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標(biāo)簽 > 閾值電壓
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管，因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFET阻抗匹配場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2059 1
比較器是一種電子器件，用于比較兩個(gè)輸入信號(hào)的大小，并根據(jù)比較結(jié)果輸出一個(gè)邏輯信號(hào)。比較器通常由兩個(gè)輸入端、一個(gè)輸出端和一個(gè)閾值電壓組成。
2024-02-07 標(biāo)簽：模擬電路運(yùn)算放大器比較器 7059 0
雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹
如今整個(gè)電路系統(tǒng)，性能要求越來(lái)越高，功耗要求越來(lái)越低，其設(shè)計(jì)也越來(lái)越復(fù)雜，在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)存在各個(gè)元器件之間的工作電壓不一致的情況;
2023-12-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器場(chǎng)效應(yīng)管 6471 0
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。
2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬(wàn) 0
從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，...
2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2215 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(1)
現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入，進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷開始衰減，衰減過程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們?cè)敿?xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。
氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發(fā)的電子空穴對(duì)會(huì)對(duì)絕緣層的特性造成影響。
MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。
上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制
在以前的有些單片機(jī)應(yīng)用中，有的時(shí)候會(huì)遇到 AD 端口資源不夠用的情況，但又需要測(cè)量電阻的大小。
通過電路符號(hào)認(rèn)知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動(dòng)參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當(dāng)柵極相對(duì)于發(fā)射極電位 *...
我們學(xué)習(xí)了如何使用 Micropython 和 ESP32 實(shí)現(xiàn) GPIO 輸入輸出功能。然而，這種方式存在一個(gè)問題：代碼需要不斷地檢測(cè) IO 輸入口的...
WPE效應(yīng)的概念 如何讓減小WPE效應(yīng)呢？
如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來(lái)沒有關(guān)注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應(yīng)。
以N管為例（P管類似），當(dāng)Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場(chǎng)趕離柵區(qū)留下負(fù)離子以鏡像柵上的電荷。
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