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標簽 > 3D芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶體設計制造工藝技術,依靠3D三門晶體管生產(chǎn)的處理器芯片。3D芯片仍采用多核,不同的是,多個處理器不再并排相連,而是上下平行地連在一起。這樣,線纜的分布面積就擴大至整個處理器的表面,而且平行結構也有效縮短了各個處理器之間纜線的長度。
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什么是3D芯片堆疊技術3D芯片堆疊技術的發(fā)展歷程和詳細資料簡介
近日,武漢新芯研發(fā)成功的三片晶圓堆疊技術備受關注。有人說,該技術在國際上都處于先進水平,還有人說能夠“延續(xù)”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術有如此大的作用...
3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優(yōu)點:首先是直接(盡管繁瑣),多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可以通過明暗處理(...
多年來,3D IC技術已從初始階段發(fā)展成為一種成熟的主流制造技術。EDA行業(yè)引入了許多工具和技術來幫助設計采用3D IC路徑的產(chǎn)品。最近,復雜的SoC實...
Infineon芯片是一種多集成的無線基帶SoC芯片。功能(GPS、調頻收音機、BT.)同樣的eWLB產(chǎn)品也有自2010年以來,諾基亞一直在生產(chǎn)手機。
Lge(無線基帶)、Samsung(基帶調制解調器)和Nokia(基帶調制解調器和射頻收發(fā)器)使用了Infineon的eWLB他們的手機產(chǎn)品。
一批高性能處理器表明,延續(xù)摩爾定律的新方向是向上發(fā)展。每一代處理器都要比上一代性能更好,究其根本,這意味著要在硅片上集成更多的邏輯。
到2024年,半導體研發(fā)將促EUV光刻、3納米、3D芯片堆疊技術增長
據(jù)IC Insights發(fā)布的最新2020 McClean報告顯示,半導體行業(yè)研發(fā)的投入將在2024年出現(xiàn)明顯成效包括轉向EUV光刻,低于3納米制程技術...
華為的方法使用小芯片的重疊部分來建立邏輯互連。同時,兩個或更多小芯片仍然有自己的電力傳輸引腳,使用各種方法連接到自己的再分配層 (RDL)。但是,雖然華...
趙偉國:要解決卡脖子問題 中國IC行業(yè)2023年才能站穩(wěn)腳跟
技術趕超才是真的超越。盲目擴產(chǎn),追銷量,蹭熱點,不是趕得更近,而是差得更遠。
困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機會,其在去年年底的“架構日”活動中,推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros,F(xiàn)overos首...
快訊:三星加快3D芯片封裝技術望同臺積電競爭 華為Mate40系列旗艦即將發(fā)布
半導體產(chǎn)業(yè)基金(ID:chinabandaoti) 【風云四號B衛(wèi)星完成研制 明年擇機發(fā)射】財聯(lián)社8月24日訊,從航天科技集團八院了解到,除了目前已經(jīng)在...
日月光集團總經(jīng)理暨研發(fā)長唐和明昨(6)日表示,三維立體集成電路(3D IC)將是后PC時代主流,即使全球經(jīng)濟減緩,各廠推動研發(fā)腳步并不停歇,他推估201...
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