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標(biāo)簽 > 集成驅(qū)動(dòng)器
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LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 324 0
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 353 0
LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 340 0
LMG3422EVM-043評(píng)估模塊LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡概述
LMG342XEVM-04X具有兩個(gè)LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半橋配置,具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,并具有所有所需的偏置電路...
2025-02-21 標(biāo)簽:電路板電感電平轉(zhuǎn)換 353 0
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 330 0
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 312 0
TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過(guò)在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
如何配置電源管理IC實(shí)現(xiàn)PWM風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)
風(fēng)扇速度控制塊允許工程師使用電壓輸入來(lái)控制風(fēng)扇速度。驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇的 PWM 的占空比與輸入電壓成正比(介于 0 V 和 3 V 之間)。
在系統(tǒng)中采用低端驅(qū)動(dòng)器的常見(jiàn)應(yīng)用介紹
NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅(qū)動(dòng)的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通,因?yàn)橐淮沃挥幸粋€(gè)圖騰柱器件可以正向偏置。
交流伺服集成驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)分析
交流伺服驅(qū)動(dòng)控制包括交流異步電動(dòng)機(jī)與永磁同步電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。傳統(tǒng)的交流伺服驅(qū)動(dòng)控制,需要建立定制的伺服控制系統(tǒng)。雖然提供定制運(yùn)算的軟件設(shè)計(jì)平臺(tái)可以減輕...
2017-11-10 標(biāo)簽:交流伺服永磁同步電動(dòng)機(jī)集成驅(qū)動(dòng)器 3284 0
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類(lèi)型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)...
2016-05-09 標(biāo)簽:GaN集成驅(qū)動(dòng)器共源電路 3106 0
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