此前，聯(lián)蕓科技技術副總裁許偉博士在2018年8月9日（美國時間）的Flash Controller Design Options 論壇，向全球存儲精英分享聯(lián)蕓科技在SSD主控芯片方面的“Self-Adaptive NAND Flash DSP” 核心技術和最新研究成果。

隨著市場對低成本存儲的追求和技術的進步，閃存技術從 SLC 時代已經(jīng)跨入 3D TLC 時代，然而 3D TLC 技術發(fā)展已經(jīng)不能滿足市場對更低成本NAND顆粒的追求，QLC技術成為未來 NAND 顆粒技術發(fā)展一個重要方向。QLC 技術的突破，使得 NAND 顆粒位密度增長了25%，但受到 NAND 閃存工藝、閾值電壓分布以及使用的不同環(huán)境的影響，如何延長 QLC 技術 NAND 顆粒的使用壽命和增加其可靠性、穩(wěn)定性，這對 NAND 閃存控制器提出了巨大的挑戰(zhàn)。

聯(lián)蕓科技憑借其在 NAND 閃存特性研究方面多年累積以及和國際顆粒原廠保持的良好合作關系，針對 NAND 顆粒閾值電壓分布特性及 NAND 顆粒對溫度敏感特性研究，結合聯(lián)蕓科技自主開發(fā)的LDPC（Low Desity Parity Check Code，低密度奇偶校驗碼）技術與聯(lián)蕓科技自適配 NAND DSP 技術，全面提升 NAND 閃存顆粒的可控性、穩(wěn)定性和使用壽命，并縮短讀取響應時間，提升性能。

在讀取 NAND 數(shù)據(jù)時，非最優(yōu)的讀取電壓會明顯增加 NAND 的 BRE（Bit Error Ratio，比特錯誤率），非優(yōu)化的軟數(shù)據(jù)讀取降低了 LDPC 軟解碼余量。此外，導致 NAND 閃存數(shù)據(jù)發(fā)送錯誤的還有多種因素，包括：流程差異、擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保留時間、讀取干擾、高要求工作溫度等，直接挑戰(zhàn)著 NAND 閃存數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。聯(lián)蕓科技自主研發(fā)的NAND閃存自適配 DSP（Digital signal process，數(shù)字信號處理）技術被應用在動態(tài)跟蹤 NAND 特性中。除了來自 NAND 分析的大數(shù)據(jù)的靜態(tài) NAND 建模之外，該DSP算法能夠即時學習 NAND 讀取的 NAND 閾值電壓分布，并動態(tài)調整 NAND 特性。

聯(lián)蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術，能快速提升 LDPC 硬解碼和軟解碼的數(shù)據(jù)錯誤恢復能力，收集讀取數(shù)據(jù)塊的更多信息，并不斷的在先前失敗的 LDPC 解碼中學習，利用時間和空間局部性來學習其他 NAND 讀取數(shù)據(jù)塊的糾錯能力。

聯(lián)蕓科技 MAS090X 系列固態(tài)硬盤主控芯片，脫胎于 JMicron（智微科技）在高速接口方面的技術實力，并彌補了 JMicron 在 NAND 顆粒適配及糾錯能力的不足，全新推出的一款具備國際競爭力的 SSD 主控芯片。該芯片在系統(tǒng)兼容性方面全面領先國際競爭對手，在 LDCP 糾錯能力以及NAND 顆粒適配方面也可與國際一流廠商進行對標 PK。該芯片采用極具競爭力的單 CPU+ 硬件協(xié)處理設計技術，在提升其可靠性、穩(wěn)定性、性能的同時，為客戶定制開發(fā)提供巨大的便利性。聯(lián)蕓科技將持續(xù)在高端存儲控制芯片及解決方案方面投入資金，為客戶帶來極具競爭力的全系列 SSD 主控芯片及解決方案。