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cmos電路技術(shù)

TTL電路和CMOS電路的區(qū)別和聯(lián)系

TTL（晶體管-晶體管邏輯）和CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種主要的集成電路（IC）技術(shù)，它們廣泛應(yīng)用于數(shù)字電子設(shè)備中。

2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路 TTL電路 CMOS電路 3445 0

淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗

CMOS電路功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成，動(dòng)態(tài)功耗又分為開關(guān)功耗、短路功耗兩部分

2024-04-01 標(biāo)簽：NMOS 靜態(tài)功耗 CMOS電路 7826 0

淺析SoC芯片的DVFS技術(shù)

DVFS（Dynamic Voltage and Frequency Scaling）即動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù)，是一種高效的低功耗技術(shù)，它通過動(dòng)態(tài)調(diào)整工作...

2024-04-05 標(biāo)簽：芯片 soc CMOS電路 3231 0

CMOS電路什么輸入為高電平 cmos門電路輸出電平判斷

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）電路是一種常見的電子邏輯門電路技術(shù)，由一個(gè)PMOS（P型金屬氧...

2024-02-22 標(biāo)簽：門電路 CMOS電路漏電流 5884 0

CMOS電路和TTL電路的區(qū)別 cmos電路和ttl電路優(yōu)缺點(diǎn)

CMOS電路和TTL電路是兩種常見的數(shù)字電路技術(shù)，它們?cè)陔娐方Y(jié)構(gòu)、功耗、速度、噪聲抗擾能力等方面存在差異。下面是對(duì)CMOS電路和TTL電路的比較，以及它...

2024-02-22 標(biāo)簽：TTL電路數(shù)字電路場效應(yīng)晶體 1.2萬 0

兩位格雷碼減法器數(shù)字電路設(shè)計(jì)

目前，針對(duì)數(shù)字電路研究的主要目標(biāo)都是為了提高電路的運(yùn)算速度、降低電路的功耗和減少電路邏輯輸出的誤差，因此延時(shí)、功耗和誤差是數(shù)字電路三個(gè)最重要的性能指標(biāo)。

2024-02-19 標(biāo)簽：邏輯門二進(jìn)制格雷碼 1527 0

TTL電路是什么意思？TTL邏輯電平 TTL電路如何工作？

TTL電路是一種晶體管-晶體管邏輯電路，它是Transistor-Transistor Logic的縮寫。TTL電路是一種數(shù)字電路，主要用于處理數(shù)字信號(hào)...

2024-02-17 標(biāo)簽：TTL電路晶體管邏輯電平 1.9萬 0

低功耗設(shè)計(jì)之Power Switch Cell

CMOS電路中的功耗分為兩部分：靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗；

2024-01-16 標(biāo)簽：動(dòng)態(tài)功耗靜態(tài)功耗低功耗設(shè)計(jì) 5592 0

閂鎖效應(yīng)（Latch-up）原理及其抑制方法解析

閂鎖效應(yīng)：實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個(gè)BJT管子(下圖中，側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS電路 VDD 閂鎖效應(yīng) 2.1萬 0

如何做一個(gè)低抖動(dòng)的PLL？PLL噪聲優(yōu)化

Xilinx最新一代UltraScale+ FPGA ^[1]^ 將RF AD/DA、SerDes等系統(tǒng)完美集成在一顆芯片打造出了一個(gè)全方位的通信鏈

2023-10-31 標(biāo)簽：VCO CMOS電路 PLL電路 3183 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體工業(yè)（九）

在之前眾多技術(shù)的量變積累之上，終于觸發(fā)質(zhì)變效應(yīng)，仙童半導(dǎo)體公司引入了平面化技術(shù)，將之前的這些點(diǎn)技術(shù)集合到了一起。

2023-10-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 MOS 734 0

算力不足和能效過低，有什么方法提高AI芯片的算力呢？

隨著ChatGPT強(qiáng)勢(shì)來襲，AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時(shí)代，數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長，摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求，元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。

2023-10-22 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 4609 0

一種基于逐次逼近的壓阻式加速度計(jì)低功耗CMOS接口電路

本文提出了一種基于逐次逼近的壓阻式加速度計(jì)低功耗CMOS接口電路。該接口電路包括放大器、累加器、比較器、雙向可逆計(jì)數(shù)器、鎖存器、啟動(dòng)控制邏輯和D/A轉(zhuǎn)換器。

2023-10-17 標(biāo)簽：放大器比較器加速度計(jì) 1295 0

4000系列CMOS數(shù)字集成電路制作（2）

多諧振蕩器可以發(fā)出音頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)喇叭發(fā)聲。但是這種頻率固定的信號(hào)時(shí)間長了會(huì)使人厭倦。為此，各種調(diào)制音頻信號(hào)被廣泛使用。光敏電阻可以用來解決聲音頻率的變化問題。

2023-10-11 標(biāo)簽：數(shù)字電路信號(hào)發(fā)生器光敏電阻 2262 0

4000系列CMOS數(shù)字集成電路制作（1）

CMOS也叫互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路，它在速度、功耗、兼容性等方面性能優(yōu)越，因而得到日益廣泛的應(yīng)用，特別適合制作小型和便攜式的電子作品。

2023-10-11 標(biāo)簽：電容器反相器發(fā)光二極管 2518 0

PCBA貼片加工焊接時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)

2023-10-09 標(biāo)簽：貼片機(jī)PCBA CMOS電路 841 0

信號(hào)完整性學(xué)習(xí)筆記之高速邏輯電路介紹

主要介紹幾種邏輯電路的高速特性包括 ITL 邏輯電路、 CMOS 邏輯電路、 ECL 邏輯電0路，和 LVDS 器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和特點(diǎn)，以及邏...

2023-09-25 標(biāo)簽：三極管反相器信號(hào)完整性 1843 0

cmos門電路靜態(tài)功耗怎么算，cmos靜態(tài)功耗影響因素

CMOS靜態(tài)功耗是指在CMOS電路中，當(dāng)輸入信號(hào)不變時(shí)，電路中的電流仍然存在，這種電流被稱為靜態(tài)電流，也被稱為漏電流。CMOS靜態(tài)功耗是指在這種情況下，...

2023-07-21 標(biāo)簽：CMOS 靜態(tài)功耗 CMOS電路 4169 0

淺析芯片功耗的控制方法與驗(yàn)證方式

隨著移動(dòng)設(shè)備的興起和芯片工藝的提升，功耗成為近年來芯片設(shè)計(jì)越來越關(guān)注的話題。對(duì)功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析，用戶角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。

2023-06-29 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 6762 0

隧穿場效應(yīng)晶體管（TFET）的工作原理分析

每個(gè)晶體管的兩個(gè)p-n結(jié)提供了電荷流動(dòng)的電子能壘，而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導(dǎo)通。

2023-03-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 CMOS電路 1.1萬 1

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說話人識(shí)別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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