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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)由汽車電子協(xié)會發(fā)布，旨在規(guī)范汽車電子器件的可靠性和質(zhì)量要求。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了多個方面，包括溫度范圍、濕度、機(jī)械沖壓、振動、可靠性等，總...
2023-08-18 標(biāo)簽：閃存DRAM網(wǎng)絡(luò)安全 522 0
nor flash和nand flash的區(qū)別 單片機(jī)是Nor還是Nand Flash？
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SR...
rh850的pflash和dflash數(shù)據(jù)分配（RH850/F1L-片上資源分配）
在RH850微處理器中，P-Flash（Program Flash）和 D-Flash（Data Flash）是兩種不同類型的閃存區(qū)域，用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...
2023-08-02 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)存儲slc 5612 0
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...
當(dāng)前業(yè)內(nèi)一般的做法是記錄塊的讀取次數(shù)，當(dāng)達(dá)到閾值時就把對應(yīng)塊上面的數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移，即讀回收（Read Reclaim）的操作。然而，在讀密集的應(yīng)用上，讀干...
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹T...
Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方...
嵌入式技術(shù)解析：頁、扇區(qū)、塊的區(qū)別
在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中，我們經(jīng)常會涉及到存儲器的概念，其中頁、扇區(qū)和塊是常見的術(shù)語。雖然它們都與存儲器有關(guān)，但它們具有不同的定義和用途。本文將深入探討頁、扇...
蘋果閃存和固態(tài)硬盤的區(qū)別 固態(tài)硬盤為什么不建議分區(qū)
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同...
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
通過“在線”(Online) 菜單中的命令“將用戶程序下載到存儲卡”(Download user program to memory card)，可將整...
ZNS SSD設(shè)計(jì)架構(gòu)及性能優(yōu)化
ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...
本文來自美國雪城大學(xué)Bryan S. Kim團(tuán)隊(duì)，發(fā)表于HotStorage'22，分析了均衡磨損在不同的場景下，所帶來的寫放大效果。從測試分...
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存...
使用ONFI 1到4加速前進(jìn)：50到800MBps
閃存最初是隨著外部存儲設(shè)備（例如USB存儲設(shè)備）進(jìn)入家庭的，容量非常適中，只有幾MB，現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到數(shù)百GB?，F(xiàn)在，它已經(jīng)無處不在，從智能手機(jī)到物聯(lián)網(wǎng)、可...
2023-05-26 標(biāo)簽：閃存usb物聯(lián)網(wǎng) 2966 0
智能手機(jī)中的高速內(nèi)存：MIPI UniPro v1.8 for JEDEC UFS v3.0
閃存是智能手機(jī)最重要的組件之一，每個新版本都會帶來更高的內(nèi)存容量和性能。近年來采用最快的閃存技術(shù)是通用閃存（UFS），UFS v2.1提供~11Gbps...
利用高級RPMB實(shí)現(xiàn)更快、更安全的UFS 4.0身份驗(yàn)證
在 5G 世界中，快速安全的連接非常重要。JEDEC 通用閃存 （UFS） 4.0 版有助于確保在我們的日常設(shè)備中實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。作為附加的安全元素，UFS...
淺談智能座艙常見數(shù)據(jù)存儲（NAND 閃存 TF卡）
根據(jù)TF卡的存儲量來看，一般16G內(nèi)存的卡可以錄制100分鐘視頻存儲，32G內(nèi)存的卡可以錄制200分鐘視頻存儲，64G內(nèi)存的卡可以錄制400分鐘視頻存儲
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之...
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