閃存幾乎無處不在，特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加，閃存不斷地推動著越來越多的平臺中硬盤驅(qū)動器的發(fā)展。

　　NAND和NOR閃存主導(dǎo)著固態(tài)非易失性存儲器（NVM）市場，但是這些閃存并不是唯一可用的技術(shù)。不會明確地暴露閃存的外形尺寸是使用非閃存技術(shù)來替代的可能目標(biāo)。比如，非閃存產(chǎn)品正在串行存儲領(lǐng)域中暫露頭角。

　　圖1：閃存具有各種外形尺寸，包括SecureDigital（a）、MicroSD（b）、Sony記憶棒（c）、緊湊型閃存（d）和mSATA（e）。它們一般都采用NAND閃存

　　非易失性固態(tài)存儲器

　　一方面是一次性可編程（OTP）存儲器?，F(xiàn)在，OTP存儲器一般用來保存安全密鑰或網(wǎng)絡(luò)ID。它是采用諸如熔絲、反熔絲和浮柵等各種技術(shù)實現(xiàn)的。這種存儲器還可以采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)來實現(xiàn)。

　　帶動NVM規(guī)模的是各種多次可編程（MTP）存儲器技術(shù)，這類技術(shù)可以寫入上百次甚至上千次。MTP存儲器一般用來實現(xiàn)很少更改的啟動代碼。與OTP一樣，MTP一般是采用CMOS技術(shù)實現(xiàn)的，這樣就可以用在數(shù)字邏輯中。

　　浮柵EEPROM已經(jīng)在數(shù)據(jù)存儲中得到普遍的應(yīng)用。由于具有寫入單字節(jié)的能力、良好的耐力和數(shù)據(jù)保持能力，浮柵EEPROM已經(jīng)相當(dāng)流行，但是閃存技術(shù)在密度上遠(yuǎn)勝于浮柵EEPROM。EEPROM仿真常常被視為某些閃存實現(xiàn)方案的一種功能，它可以隱藏閃存的塊擦除要求，以便能夠?qū)懭雴蝹€字節(jié)。

　　其他的非易失性技術(shù)正在不斷地提升閃存的優(yōu)勢，包括磁阻RAM（MRAM）、鐵電RAM （FRAM）、相變存儲器（PCM）以及前途無量的NVM技術(shù)。與NAND和NOR閃存等其他NVM技術(shù)相比，這些技術(shù)都具有更高的總體性能，包括寫入速度、電壓要求、缺少頁面擦除周期、長期耐用性、數(shù)據(jù)保持能力和可擴展性。

　　這些技術(shù)開始是針對利基市場，在這種市場中，成本高一點并沒有什么問題（至少在初期階段是這樣），其優(yōu)勢相當(dāng)明顯。它們甚至?xí)l(fā)SRAM與DRAM之間的激烈競爭。

　　德州儀器（TI）公司的16位MSP430FR57xx系列以其高達(dá)16 kB的用于數(shù)據(jù)存儲和程序存儲的FRAM而著稱。該系列存儲器具有代表性地融合了SRAM、閃存和EEPROM存儲器。單個方案就可以降低庫存單位（SKU）數(shù)，并簡化開發(fā)人員的工作，使他們不再需要應(yīng)付程序存儲的RAM要求。

　　今后，這些可供選擇的NVM技術(shù)將在更多的設(shè)計中得到應(yīng)用。不過現(xiàn)在，閃存仍是主導(dǎo)的NVM技術(shù)。