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標(biāo)簽 > 7nm
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英偉達(dá)h800和a100參數(shù)對(duì)比
英偉達(dá)h800和a100參數(shù)對(duì)比 NVIDIA H800和A100是兩款高端的GPU產(chǎn)品,下面是它們的參數(shù)對(duì)比: 1.架構(gòu): H800采用的是Volta...
從提交的補(bǔ)丁內(nèi)容來(lái)看,基于龍架構(gòu) (LoongArch) 的 3A6000 將是一款四核八線處理器。 此前曾報(bào)道過(guò),3A6000 是國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的首款支...
?IBM全球首款2nm芯片制程 IBM 2納米芯片制造技術(shù)要點(diǎn)
IBM Research在其紐約奧爾巴尼技術(shù)中心宣布其突破性的2nm技術(shù)的消息。 據(jù)IBM官方表示,核心指標(biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MT...
代工行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈 5/3nm芯片戰(zhàn)爭(zhēng)將開(kāi)啟
2021年,代工廠正在加緊各自5nm甚至3nm先進(jìn)工藝的進(jìn)程。與此同時(shí),下游芯片商又必須在基于哪種工藝設(shè)計(jì)下一代芯片做出決定。這就可能影響到在3nm是延...
英特爾自己的工程師說(shuō),即使他們自己有時(shí)也很難記住哪個(gè)+變體具有特定的更新,或者哪個(gè)產(chǎn)品建立在哪個(gè)+節(jié)點(diǎn)上,這個(gè)消息也許能讓你心情好上一些。
原子級(jí)工藝實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖形結(jié)構(gòu)的要求
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度,比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納...
隨著市場(chǎng)對(duì)芯片集成度和功耗的新要求,半導(dǎo)體工藝也在不斷的進(jìn)步,從90nm到65nm,再到28nm、10nm……如今,全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝可達(dá)7nm...
晶圓代工巨頭企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF(格芯),在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛,10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半,7nm制程便已經(jīng)好似近在眼前。
高通公布下一代旗艦移動(dòng)平臺(tái)的細(xì)節(jié)
此前有消息稱高通年底即將推出的新一代旗艦芯片——驍龍855將不會(huì)支持5G網(wǎng)絡(luò)。不過(guò),今天高通對(duì)外宣布了下一代旗艦移動(dòng)平臺(tái)的部分細(xì)節(jié):將采用7nm制程工藝...
報(bào)導(dǎo)中進(jìn)一步指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士表示,手機(jī)芯片制造商遷移到7納米工藝的動(dòng)力不足,主要是新技術(shù)所提供的競(jìng)爭(zhēng)力比較有限。因?yàn)椋捎?納米工藝生產(chǎn)的處理器,...
從芯片的制造來(lái)看,7nm就是硅材料芯片的物理極限,到了7nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電,所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道...
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