，由此提升閃存芯片廠商的競爭力。未來，面對下游市場的變化，閃存產(chǎn)業(yè)會出現(xiàn)哪些變化，具備哪些優(yōu)勢的產(chǎn)品會給閃存芯片廠商帶來的新的發(fā)展機會？ 消費級市場需求疲軟，服務(wù)器成為閃存市場增長大頭 在全球閃存市場中，當(dāng)前主
2022-10-17 09:52:00
3447 由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我們對四種常見閃存設(shè)計部署方法進(jìn)行了分析，它們都有各自的優(yōu)點和缺點。
2013-06-18 14:15:402605 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
在過去幾年里，汽車應(yīng)用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對NOR 閃存的市場需求迅猛增長。
2017-09-27 11:59:2510399 ?閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術(shù)，通過采用特殊的控制算法和管理方法，在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲單元。 1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間，其性能接近于SLC； 2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)
2023-08-02 15:16:596489 
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
有一顆EMMC，要用PSLC模式燒錄，請問各位大俠PSLC是什麼？
2012-04-17 11:55:58
KW38 中的“程序閃存的高級閃存安全”是什么意思？
2023-02-28 06:18:21
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
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2020-12-26 17:28:46
什么是閃存？為何國產(chǎn)存儲芯片eMCP有著不可替代的優(yōu)勢?
2021-06-18 07:51:33
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來源：什么是基于閃存平臺的存儲管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
什么是內(nèi)存（RAM）？什么是閃存（ROM）？內(nèi)存與閃存之間的區(qū)別在哪里？內(nèi)存與閃存之間有什么不同？
2021-06-18 09:41:00
的成本、設(shè)計效率及重要性，基于MCU的解決方案可為設(shè)計者們提供諸多優(yōu)勢。通過選擇帶適當(dāng)外圍與閃存的8 位MCU，工程師們能充分利用其優(yōu)勢來設(shè)計一種離線鋰電池充電器。帶2KB 閃存及適當(dāng)外圍以提供一種廉價
2011-01-13 09:35:28
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2021-10-29 19:13:21
）配置比特流時，這種11引腳雙QSPI配置將具有非常大的優(yōu)勢。閃存配置下一代閃存采用x1（主要用于SFDP訪問）、x4或x8 IO總線寬度運行，支持SDR或DDR格式傳輸數(shù)據(jù)，并且通過使用新的數(shù)據(jù)選
2021-05-26 07:00:00
過程，其中包括對整個價值鏈的優(yōu)化，而這只能通過對總成本予以足夠重視來實現(xiàn)。將閃存用于智能卡IC的優(yōu)勢在面向支付、身份識別和交通應(yīng)用的大用量芯片卡市場上，要應(yīng)對強大的價格壓力，固定式掩模ROM（只讀存儲器
2018-12-07 10:19:51
收購鉭電容（專業(yè)優(yōu)勢高價）鉭電容回收【帝歐電子 財富熱線 ***QQ：879821252 】 收購鉭電容，收購AVX鉭電容，收購NEC鉭電容，收購KEMET(基美）鉭電容，收購VISHAY(威士
2021-01-06 17:07:48
嗨，我們想用Spartan 6汽車級FPGA（XA6SLX100-2FGG484Q-ND）設(shè)計一種新的PCB。請為設(shè)計指定SPI配置閃存，因為Xilinx（間接編程簡介 - SPI或BPI閃存）中列出的所有SPI閃存都是合法的。請建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51
在過去幾年里，汽車應(yīng)用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對NOR 閃存的市場需求迅猛增長。
2019-08-09 06:31:34
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2021-01-04 17:10:16
有一顆元件是EMMC，需要用PSLC模式燒錄，請問PSCL是什麼意思？到處都找不到這個資料，請各位大俠幫忙！
2012-04-17 11:52:49
閃存卡類型
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中
2010-01-09 14:54:281112 閃存卡的存取速度 存取速度是指閃存卡在被寫入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)時的數(shù)據(jù)傳輸速度。不同類型的閃存卡采用
2010-01-09 15:03:291229 閃存卡的電壓 不同類型的閃存卡具有不同的規(guī)
2010-01-09 15:04:411351 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲器，這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5612479 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見的用法是簡單的流模式，它沒有
2010-06-21 15:10:22708 
被稱之為USB閃存驅(qū)動器、“U盤驅(qū)動器”或“USBDONGLE”的USB類存儲設(shè)備，真正使數(shù)據(jù)存儲的方式發(fā)生了革命性的變革并極大地推動了便攜性的發(fā)展。自2000年誕生以來，在全球各
2010-09-07 17:28:044388 
本內(nèi)容介紹了usb閃存盤是什么意思，包括usb閃存盤的組成及閃存盤的存儲原理。
2011-12-21 11:19:1013653 LPC1138閃存(Flash)，有需要的下來看看。
2016-01-13 16:45:57
20 IBM今日宣布推出閃存存儲系列全新產(chǎn)品，以幫助客戶更快實現(xiàn)數(shù)據(jù)價值，進(jìn)而轉(zhuǎn)化為競爭優(yōu)勢。IBM推出了三大具備業(yè)界領(lǐng)先性能的全閃存陣列產(chǎn)品，其最低延遲僅為250微秒，將解決快速訪問云端應(yīng)用程序和工作負(fù)載海量數(shù)據(jù)帶來的巨大挑戰(zhàn)。
2016-05-06 15:27:531593 VMAX 全閃存
2016-12-25 00:20:540 EMC UNITY 全閃存
2016-12-25 00:20:440 閃存解決企業(yè)存儲問題
2016-12-25 00:20:220 NetApp_閃存解決方案為數(shù)據(jù)庫工作負(fù)載帶來的優(yōu)勢
2016-12-29 12:01:010 NetApp純閃存FAS
2016-12-28 14:54:090 閃存存儲：多樣化的業(yè)務(wù)目標(biāo)需要多樣化的閃存解決方案
2016-12-28 11:13:110 近日閃存門可謂是愈演愈烈，而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當(dāng)然之前三星之前就在閃存描述下面指出，“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗證，部分美版的Galaxy S8/S8+手機使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54820 
三星作為手機行業(yè)的上游霸主，有著強大的科技創(chuàng)新實力以及完整的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，再加上其身為國際大品牌的影響力促使其對名譽有著更加負(fù)責(zé)任的擔(dān)當(dāng)精神，這也使得三星手機對自身要求更加苛刻，對于三星在閃存上的優(yōu)勢，源于其強大的市場基礎(chǔ)。
2017-05-11 10:03:0911294 華為榮耀9這幾天才上市，胡歌是這款手機的代言人，讓人好不喜歡，可是華為p10就爆出閃存門事件，那么華為榮耀9存在閃存門嗎？閃存門怎么測試？一起來看看。
2017-06-13 16:55:166186 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1396142 
東芝閃存芯片
2017-10-17 11:13:3815 人們對于閃存和磁盤之間的爭議從來沒有停止過，更多地關(guān)注是他們的性價比。相對于磁盤，閃存無論是在性能提升，閃存的速度一部分原因在于NAND的使用，閃存值得關(guān)注的另一個方面是它的可靠性。
2017-12-24 12:04:181534 UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機狀態(tài)。
2018-02-20 10:13:003399 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986 隨著成本降低和技術(shù)進(jìn)步，閃存越來越多的被企業(yè)級數(shù)據(jù)中心作為存儲介質(zhì)使用。相比傳統(tǒng)的磁盤介質(zhì)，閃存的優(yōu)勢顯而易見：速度快，耗電低，省空間。特別在速度方面，閃存具有壓倒性的優(yōu)勢。
2018-05-09 13:46:002427 
SuperFlash?閃存擦除介紹
2018-06-05 13:45:004755 
的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4851340 Dell EMC公司推出一款NVMe全閃存陣列產(chǎn)品PowerMax，其性能優(yōu)于市場上其他全閃存陣列，是目前全球速度最快的全閃存陣列。
2018-07-24 15:48:484072 Vantara、Kaminario七家廠商所把持。除Pure Storage和Kaminario以外，其他五大廠商均長期占據(jù)傳統(tǒng)存儲市場的第一陣營，而今天它們將傳統(tǒng)存儲的優(yōu)勢延續(xù)到了新興的全閃存市場。
2018-07-26 17:02:014874 到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤的好處就不用多說了，現(xiàn)在不僅容量在提升，價格也不斷走低，這導(dǎo)致了性價比更有優(yōu)勢的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001941 存儲，憑借其卓越的性能、完備的企業(yè)級特性、效率優(yōu)勢，滿足數(shù)據(jù)庫、虛擬桌面（VDI）、虛擬服務(wù)器（VSI）等場景應(yīng)用訴求，幫助金融、制造、運營商等行業(yè)客戶向全閃存時代平滑演進(jìn)。
2019-03-01 16:54:421110 傳統(tǒng)上，磁盤存儲相較于閃存的關(guān)鍵優(yōu)勢在于容量價格。對于容量為幾GB的小型USB閃存盤，閃存的價格能夠讓人接受。但是當(dāng)涉及到企業(yè)計算環(huán)境時，將整個組織的數(shù)據(jù)存儲在閃存中，高昂的價格讓人望而生畏。
2019-03-15 14:22:293136 在手機選擇上，或許很多人只看重處理器和運行內(nèi)存，這是沒錯的，強悍硬件是手機擁有好體驗的基礎(chǔ)。不過，對于當(dāng)下5G手機而言，不僅要看處理器，產(chǎn)品配備UFS閃存的規(guī)格也是非常關(guān)鍵的，其直接影響到手機是否擁有流暢體驗。
2019-11-04 11:19:572475 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597 對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個塊包含多個頁
2020-07-22 11:56:266212 
無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對閃存的了解和認(rèn)識，本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5889196 
兩大存儲芯片中，內(nèi)存未來的價格走勢風(fēng)云變幻，而閃存的價格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產(chǎn)能，但是閃存明年Q1季度價格還會繼續(xù)跌，跌幅在10-15%不等，SSD硬盤不怕漲價了。
2020-12-14 15:26:391903 100+層。 這么多年了，大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC閃存類型的區(qū)別，QLC閃存量產(chǎn)上市才2年左右，但是發(fā)展很快，因為它的容量、成本優(yōu)勢最大，消費者不爽的主要是性能差，尤其是緩存外性能不如HDD硬盤，還有就是可靠性差，擔(dān)心會掛。 前不久Intel發(fā)布了144層堆棧
2020-12-25 10:50:252768 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:003003 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 10:05:082536 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長時間。對于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:442376 根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，Dell EMC正在建立比NetApp更大的全閃存陣列（AFA）收入領(lǐng)先優(yōu)勢。NetApp在這個市場上仍然排名第二，但是華為和Pure Storage正在快速追趕
2021-04-01 15:43:243697 
STM32閃存編程手冊(嵌入式開發(fā)和編程)-STM32閃存編程手冊?STM32開發(fā)必備技術(shù)文檔之一
2021-08-04 12:44:2353 三級單元（TLC）、多級單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術(shù)。開發(fā)人員需要了解存儲的基本機制和存儲級別的效果，以了解哪些閃存產(chǎn)品最適合特定應(yīng)用。只有這樣，他們才知道該問供應(yīng)商什么問題。
2022-10-24 11:43:251124 圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)揘AND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:322425 
，SLC顆粒性能最好、可擦寫次數(shù)最高，但其容量成本比往往令人望而卻步。 企業(yè)該如何以更經(jīng)濟的成本獲得媲美SLC顆粒長壽命、高效能的存儲方案呢？ 為解決這一痛點，佰維自研的 pSLC（Pseudo SLC） 固件技術(shù)應(yīng)運而生，搭配先進(jìn) LDPC糾錯 技術(shù)，打造佰維超強耐久SSD。
2023-03-20 09:57:121527 
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:033113 
近日，MK米客方德推出工業(yè)級pSLCeMMC，創(chuàng)新的pSLC應(yīng)用，使得產(chǎn)品的擦寫壽命大幅提升，能夠滿足工業(yè)客戶對可靠性的嚴(yán)苛要求。圖一：4GBeMMC產(chǎn)品pSLC是一種介于SLC和MLC之間的技術(shù)
2022-05-13 15:46:202812 
ThermoStream 超高速高低溫循環(huán)測試機憑借可測試溫度 -100 ℃ 至 +300 ℃，每秒可快速升溫或降溫 18°C，溫度精度 +-1.0℃等優(yōu)勢廣泛應(yīng)用于閃存制造行業(yè)。
2022-06-20 11:09:232090 
UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù)，用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0325571 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:352306 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲陣列方面性能優(yōu)勢.pdf》資料免費下載
2023-08-28 16:44:060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實現(xiàn)閃存存儲優(yōu)勢的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計注意事項.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:02:270 ~512Gb512Kb-32Mb擦除寫入速度SDNAND的讀取速度較快，例如MK-米客方德8GB的MKDN032GIL-AA工業(yè)級pSLC芯片的實測讀取速度可達(dá)42.8MBy
2023-08-28 14:12:041560 
NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù)，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面對兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 我們在接觸存儲芯片時，會了解到FLASH晶圓的類型。隨著時間的變化FLASH類型發(fā)展也由SLC、MLC、TLC、3DTLC等，但PSLC卻是一種革新性的存儲技術(shù)，今天我們來一起了解一下PSLC
2024-11-01 10:03:181538 
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