閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。

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閾值電壓技術(shù)

IGBT什么意思？一文詳細(xì)解讀IGBT工作原理

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)，變頻器的核心部件

2024-03-18 標(biāo)簽：變頻器 IGBT 晶體管 4.4萬 0

MOS管閾值電壓與溝長和溝寬的關(guān)系

關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響，實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶...

2019-06-18 標(biāo)簽：MOSFET MOS管閾值電壓 4.0萬 1

NMOS管的特性曲線（二）— 轉(zhuǎn)移特性曲線詳解

轉(zhuǎn)移特性曲線：固定VDS值，MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS晶體管漏電流柵極電壓 2.0萬 1

介紹一下Layout相關(guān)效應(yīng)

高性能模擬電路中如果layout處理不好很容易惡化模擬電路性能

2023-10-31 標(biāo)簽：晶體管 Layout 偏置電流 2.0萬 0

解答74HC14中正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓是什么/電壓為多少

74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達(dá)到輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入...

2018-10-24 標(biāo)簽：施密特觸發(fā)器閾值電壓 74HC14 1.9萬 1

NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)

nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，C...

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管閾值電壓 NMOS管 1.8萬 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 EOS 1.1萬 0

在PDK中是如何定義Vth的呢？

以N管為例（P管類似），當(dāng)Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區(qū)留下負(fù)離子以鏡像柵上的電荷。

2023-10-31 標(biāo)簽：MOS管晶體管靜態(tài)電流 8902 0

WPE效應(yīng)的概念如何讓減小WPE效應(yīng)呢？

如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應(yīng)。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管輸出電壓 SCA 7551 0

模擬IC電路之比較器設(shè)計(jì)詳細(xì)過程

比較器是一種電子器件，用于比較兩個(gè)輸入信號(hào)的大小，并根據(jù)比較結(jié)果輸出一個(gè)邏輯信號(hào)。比較器通常由兩個(gè)輸入端、一個(gè)輸出端和一個(gè)閾值電壓組成。

2024-02-07 標(biāo)簽：模擬電路運(yùn)算放大器比較器 7059 0

電路保護(hù)中的欠壓/過壓閉鎖實(shí)用巧設(shè)計(jì)

在電子設(shè)備的實(shí)際應(yīng)用中，可能會(huì)遇到輸入電壓不穩(wěn)的情況。

2023-10-30 標(biāo)簽：MOS管比較器電源電壓 6807 0

雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹

如今整個(gè)電路系統(tǒng)，性能要求越來越高，功耗要求越來越低，其設(shè)計(jì)也越來越復(fù)雜，在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)存在各個(gè)元器件之間的工作電壓不一致的情況;

2023-12-26 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器場效應(yīng)管 6471 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和閾值電壓

　首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...

2023-04-25 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 6383 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅 IGBT MOS 5316 0

淺談?dòng)绊慚OSFET閾值電壓的因素

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的閾值電壓（Vt）是其工作性能中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...

2024-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管閾值電壓 5195 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時(shí)間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管 IGBT SiC 5024 0

MOS管的閾值電壓是什么

MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對(duì)MOS...

2024-10-29 標(biāo)簽：MOS管柵極閾值電壓 5008 0

探究BSIM4模型

在BSIM3的基礎(chǔ)上，UC Berkley的BSIM小組緊接著又推出了BSIM4模型。

2023-05-24 標(biāo)簽：射頻電路輸出電容閾值電壓 4967 0

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系

分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS 閾值電壓 4577 0

講講MOS管的選型參數(shù)

選取9個(gè)重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關(guān)閉速度等。

2023-10-08 標(biāo)簽：MOS管漏電流 PWM波 4099 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
LT8705

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UCD3138

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閾值電壓

閾值電壓技術(shù)

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