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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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紫光國微上半年凈利潤(rùn)13.92億元,同比增長(zhǎng)16.22%
在特殊集成電路領(lǐng)域,紫光國微的fpga產(chǎn)品繼續(xù)保持著行業(yè)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,用戶范圍也在不斷擴(kuò)大。新一代高性能產(chǎn)品的研發(fā)正在順利進(jìn)行,即將完成研發(fā)。特殊n...
NAND 供應(yīng)數(shù)量現(xiàn)已遠(yuǎn)超市場(chǎng)需求,這將會(huì)導(dǎo)致 2019 年一季度多個(gè)類別的產(chǎn)品價(jià)格下跌或高達(dá) 20% 。為確保短期和長(zhǎng)期的盈利能力,三家制造商已于過去...
產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布,將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會(huì)上,該標(biāo)準(zhǔn)...
12月底,日本媒體即報(bào)道,東芝將會(huì)對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)行分拆等重組計(jì)劃。詳細(xì)計(jì)劃近日終于出臺(tái)。
三星計(jì)劃投資1266億元 鞏固自己在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的老大地位
據(jù)外媒報(bào)道,三星電子本周二發(fā)布消息稱,公司將在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合人民幣1266億元),以鞏固自己在存儲(chǔ)芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位...
5G時(shí)代下UFS 3.0高速閃存技術(shù)將得到快速發(fā)展
隨著我國5G基站的進(jìn)一步建設(shè),以及各大運(yùn)營商5G套餐的落地,我們期盼已久的5G時(shí)代已走進(jìn)我們的生活。為了快速體驗(yàn)5G網(wǎng)絡(luò)的暢享服務(wù),消費(fèi)者們紛紛開啟了自...
根據(jù)行業(yè)分析師的預(yù)測(cè),全球物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從 2024 年的 7144.8 億美元增長(zhǎng)到 2032 年的約 4 億美元。市場(chǎng)能夠以 24....
2024-12-27 標(biāo)簽:閃存物聯(lián)網(wǎng)華邦電子 992 0
熱能的應(yīng)用 大幅度延長(zhǎng)閃存壽命周期
現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長(zhǎng)。延長(zhǎng) NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。
三星晶圓廠事故 或?qū)⒂绊懭騼?nèi)存、閃存行業(yè)走勢(shì)
前兩天三星位于韓國的華城工業(yè)園的幾座晶圓廠遭遇停電事故,事后發(fā)現(xiàn)停電只有3分鐘而已,但已經(jīng)波及了三星內(nèi)存、閃存及邏輯芯片代工三大業(yè)務(wù)。消息一出,全球相關(guān)...
將在2020年造成最大破壞的五種存儲(chǔ)技術(shù)介紹
幾十年來,主要根據(jù)容量和速度來衡量存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。不再。近年來,通過使存儲(chǔ)變得更智能,更靈活且更易于管理的先進(jìn)新技術(shù)和方法,這些穩(wěn)定的基準(zhǔn)得到了增強(qiáng)甚至被取代。
2019-11-21 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)技術(shù) 989 0
國產(chǎn)固態(tài)硬盤新勢(shì)力 紫光閃存即將首戰(zhàn)618
隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速推進(jìn),數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不再僅僅是保存信息的簡(jiǎn)單功能,而已然成為支撐現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)社會(huì)運(yùn)行的基礎(chǔ)設(shè)施之一。當(dāng)前,基于閃存介質(zhì)的固...
新華三在存儲(chǔ)領(lǐng)域的最新技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展淺析
北京,2018年12月11日——以“智數(shù)據(jù),創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京召開,來自政府部門、高校與科研機(jī)構(gòu)以及業(yè)界領(lǐng)先廠商的技術(shù)專家...
中端存儲(chǔ)勢(shì)頭強(qiáng)勁,國內(nèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)領(lǐng)跑
與中低端存儲(chǔ)相比,高端存儲(chǔ)擁有更大的容量和更強(qiáng)的可擴(kuò)展性,在與大量主機(jī)相連的同時(shí)也具備高性能和高可用性。但采購成本對(duì)于中端用戶來說是一個(gè)關(guān)鍵的考慮因素。...
5G時(shí)代就緒:刺激全閃存的市場(chǎng)增長(zhǎng)
數(shù)據(jù)的不斷增長(zhǎng)和企業(yè)對(duì)數(shù)據(jù)管理不斷變化的需求,一直推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。從早期以解決存儲(chǔ)容量為目的的DAS,到實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)更多功能的SAN和NAS,再到以提...
2019-05-30 標(biāo)簽:閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 984 0
三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無法恢復(fù)
三星電子計(jì)劃將其NAND閃存價(jià)格提高10%,原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
ISSI最新推出符合AEC-Q100要求的512Mb SPI NOR閃存
ISSI是一家無晶圓廠的半導(dǎo)體公司,為以下主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售高性能集成電路:汽車和通信,工業(yè)和醫(yī)療以及數(shù)字消費(fèi)者。ISSI的主要產(chǎn)品是SRAM,DR...
Q3季度NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,2020年NAND市場(chǎng)或?qū)⑦M(jìn)行大洗牌
今年Q1季度到Q2季度以來,NAND閃存價(jià)格一直在下滑,市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了,本來預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升,藉此提振下NAND價(jià)格,不...
需求方面,2023下半年移動(dòng)DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash閃存(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate 60系列等也刺激其他中國智能...
戴爾易安信利用全方位存儲(chǔ)產(chǎn)品組合打造現(xiàn)代化數(shù)據(jù)中心
在近日舉辦的戴爾科技峰會(huì)2018上,戴爾科技完整展示了從邊緣計(jì)算到核心數(shù)據(jù)中心到云計(jì)算的創(chuàng)新產(chǎn)品組合與解決方案。 我們重點(diǎn)來看看戴爾科技集團(tuán)旗下戴爾易安...
NOR FLASH目前仍是汽車行業(yè)的首選,其原因是什么
汽車應(yīng)用需要合格的存儲(chǔ)設(shè)備,這些設(shè)備將在承受極端溫度的嵌入式環(huán)境中持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間。這就是norflash繼續(xù)尋找新機(jī)會(huì)的原因之一。 例如需求由電信的可靠性...
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