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標簽 > 集成電路
集成電路是一種微型電子器件或部件。把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。
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近日,長電科技宣布正式啟動“啟新計劃”,在江陰市高新區(qū)設立全資子公司長電科技(江陰)有限公司,進一步優(yōu)化資源配置,重點發(fā)展先進封裝核心業(yè)務,全面提升市場競爭力。
IP6520_Q1至為芯支持36W功率輸出的車規(guī)級DC-DC芯片
英集芯IP6520_Q1是一款專為車載USB Type-C PD充電器設計的36W功率輸出車規(guī)級DC-DC芯片,符合AEC-Q100 Grade 2標準...
探秘半導體防震基座剛性測試:守護芯片制造的堅固防線-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
在半導體制造的精密世界里,每一個細微環(huán)節(jié)都關乎芯片的性能與質量。其中,半導體防震基座作為支撐核心設備的關鍵部件,其剛性表現(xiàn)起著舉足輕重的作用。
以光為矛,第六屆世界光子大會構筑國產集成電路新生態(tài)
中國半導體產業(yè)的承壓與奮進 在全球半導體產業(yè)格局深度重構的浪潮中,中國集成電路產業(yè)正經(jīng)歷一場艱苦卓絕的“突圍戰(zhàn)”。貿易摩擦硝煙未散,關鍵技術封鎖加劇——...
峰會通知 | 報名截止倒計時1天!—2025中國(深圳)集成電路峰會
2025年6月20日,2025中國(深圳)集成電路峰會(簡稱ICS2025峰會)將在深圳市南山區(qū)隆重舉辦。目前,ICS2025峰會的報名人數(shù)已超600人...
2025-06-16 標簽:集成電路 1111 0
紫光國芯入選2025年度全國技術交易創(chuàng)新實踐案例
近日,第十一屆中國(上海)國際技術進出口交易會(簡稱“上交會”)在上海世博展覽館隆重開幕,紫光國芯作為陜西省服務貿易骨干企業(yè)受邀參展,集中展示其最新的存...
近日,越芯半導體集成電路先進測試基地一期工程結頂儀式在諸暨市政府領導、朗迅芯云股東及合作伙伴代表、公司管理骨干等領導嘉賓出席本次儀式,共同見證這一里程碑時刻。
近日,工業(yè)和信息化部電子信息司王世江副司長一行到行芯科技進行專題調研,省市區(qū)經(jīng)信部門相關負責人隨行陪同。
長電科技蟬聯(lián)半導體行業(yè)“最受尊崇企業(yè)”
國際權威研究及評選機構Extel(前身為《機構投資者》Institutional Investor)2025年度“亞洲最佳管理團隊”評選結果于近日揭曉。...
?在上一篇文章里,小編看到有讀者想了解有關“最早的集成電路”的知識,有求必應的小編帶著這篇文章來啦! ? ?1958年夏天,美國德州儀器公司空曠的實驗室...
2025-06-09 標簽:集成電路 125 0
芯華章攜手EDA國創(chuàng)中心推出數(shù)字芯片驗證大模型ChatDV
面向國家在集成電路EDA領域的重大需求,芯華章攜手全國首家集成電路設計領域國家級創(chuàng)新中心——EDA國創(chuàng)中心,針對日益突出的芯片設計驗證痛點,強強聯(lián)手,共...
TOREX使用西門子EDA工具打造小尺寸降壓DC/DC轉換器
總部位于東京的 TOREX Semiconductor (TOREX) 專門從事模擬 (CMOS) 電源集成電路 (IC) 的開發(fā)。TOREX 憑借一流...
近日,2025 “概倫電子技術日” 北京站活動成功舉辦。本次活動以 “AI 賦能國產 EDA 新進程”為主題,聚焦AI與EDA技術融合,吸引了集成電路行...
洲光源亮相 2025 越南國際電子產業(yè)博覽會 2025 年 6 月 20 - 22 日,在越南電子之都北寧市越南北寧文學公園(Literature Pa...
創(chuàng)飛芯55nm BCD工藝OTP IP實現(xiàn)上架
近日,珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布,其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...
7400隊參賽!智橙PLM再次為全國大學生集創(chuàng)賽護航
全國7400隊參賽,行業(yè)影響持續(xù)攀升 集創(chuàng)賽,全稱為“全國大學生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”(點擊了解),由工信部人才交流中心主辦,由中國(上海)自由貿易試驗...
解開半導體晶圓廠高架地板的面紗-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
高架地板又叫做耗散型靜電地板。當它接地或連接到任何較低電位點時,使電荷能夠耗散,以電阻在10的5次方到10的9次方歐姆之間為特征。
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