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標(biāo)簽 > 集成驅(qū)動(dòng)器
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如何配置電源管理IC實(shí)現(xiàn)PWM風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)
風(fēng)扇速度控制塊允許工程師使用電壓輸入來(lái)控制風(fēng)扇速度。驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇的 PWM 的占空比與輸入電壓成正比(介于 0 V 和 3 V 之間)。
在系統(tǒng)中采用低端驅(qū)動(dòng)器的常見(jiàn)應(yīng)用介紹
NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅(qū)動(dòng)的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通,因?yàn)橐淮沃挥幸粋€(gè)圖騰柱器件可以正向偏置。
交流伺服集成驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)分析
交流伺服驅(qū)動(dòng)控制包括交流異步電動(dòng)機(jī)與永磁同步電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。傳統(tǒng)的交流伺服驅(qū)動(dòng)控制,需要建立定制的伺服控制系統(tǒng)。雖然提供定制運(yùn)算的軟件設(shè)計(jì)平臺(tái)可以減輕...
2017-11-10 標(biāo)簽:交流伺服永磁同步電動(dòng)機(jī)集成驅(qū)動(dòng)器 3283 0
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)...
2016-05-09 標(biāo)簽:GaN集成驅(qū)動(dòng)器共源電路 3106 0
技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-25 標(biāo)簽:tiGaN開(kāi)關(guān)模式電源 644 0
技術(shù)資料#LMG3411R070 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)GaN電力電子系統(tǒng) 605 0
技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...
2025-02-24 標(biāo)簽:封裝GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 583 0
技術(shù)資料#LMG3522R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG352...
2025-02-24 標(biāo)簽:電感電源轉(zhuǎn)換器GaN 566 0
技術(shù)資料LMG3422R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) S...
2025-02-25 標(biāo)簽:emiti電源拓?fù)?/a> 552 0
技術(shù)文檔#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)
LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) S...
2025-02-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電壓檢測(cè)GaN FET 546 0
技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...
2025-02-24 標(biāo)簽:GaN柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)模式電源 541 0
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-25 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)PFCGaN 497 0
技術(shù)資料#LMG3526R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器GaN開(kāi)關(guān)模式電源 488 0
用戶指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評(píng)估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級(jí),帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 412 0
LMG3410EVM-031具有兩個(gè)LMG3410R150600VGaN功率晶體管,帶有集成驅(qū)動(dòng)器,這些驅(qū)動(dòng)器配置在-個(gè)半橋中,具有所有必需的偏置電路和...
應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 357 0
技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 354 0
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 353 0
LMG3422EVM-043評(píng)估模塊LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡概述
LMG342XEVM-04X具有兩個(gè)LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半橋配置,具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,并具有所有所需的偏置電路...
2025-02-21 標(biāo)簽:電路板電感電平轉(zhuǎn)換 353 0
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