06 標簽：fpga plc 鐵電存儲器 1701 0

國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC可用于醫(yī)療CT掃描機，不用更換電池

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-11 標簽：存儲器鐵電存儲器 CT機 1495 0

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護儀

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-16 標簽：存儲器鐵電存儲器監(jiān)護儀 1476 0

使用國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可以讓穿戴式設(shè)備更加省電

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-24 標簽：鐵電存儲器穿戴式設(shè)備國芯思辰 1455 0

鐵電存儲器和憶阻器的區(qū)別

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類型的存儲技術(shù)，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景以...

2024-09-29 標簽：存儲技術(shù)憶阻器鐵電存儲器 1274 0

2M大容量鐵電存儲器PB85RS2MC性能參數(shù)

PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)...

2023-05-25 標簽：處理器 CMOS 鐵電存儲器 1258 0

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