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標(biāo)簽 > 閾值電壓
閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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TLV809系列 3 引腳電壓監(jiān)控器(復(fù)位 IC),帶低電平有效、推挽式復(fù)位技術(shù)手冊
在上電期間,當(dāng)電源電壓 (V ~DD 系列~ ) 變得大于 1.1 V。此后,監(jiān)控電路監(jiān)控 V~DD 系列~并保持?RESET?活動狀態(tài),只要 V~DD...
2025-04-11 標(biāo)簽:定時器電源電壓監(jiān)控電路 359 0
TLV803系列 3針電壓監(jiān)控器(復(fù)位IC)具有低電平和開漏復(fù)位功能技術(shù)手冊
TLV8x3 系列監(jiān)控電路提供電路初始化和定時監(jiān)控,主要用于 DSP 和基于處理器的系統(tǒng)。 TLV803、TLV853 和 TLV863 在功能上等效。...
TLV863M 3 引腳電壓監(jiān)控器,具有低電平有效開漏復(fù)位輸入反向引腳輸出數(shù)據(jù)手冊
TLV863M是一款3引腳SOT23封裝的電壓監(jiān)控器,主要用于電路初始化和時序監(jiān)控,特別是在DSP和處理器基系統(tǒng)中。該器件具有低功耗、固定延遲時間的電源...
TPS40041 2.25 至 5.5 V 輸入,600 kHz,低引腳數(shù)同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS40040 和 TPS40041 DC-DC 控制器設(shè)計為在 2.25 V 至 5.5 V 輸入源下工作。為了減少外部組件的數(shù)量,幾個作參數(shù)在內(nèi)部...
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對MOS...
二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓是兩個關(guān)鍵參數(shù),它們對于二極管的工作特性和應(yīng)用至關(guān)重要。以下是對這兩個參數(shù)的詳細(xì)對比和分析,包括定義、測量、影響因素以及在實際應(yīng)...
滯回比較器(Hysteresis Comparator),也稱為施密特觸發(fā)器(Schmitt Trigger)或遲滯比較器,是一種具有特殊功能的比較器電...
2024-07-30 標(biāo)簽:施密特觸發(fā)器輸入信號閾值電壓 3612 0
滯回比較器(Hysteresis Comparator)是一種具有滯回特性的比較器,其輸出在輸入電壓變化時具有滯后現(xiàn)象。滯回比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路、數(shù)...
同向滯回比較器是一種常用的模擬電路,其主要功能是將輸入信號與參考電壓進行比較,并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平。同向滯回比較器具有滯回特性,即在輸入信號...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
NAND Flash上的,指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。
2024-05-30 標(biāo)簽:電荷泵VccNand flash 3703 0
在實際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個軟啟動的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2672 0
合科泰半導(dǎo)體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03
MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等,N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極...
電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系?它如何跟上摩爾定律的步伐?
根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對任何系統(tǒng)(或系統(tǒng)集合)進行分析時,將源與負(fù)載分開出來能幫助整個過程。
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
在SPICE模擬器中應(yīng)該調(diào)諧優(yōu)化哪些模型參數(shù)?需要全部調(diào)優(yōu)嗎?
在SPICE模擬器中有幾十種標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件模型,例如,用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近200個模型參數(shù),而一個硅基的CMOS器件的BSIM...
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