推出A31M223-搭載Cortex-M0+內(nèi)核、80MHz主頻和64KB閃存的少引腳電機(jī)控制MCU

ADC可與運(yùn)放和比較器混合使用，支持內(nèi)置/外置Oscillator和PLL以及DMA。它還提供UART、SPI和I2C的多種接口，以及16位定時(shí)器和32...

2023-11-01 標(biāo)簽：閃存adc定時(shí)器 1.7k 0

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D T...

2023-07-19 標(biāo)簽：閃存NAND數(shù)據(jù)傳輸 1.7k 0

內(nèi)存和固態(tài)的顆粒產(chǎn)能進(jìn)入了供大于求的階段 價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑

整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)，在2018年的最后倆月里，稍微讓人緩了口氣，內(nèi)存價(jià)格一路走低，到了雙十一期間，有些品牌的DDR4 8G內(nèi)存下探到了350元以下。過(guò)了一個(gè)月...

2018-12-26 標(biāo)簽：閃存DRAM內(nèi)存 1.7k 0

出售閃存的英特爾，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)依然“風(fēng)騷”

雷鋒網(wǎng)消息，12月15日、16日，英特爾舉辦了內(nèi)存存儲(chǔ)日線上活動(dòng)，重磅發(fā)布6款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括2款傲騰固態(tài)盤、3款采用144層存儲(chǔ)單元的全新NA...

2020-12-17 標(biāo)簽：英特爾閃存存儲(chǔ) 1.7k 0

東芝發(fā)布新一代BiCS FLASH全球首款256Gb、48層堆疊閃存

　東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適...

2015-08-19 標(biāo)簽：東芝閃存固態(tài)硬盤 1.7k 0

華為召開(kāi)“華為手機(jī)開(kāi)放日”余承東反思閃存門事件并自嘲“余大嘴”

昨天，余承東以及他的團(tuán)隊(duì)首次召開(kāi)了“華為手機(jī)開(kāi)放日”，希望以開(kāi)放、不躲避質(zhì)疑的心態(tài)，接受媒體的提問(wèn)，并且反思了此前的華為P10閃存事件。

2017-05-17 標(biāo)簽：閃存華為余承東 1.7k 0

東芝閃存取消轉(zhuǎn)讓交易，這是坐地起價(jià)還是不需要賣了？

日本東芝公司以180億美元轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的交易，至今仍未完成，預(yù)計(jì)五月底中國(guó)政府將給出反壟斷審核批復(fù)。據(jù)外媒最新消息，東芝的活躍股東日前表示，閃存業(yè)...

2018-06-22 標(biāo)簽：東芝閃存 1.7k 0

TrendForce：全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降，進(jìn)一步降低閃存價(jià)格

11 月 27 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2020 年第四季度，全球 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。 ...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存NAND行業(yè) 1.7k 0

閃存價(jià)格將持續(xù)暴跌，中國(guó)公司或成漲價(jià)的關(guān)鍵

雙11期間，SSD硬盤有不少好價(jià)出現(xiàn)，大家買了沒(méi)？閃存市場(chǎng)的趨勢(shì)差不多了，今年還會(huì)繼續(xù)跌，廠商期盼的漲價(jià)要到2021年下半年才能出現(xiàn)。

2020-11-09 標(biāo)簽：閃存內(nèi)存SSD 1.7k 0

華為P10閃存風(fēng)波背后：深層次剖析閃存門，三星等韓系供應(yīng)鏈的打壓

一個(gè)小到掉地板上也不好撿的閃存部件，給華為手機(jī)帶來(lái)一場(chǎng)輿論風(fēng)波。其背后，是這樣一個(gè)事實(shí)：雖然中國(guó)已經(jīng)是全球智能手機(jī)生產(chǎn)大國(guó)，但核心部件的供應(yīng)鏈卻掌握在日...

2017-05-30 標(biāo)簽：閃存三星電子華為 1.7k 1

余承東再次回應(yīng)閃存門！華為P10的eMMC比三星UFS做的都好！

關(guān)于華為P10閃存事件已經(jīng)過(guò)去了一段時(shí)間了，華為除了說(shuō)可以去專賣店涂疏油層其余沒(méi)有任何賠償舉措。余承東也是多次發(fā)聲，表示不會(huì)影響使用。

2017-05-16 標(biāo)簽：閃存余承東華為p10 1.7k 0

浪潮存儲(chǔ)增長(zhǎng)迅速，目標(biāo)中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)第二

1月26日，在浪潮2017年度盤點(diǎn)會(huì)上，浪潮集團(tuán)副總裁彭震透露，最新的Gartner報(bào)告顯示，浪潮在全球x86服務(wù)器市場(chǎng)份額居全球第三，同比去年取得了...

2018-07-02 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 1.6k 0

正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度

正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度 在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場(chǎng)高速擴(kuò)大的今天，存儲(chǔ)器的需求量迅猛增長(zhǎng)。在眾多存儲(chǔ)器類型中，NOR型閃存由于具有隨

2009-11-23 標(biāo)簽：閃存緩沖區(qū) 1.6k 0

由于三星和SK海力士的控制，內(nèi)存降價(jià)幅度不會(huì)太大

內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒(méi)來(lái)得及興奮，壞消息就來(lái)了。據(jù)臺(tái)灣媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計(jì)...

2018-09-07 標(biāo)簽：閃存三星電子內(nèi)存 1.6k 0

新iPhone或延遲發(fā)布 引發(fā)閃存商擔(dān)憂

最近有人推測(cè)蘋果下一代iPhone的發(fā)布時(shí)間有可能推遲至十月份。這一消息引起了諸多NAND閃存芯片制造商對(duì)2012年下半年需求量的關(guān)注。

2012-07-20 標(biāo)簽：閃存iPhone5新iPhone 1.6k 0

三星西安項(xiàng)目二期啟動(dòng) 意圖打造最大的閃存芯片制造基地

12 月 11 日訊，昨日，陜西省委常委、市委書記王浩，市長(zhǎng)李明遠(yuǎn)會(huì)見(jiàn)三星電子非終端部門經(jīng)營(yíng)支援負(fù)責(zé)人、副社長(zhǎng)姜鳳勇，三星電子芯片項(xiàng)目取得重要突破，項(xiàng)目...

2019-12-11 標(biāo)簽：閃存三星電子 1.6k 0

華為Dorado V6閃存普惠有什么優(yōu)勢(shì)

華為存儲(chǔ)從2002年開(kāi)始投入，已經(jīng)走過(guò)17個(gè)年頭。到今天，全球已經(jīng)超過(guò)1萬(wàn)客戶選擇了華為存儲(chǔ)，在金融、運(yùn)營(yíng)商、能源、大企業(yè)各行各業(yè)的核心系統(tǒng)上都有Oce...

2019-07-27 標(biāo)簽：閃存華為 1.6k 0

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運(yùn)行在了一個(gè)高性能通道內(nèi)。

2012-04-06 標(biāo)簽：閃存NAND半導(dǎo)體芯片 1.6k 0