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標簽 > GaN FET
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探索LMG341xR150:600V GaN FET集成驅動與保護的卓越性能
探索LMG341xR150:600V GaN FET集成驅動與保護的卓越性能 在當今的電子領域,功率密度和效率的提升一直是工程師們追求的目標。德州儀器(...
2026-03-01 標簽:GaN FETLMG341xR150電源電子系統(tǒng) 964 0
深度解析LMG341xR150:高性能GaN FET的卓越之選
深度解析LMG341xR150:高性能GaN FET的卓越之選 在當今的電子設計領域,功率密度和效率是工程師們不斷追求的目標。而德州儀器(TI)推出的L...
2026-03-01 標簽:功率電子GaN FETLMG341xR150 997 0
探索LMG3425R050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用潛力
探索LMG3425R050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用潛力 在當今的電子領域,功率器件的性能提升對于實現高效、緊湊的電源設計至關...
2026-03-01 標簽:電源設計GaN FETLMG3425R050 1.1k 0
LMG3425R030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應用解析
LMG3425R030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應用解析 在現代電子設計領域,高效、高功率密度的功率器件一直是工程師們追求的目標。...
2026-03-01 標簽:電源轉換器GaN FETLMG3425R030 1k 0
探索LMG3612:650-V 120-mΩ GaN FET的技術魅力
探索LMG3612:650-V 120-mΩ GaN FET的技術魅力 在電源轉換領域,氮化鎵(GaN)技術正逐漸嶄露頭角,為高效、高功率密度的電源設計...
探索LMG3626:700V GaN FET的卓越性能與應用
探索LMG3626:700V GaN FET的卓越性能與應用 在電源轉換領域,氮化鎵(GaN)技術正逐漸嶄露頭角,為高效、緊湊的電源設計帶來了新的可能性...
探索LMG3622:GaN FET在電源設計中的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,尋找高性能、高集成度的電源管理解決方案是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)。今天,我們要...
探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驅動器的卓越性能
探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驅動器的卓越性能 在電源轉換領域,不斷追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能的過程中,氮化鎵(...
LMG3522R030-Q1:高性能GaN FET的卓越之選
LMG3522R030-Q1:高性能GaN FET的卓越之選 在電源轉換領域,如何提升功率密度和效率一直是工程師們追求的目標。TI推出的LMG3522R...
2026-03-01 標簽:電源轉換GaN FETLMG3522R030-Q1 525 0
深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用
深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用 在當今的電子領域,氮化鎵(GaN)技術憑借其卓越的性能正逐漸成為功率...
2026-03-01 標簽:開關模式電源GaN FETLMG352xR050 530 0
探索LTC7891:用于GaN FET的高性能降壓控制器 引言 在當今的電子設計領域,高效、可靠的電源管理是至關重要的。LTC7891作為一款專門為Ga...
深度解析LTC7892:高性能雙路升壓控制器的卓越之選 一、引言 在電子設備的電源管理領域,對于高性能、高效率的升壓控制器的需求始終不斷攀升。特別是在面...
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件...
2025-12-29 標簽:電路設計GaN FETTP65H070G4PS 362 0
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結合
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結合 引言 在當今電子技術飛速發(fā)展的時代,功率半導體器件...
2025-12-29 標簽:功率器件GaN FETTP65H070G4RS 384 0
“芯”品發(fā)布|鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化鎵能效天花板!
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步,打破車規(guī)級功率半導體性能邊界 近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
安世推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET GAN FET
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mo...
Nexperia為多個汽車應用領域貢獻力量,約270款Nexperia產品運用在不同的汽車應用中。
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