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絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識其原理及其應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
MOSFET相對于晶體管三極管BJT的應(yīng)用優(yōu)勢有哪些?
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,而雙極結(jié)型晶體管(晶體管三極管BJT)是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許...
2023-02-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管BJT 4k 0
為什么用PTAT電流來偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT?
公式表明Vt與絕對溫度T成正比(PTAT)。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來偏置亞閾值區(qū)的MOS管,可以消除Vt對gm的影響。
輸入端口vi和輸出端口vo共用BJT的基極端子,VEE和RE構(gòu)成發(fā)射結(jié)的偏置電壓,VCC和RC構(gòu)成集電結(jié)的偏置電壓。和上小節(jié)的共基組態(tài)相比,輸入端和輸出...
開關(guān)電源設(shè)計(jì):何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET?
MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管 (BJT) 可能仍然會有一定的優(yōu)勢。特別是在離線電...
2015-11-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源BJT 3.8k 0
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場效應(yīng)晶體管 3.6k 0
在本節(jié)中,我們將分析BJT共基構(gòu)型,了解其驅(qū)動點(diǎn)特性、反向飽和電流、基極至發(fā)射極電壓,并通過實(shí)際求解示例評估參數(shù)。在后面的部分中,我們還將分析如何配置共...
學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn):將BJT連接為二極管
本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究將雙極性結(jié)型晶體管(BJT)連接為二極管時(shí)的正向/反向電流與電壓特性。
設(shè)計(jì)驅(qū)動電路該使用MOS管還是三極管?(文末領(lǐng)BJT和MOSFET對比資料)
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而,它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管,通常稱為 BJT...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態(tài),那么就會發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
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