閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。

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閾值電壓技術(shù)

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體 IGBT 3932 0

NAND Flash上的Vpp是什么？有何功能？

NAND Flash上的，指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。

2024-05-30 標(biāo)簽：電荷泵 Vcc Nand flash 3717 0

晶體三極管的伏安特性曲線

我們就以共射極電路為例來為大家分享，因為三極管有三個極，一個特性曲線是描述不全的，所以小編從“輸入特性”和“輸出特性”來和大家講解。

2023-09-15 標(biāo)簽：三極管控制器晶體三極管 3713 0

二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓的區(qū)別

二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓是兩個關(guān)鍵參數(shù)，它們對于二極管的工作特性和應(yīng)用至關(guān)重要。以下是對這兩個參數(shù)的詳細(xì)對比和分析，包括定義、測量、影響因素以及在實際應(yīng)...

2024-10-29 標(biāo)簽：二極管參數(shù)閾值電壓 3687 0

滯回比較器的閾值電壓如何確定?

滯回比較器（Hysteresis Comparator），也稱為施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）或遲滯比較器，是一種具有特殊功能的比較器電...

2024-07-30 標(biāo)簽：施密特觸發(fā)器輸入信號閾值電壓 3620 0

時序分析基本概念介紹<Operating Condition>

今天我們要介紹的時序分析概念是 **Operating Condition** 。也就是我們經(jīng)常說的PVT環(huán)境，分別代表fabrication proc...

2023-07-04 標(biāo)簽：時序分析閾值電壓時序分析器 3480 0

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...

2024-03-01 標(biāo)簽：led照明穩(wěn)壓器 PMOS 3168 0

艾為推出超高精度、微低功耗線性Hall磁軸鍵盤解決方案

在科技日新月異的今天，機(jī)械鍵盤作為電腦外設(shè)的重要一員，其性能與品質(zhì)不斷提升，滿足著玩家們?nèi)找嬖鲩L的需求。

2024-04-15 標(biāo)簽：霍爾傳感器信噪比磁傳感器 3114 0

通過電路符號認(rèn)知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET

2023-11-21 標(biāo)簽：MOSFET 閾值電壓 3095 0

滯回比較器的閾值電壓是什么

滯回比較器（Hysteresis Comparator）是一種具有特殊滯回特性的比較器，其輸出在輸入電壓變化時展現(xiàn)出一種滯后現(xiàn)象。這種特性使得滯回比較器...

2024-07-30 標(biāo)簽：輸入電壓閾值電壓滯回比較器 3005 0

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應(yīng)用端的影響也很大。

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 2968 0

分享一種單片機(jī)IO口測量外部電阻的方法

在以前的有些單片機(jī)應(yīng)用中，有的時候會遇到 AD 端口資源不夠用的情況，但又需要測量電阻的大小。

2023-11-24 標(biāo)簽：單片機(jī)熱敏電阻定時器 2903 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT MOS 2870 0

電源防反接電路設(shè)計方案分享！

在實際應(yīng)用中，G極一般串聯(lián)一個電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩(wěn)壓二極管，并聯(lián)在分壓電阻上的電容，有一個軟啟動的作用。

2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓二極管 MOS管 2673 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—抗輻照特性介紹

氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發(fā)的電子空穴對會對絕緣層的特性造成影響。

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBT MOS器件閾值電壓 2563 0

EDA技術(shù)探索之閾值電壓

而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個壓控開關(guān)。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開關(guān)，那就需要有一個區(qū)別開態(tài)與關(guān)態(tài)的狀態(tài)。

2022-12-15 標(biāo)簽：eda 閾值電壓 2432 0

利用外部中斷方式來檢查按鍵KEY狀態(tài)

我們學(xué)習(xí)了如何使用 Micropython 和 ESP32 實現(xiàn) GPIO 輸入輸出功能。然而，這種方式存在一個問題：代碼需要不斷地檢測 IO 輸入口的...

2023-11-08 標(biāo)簽：led燈外部中斷歐姆電阻 2292 0

滯回比較器閾值電壓怎么求

滯回比較器（Hysteresis Comparator）是一種具有滯回特性的比較器，其輸出在輸入電壓變化時具有滯后現(xiàn)象。滯回比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路、數(shù)...

2024-07-30 標(biāo)簽：模擬電路數(shù)字電路閾值電壓 2241 0

從底層重新認(rèn)識D觸發(fā)器、建立時間和保持時間

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應(yīng)晶體管）是一種場效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，...

2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 D觸發(fā)器 2217 0

同向滯回比較器閾值電壓怎么求

同向滯回比較器是一種常用的模擬電路，其主要功能是將輸入信號與參考電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平。同向滯回比較器具有滯回特性，即在輸入信號...

2024-07-10 標(biāo)簽：模擬電路比較器輸入信號 2096 0

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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