計(jì)算機(jī)SSD行業(yè)分類及產(chǎn)業(yè)鏈分析

固態(tài)驅(qū)動器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲芯片陣列構(gòu)成的存儲設(shè)備，由控制單元和存儲單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤完全一致，外形和尺寸也...

2023-10-12 標(biāo)簽：閃存SSD數(shù)據(jù)中心 3.2k 0

探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對“內(nèi)存墻”的可行性

首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...

2023-10-09 標(biāo)簽：閃存DRAMgpu 1.7k 0

基于FPGA實(shí)現(xiàn)NVME控制器

NVM Express ( NVMe ) 或 Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specifi...

2023-09-19 標(biāo)簽：fpga閃存控制器 4.1k 0

Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash，直譯數(shù)據(jù)閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”，這里講的數(shù)據(jù)閃存，其實(shí)就是單片機(jī)留給用戶存儲自己數(shù)據(jù)的地方...

2023-09-13 標(biāo)簽：單片機(jī)閃存FlaSh 3.3k 0

新款旗艦手機(jī)中的存儲器技術(shù)解析

從絲印上可以看出分別為：H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077（由于屏蔽罩遮擋，按照海力士命名規(guī)則第一個字母應(yīng)該是H）。 在海力...

2023-09-08 標(biāo)簽：閃存存儲器海力士 3.7k 0

3D NAND層數(shù)“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 1k 0

nor flash和nand flash的區(qū)別 單片機(jī)是Nor還是Nand Flash？

NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SR...

2023-08-07 標(biāo)簽：單片機(jī)閃存FlaSh 2.6k 0

rh850的pflash和dflash數(shù)據(jù)分配（RH850/F1L-片上資源分配）

在RH850微處理器中，P-Flash（Program Flash）和 D-Flash（Data Flash）是兩種不同類型的閃存區(qū)域，用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。

2023-08-05 標(biāo)簽：閃存微處理器DFlash 9.2k 0

pSLC閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)存儲slc 6.1k 0

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：閃存NANDFlaSh 2.9k 0

嵌入式eMMC存儲讀干擾應(yīng)對方案

當(dāng)前業(yè)內(nèi)一般的做法是記錄塊的讀取次數(shù)，當(dāng)達(dá)到閾值時就把對應(yīng)塊上面的數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移，即讀回收（Read Reclaim）的操作。然而，在讀密集的應(yīng)用上，讀干...

2023-07-29 標(biāo)簽：閃存嵌入式emmc 1.7k 0

YTM32系列MCU Flash模塊功能詳解

Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方...

2023-07-24 標(biāo)簽：mcu閃存寄存器 5.7k 0

嵌入式技術(shù)解析：頁、扇區(qū)、塊的區(qū)別

在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中，我們經(jīng)常會涉及到存儲器的概念，其中頁、扇區(qū)和塊是常見的術(shù)語。雖然它們都與存儲器有關(guān)，但它們具有不同的定義和用途。本文將深入探討頁、扇...

2023-07-20 標(biāo)簽：閃存嵌入式存儲器 8k 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存NAND晶體管 3.7k 0

西門子:了解S7-400的存儲卡

通過“在線”(Online) 菜單中的命令“將用戶程序下載到存儲卡”(Download user program to memory card)，可將整...

2023-07-09 標(biāo)簽：閃存plc存儲卡 4k 0

ZNS SSD設(shè)計(jì)架構(gòu)及性能優(yōu)化

ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...

2023-06-29 標(biāo)簽：閃存DRAM存儲介質(zhì) 1.7k 0

高密度閃存下的均衡磨損是否總是有效？

本文來自美國雪城大學(xué)Bryan S. Kim團(tuán)隊(duì)，發(fā)表于HotStorage'22，分析了均衡磨損在不同的場景下，所帶來的寫放大效果。從測試分...

2023-06-07 標(biāo)簽：負(fù)載閃存算法 1.2k 0