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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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根據(jù)Nor Flash的原理,它是使用CHE來編碼,然后使用FN Tunning 來擦除,而電荷注入機(jī)制對這兩個因素的印象很大。
本視頻為大家介紹了高性價比高集成的XC800單片機(jī)系列。
超分辨光刻裝備落地,可實現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)
國內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對進(jìn)口依賴非常高,特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片,國內(nèi)的技術(shù)落后,還不能完全國產(chǎn)替代。國內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的,很多人都知...
現(xiàn)在在MCU上實現(xiàn)固件升級(OTA)功能變得越來越普遍,今天我們就來探討一下MCU固件升級(OTA)的幾種閃存(Flash)劃分方式。
三星960系列M.2 SSD評測:最高速度3500MB/s!
說到性能最強(qiáng)的M.2 SSD,那非三星的960 PRO莫屬,在目前絕大多數(shù)M.2 SSD的最高速度只有2600MB/s的時候,這款產(chǎn)品的最高速度竟達(dá)到了...
多年來,汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知,汽車半導(dǎo)體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元,而隨著ADAS的增加、燃油效...
固態(tài)硬盤的耐用性受多方面的影響,如何能讓它更加長壽?
采用BiCS閃存的東芝固態(tài)硬盤在閃存耐用性上獲得了極佳的保障。內(nèi)置SSD溫度傳感器配合主控保護(hù)算法,能夠避免高溫給固態(tài)硬盤帶來損害。對于固態(tài)硬盤而言,唯...
非易失性存儲器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)?
閃存幾乎無處不在,特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸,隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加,閃存不斷地推動著越來越多的平臺中硬盤驅(qū)動...
SSD上成功地進(jìn)行全系統(tǒng)的本地權(quán)限提升的攻擊的要求
Rowhammer [10,19]把硬件的內(nèi)部運作引入到我們的注意力中。 Rowhammer利用內(nèi)存管理更深層次的缺陷來破壞敏感的內(nèi)存區(qū)域。最近的工作表...
如何能夠讓用戶放心使用全閃陣列,保障在5年內(nèi)存儲系統(tǒng)不會因為SSD壽命耗盡而出現(xiàn)問題,是全閃陣列廠商面臨的挑戰(zhàn)。
耐輻射FPGA具備高可靠性和可重構(gòu)性,助力解決航天器設(shè)計中的挑戰(zhàn)
在各種輻射效應(yīng)中,有一種稱為總電離劑量(TID),它是由空間中的帶電粒子和伽馬射線引起的輻射所致。
發(fā)現(xiàn)閑置的物理塊區(qū)塊個數(shù)不足(少于3),啟動垃圾回收,將物理區(qū)塊3上的有效數(shù)據(jù)(LBA3 數(shù)據(jù))寫至物理區(qū)塊4,更新LBA3的邏輯物理塊映像表格,并將物...
利用高級RPMB實現(xiàn)更快、更安全的UFS 4.0身份驗證
在 5G 世界中,快速安全的連接非常重要。JEDEC 通用閃存 (UFS) 4.0 版有助于確保在我們的日常設(shè)備中實現(xiàn)這一點。作為附加的安全元素,UFS...
基于RISC-V內(nèi)核的K1986BK025微控制器的功能和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
目前,基于開放標(biāo)準(zhǔn)指令集架構(gòu)RISC-V的解決方案在市場上的占有率越來越高。今天我們?yōu)榇蠹医榻B一款俄羅斯初創(chuàng)公司Milandr剛剛推出的RISC-V處理...
本系列視頻總共分為5部分。在第1部分視頻中,介紹Maxim獨有的外設(shè)管理單元(即PMU),及其如何減輕CPU核心的負(fù)載,有效延長應(yīng)用的電池壽命。在下節(jié)視...
2018-10-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器閃存電源管理 4.8k 0
Spansion中國區(qū)技術(shù)支持淺談Spansion最新65nm技術(shù)GL-S系列NOR閃存產(chǎn)品
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