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驅(qū)動(dòng)電路

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　　驅(qū)動(dòng)電路（Drive Circuit），，其基本任務(wù)就是將信息電子電路傳來的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào)，對(duì)全控型器件則既要提供開通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào)，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。

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驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)

基于雪崩晶體管的納秒脈沖驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

如果在晶體管的集電極加上比正常運(yùn)用大許多倍的電壓，使集電極的載流子被強(qiáng)電場加速，從而獲得很大的能量。這些被加速的載流子與晶格發(fā)生碰撞便產(chǎn)生了新的電子-空...

2023-10-11 標(biāo)簽：集成電路電源電路晶體管 1035 0

數(shù)字電源的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)講解

驅(qū)動(dòng)電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間，其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷。優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠提高數(shù)字電源的...

2023-10-10 標(biāo)簽：emi PWM IGBT 1042 0

IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

在IGBT模塊的使用過程中，關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標(biāo)簽：IGBT MOS 驅(qū)動(dòng)電路 1879 0

什么是直流脈沖電磁閥電容放電控制電磁閥電路圖設(shè)計(jì)

電容的充電電流根據(jù)升壓電路中的電容C1合理選擇。電容C1兩端的電壓2*Vin-2*VDF=17.4v(Vin為輸入電壓9V, VDF為二極管D1D2的...

2023-10-07 標(biāo)簽：二極管電路圖電磁閥 4231 0

增加負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路工作原理

　MOS管開通時(shí)的充電電阻、關(guān)斷時(shí)的放電電阻根據(jù)所選的MOS管選擇，并結(jié)合實(shí)際調(diào)試情況決定。是否增加MOS管的吸收電路根據(jù)所選擇MOS管的開關(guān)速度決定，...

2023-10-07 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路穩(wěn)壓管 1962 0

驅(qū)動(dòng)電路的必要組成部分有哪些驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系

將控制信號(hào)進(jìn)行放大，以能夠提供足夠的功率和電流來驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等高功率開關(guān)元件。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOSFET 功率放大器晶體管 4527 0

PMOS低電平驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

如上圖，PMOS管是壓控型器件，|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí)，內(nèi)部溝道在場強(qiáng)的作用下導(dǎo)通，|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時(shí)，內(nèi)部溝道截止。

2023-09-26 標(biāo)簽：二極管電路圖電路設(shè)計(jì) 1.5萬 0

變頻器和逆變器常用的驅(qū)動(dòng)集成電路（二）

上篇文章介紹了變頻器逆變器常用的外圍驅(qū)動(dòng)電路部分，主要介紹了M57962和EXB840，這兩種驅(qū)動(dòng)模塊都是用的比較多且技術(shù)方案比較早期的因此存在一個(gè)問題...

2023-10-02 標(biāo)簽：變頻器逆變器驅(qū)動(dòng)電路 5927 0

超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 6616 0

如何用分立元件做MOS驅(qū)動(dòng)電路？

對(duì)于硬件開發(fā)，往往有上手比較棘手的兩個(gè)地方，一個(gè)是MOS驅(qū)動(dòng)，另一個(gè)是運(yùn)放設(shè)計(jì)。

2023-09-17 標(biāo)簽：三極管 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4405 0

LED恒流驅(qū)動(dòng)電路FP6755介紹

首先，類似液晶背光或者我們用的臺(tái)燈等對(duì)于光亮強(qiáng)度比較敏感的LED應(yīng)用場景是不建議用恒壓驅(qū)動(dòng) ，因?yàn)殡妷旱牟▌?dòng)會(huì)直接影響到流過LED的電流；而LED也會(huì)...

2023-09-15 標(biāo)簽：led 三極管 MOSFET 3793 0

數(shù)碼管的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢

數(shù)碼管是一種常用的顯示設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。本文將對(duì)數(shù)碼管的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢進(jìn)行簡要介紹。

2023-09-12 標(biāo)簽：傳感器 led 數(shù)碼管 4902 0

變頻器濾波電容引起的一個(gè)問題

前幾天，一臺(tái)ACS800變頻器剛開機(jī)就出現(xiàn)了電流與頻率波動(dòng)的情況，而且波動(dòng)的幅度比較大，完全超出了因負(fù)載變化而引起的波動(dòng)幅值，第一感覺就是變頻器出了問題...

2023-08-30 標(biāo)簽：濾波電容變頻器 IGBT 1749 0

電機(jī)控制異常案例分析

電路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常在一些信號(hào)發(fā)送端和接收端的連接中串聯(lián)一個(gè)電阻，這里電阻的作用有很多種，有的場合是為了防止信號(hào)振鈴，有的時(shí)候是為了保護(hù)芯片，有時(shí)時(shí)候是想降...

2023-08-28 標(biāo)簽：電機(jī)控制電路設(shè)計(jì)PWM 870 0

繼電器驅(qū)動(dòng)電路原理分析

用一個(gè)三極管Q1去控制繼電器線圈，進(jìn)而控制繼電器觸點(diǎn)的通斷，實(shí)現(xiàn)負(fù)載電路的控制，即實(shí)現(xiàn)了弱電對(duì)強(qiáng)電的控制。

2023-08-28 標(biāo)簽：三極管繼電器線圈 4090 0

多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么

當(dāng)在高速下控制高功率時(shí)，有必要仔細(xì)考慮設(shè)備的選擇及其特性中可能變化的范圍。在進(jìn)行并行連接時(shí)，最重要的是避免電流集中，包括過電流，并確保在所有可能的負(fù)載條...

2023-08-21 標(biāo)簽：MOSFET DC-DC DC 9023 0

LED驅(qū)動(dòng)電路原理圖驅(qū)動(dòng)LED的三種方法

LED串聯(lián)電阻阻值的計(jì)算：例如電源為5V，一個(gè)LED正常工作時(shí)的電壓為2v電流為20mA。要想使LED正常工作，需要串聯(lián)的電阻分壓5-2=3V，由于串聯(lián)...

2023-08-19 標(biāo)簽：led 原理圖 MOS管 8304 0

單相光伏發(fā)電系統(tǒng)中前級(jí)Boost電路硬件設(shè)計(jì)實(shí)例

本文以單相光伏發(fā)電系統(tǒng)中前級(jí)Boost電路為例對(duì)其進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)，Boost電路的硬件電路主要包括能量轉(zhuǎn)換電路、開關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)檢測電路的設(shè)計(jì)。

2023-08-17 標(biāo)簽：電路原理圖光伏發(fā)電驅(qū)動(dòng)電路 2764 0

單片機(jī)io配置不同速度有區(qū)別嗎

我以前經(jīng)常測量MCO引腳輸出時(shí)鐘，測量過的人應(yīng)該都知道，如果輸出速度高于配置速度，會(huì)明顯看到波形不正常。波形會(huì)出現(xiàn)不完整，幅度低等失真現(xiàn)象。 ...

2023-08-16 標(biāo)簽：單片機(jī)示波器 STM32 541 0

mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 9657 0

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　　水位控制器是指通過機(jī)械式或電子式的方法來進(jìn)行高低水位的控制，可以控制電磁閥、水泵等，成為水位自動(dòng)控制器或水位報(bào)警器，從而來實(shí)現(xiàn)半自動(dòng)化或者全自動(dòng)化。

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